一種燒結環冷機物料溫度控制方法,屬于冶金工業測控技術領域。本發明:通過設置在環冷機各鼓風段的非接觸式測溫裝置,測得冷卻過程中各鼓風段環冷機臺車上物料表面的溫度值,并將該溫度值輸送至中央控制器,以獲得環冷機溫度場實際溫度變化值;通過設置在各鼓風機出口處的流量計,測得冷卻過程中各鼓風機出口處的通風量,并將該通風量輸送至中央控制器,以獲得鼓風機出口處流量變化值;依據燒結環冷機的熱工參數技術要求,設定生產進程中所需的理想溫度曲線,即確定初始溫度設定值,以環冷機溫度場實際溫度變化值與初始溫度設定值的偏差作為系統的擾動,以鼓風機出口處流量變化值為系統的反饋,通過控制鼓風機的風門開度控制鼓風機的通風量。
本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術將多晶硅中的雜質磷和硼去除的方法。該方法使用兩把電子槍發射電子束分別對多晶硅進行熔煉,同時采用雙重工藝去除多晶硅中的磷和硼,首先去除多晶硅中雜質磷,將低磷的多晶硅進一步熔煉蒸發除硼,收集蒸發到沉積板上的低磷低硼的多晶硅的方法。所采用的裝置由真空蓋、真空圓桶構成裝置的外殼,真空圓桶的內腔即為真空室,真空室由左右兩個腔組成,中間由隔離板分割。本發明有效提高了多晶硅的純度,達到了太陽能級硅的使用要求,其提純效果好,技術穩定,效率高。
本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束及渣濾熔煉提純多晶硅的方法,在熔煉坩堝中加熱熔化造渣劑形成造渣劑熔液,并保持其液態,同時通過加料裝置向水冷銅坩堝中連續加入高磷、高硼和高金屬的多晶硅料,硅料在電子束轟擊下熔化成硅熔液,并熔煉去除雜質磷;除磷后的低磷硅熔液導流進入到造渣劑熔液之中,在熔入的過程中,硅熔液中的雜質硼與造渣劑反應去除雜質硼,加滿料后將熔煉坩堝中的熔液加熱保持液態熔煉3-10分鐘,定向凝固,切去硅錠頂部廢渣及金屬含量較高的硅塊即可。本發明綜合利用電子束熔煉除磷、渣濾熔煉除硼及定向凝固除金屬的技術去除多晶硅中的磷、硼和金屬雜質,提純效果好,生產效率高,適合批量生產。
本發明涉及一種鋁基碳化硼中子吸收板的制備方法,是針對核裝置保護的要求,采用鋁粉、碳化硼粉、硅粉、鈦粉、硼酸晶體混合,進行粉末冶金,制成矩形板,然后在壓力機上、在加熱狀態下、在模具內進行熱擠壓成型,制得致密的鋁基碳化硼中子吸收復合板,中子吸收復合板為灰白色,中子吸收率≥90%,碳化硼分布均勻,顆粒與基體結合緊密,基體顯微硬度達185.8HV,顆粒顯微硬度達2022.2HV,表面耐腐蝕電位為-0.45V,抗彎曲角度為≥10°,抗拉強度≥200MPa,斷后伸長率≥1.8%,斷后收縮率≥1.0%,此制備方法工藝先進合理,參數準確翔實,是較為理想的制備鋁基碳化硼中子吸收板的方法。
本發明涉及一種銅包鋁線生產方法,特別是一種銅包鋁扁線的制造方法,其工藝步驟如下:(1)在惰性氣體保護下銅鋁包覆焊接;(2)經拉絲機的一系列拉絲模拉制,拉制時線的溫度應低于240℃,并達到預定的總變形量;(3)裝入有惰性氣體保護的退火爐中進行限制擴散層退火,達到預定溫度后,保溫60-150分鐘;(4)在軋輥直徑與線徑比相匹配的兩輥平輥軋機上至少軋制一次,并達到預定尺寸;(5)在拉拔機上用矩形拉絲模進行成品拉拔,達到成品的幾何尺寸;(6)在惰性氣氛中進行軟化退火、收線。具有節省銅材53-60%,性能穩定可靠,并把銅鋁兩者的優點有機融為一體,接觸表面達到冶金結合,減輕自重。
本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅領域。一種電子束淺熔池熔煉提純多晶硅的方法,先將需提純的大塊高磷、高金屬多晶硅錠置于水冷升降托盤之上,后通過電子束熔化硅錠的頂部,熔化的硅熔液在由硅錠頂部、水冷銅套以及石墨套環形成的空間內形成淺熔池,熔煉一定時間后,去除雜質磷,此后升高水冷升降托盤,低磷硅熔液液面升高后通過導流口流入石英坩堝中,在保溫作用下向下拉錠,進行定向凝固生長,金屬雜質向硅錠頂部富集,凝固后切除硅錠頂部,去除金屬雜質。本發明綜合電子束淺熔池熔煉和定向凝固去除硅中的雜質磷和金屬。多晶硅的純度達到太陽能級硅的使用要求,節約能源,工藝簡單,生產效率高,適合批量生產。
本發明提供一種銅鐵基摩擦材料的制備方法,屬于制動摩擦復合材料制備技術領域。在銅包鐵粉基體中添加強化組元Ni 1wt%?3wt%,合金組元Mn和Cr 0.5wt%?1wt%,摩擦組元WC 2wt%?6wt%,潤滑組元銅包石墨4wt%?10wt%,利用粉末冶金方法制備出了制動低磨損銅鐵基摩擦材料。本發明以銅包石墨代替石墨粉末作為潤滑組元,在燒結過程中有效改善了銅與石墨潤濕性較差的缺點,使得石墨能均勻分布在整個摩擦材料中,并通過組分優化設計和工藝探索,所得粉末冶金銅鐵摩擦材料孔隙率低且分布均勻,使得摩擦材料具有高強度、低磨損率、穩定摩擦系數的特點。
本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束分次熔煉提純多晶硅的方法,首先備料:將洗凈烘干后的硅料置于電子束熔煉爐中;再預處理:對坩鍋水冷、電子槍預熱;最后提純:采用以200-300mA的小束流電子束熔化并熔煉一段時間,然后降低束流為零,待硅錠完全變暗,硅蒸氣回凝入熔池后,再次以200-300mA的小束流熔煉多晶硅一段時間后停止束流,重復小束流熔煉和停止束流的操作多次,最后冷卻凝固即可得到磷含量很低的多晶硅錠。本發明的顯著效果是采用了電子束分次熔煉的技術,一方面降低硅的蒸發損失量,此方法提純效果好,技術穩定,工藝簡單,節能降耗,周期短,生產效率高。
本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種定向凝固及渣濾熔煉提純多晶硅的方法,加熱在熔煉坩堝中的造渣劑,并使其保持液態,同時通過另一小坩堝中熔化高硼、高金屬的多晶硅料形成多晶硅熔液;將多晶硅熔液連續導入并分散于液態造渣劑中,熔煉反應去除雜質硼,待熔煉坩堝中液體裝滿時,停止加入多晶硅熔液,加熱使熔煉坩堝中保持液態,熔煉后進行定向凝固,切去硅錠頂部雜質含量較高的多晶硅及廢渣,即可得到硼和金屬雜質含量較低的多晶硅錠。綜合渣濾熔煉和定向凝固的技術去除多晶硅中的雜質硼和金屬,有效提高了多晶硅的純度,達到了太陽能級硅的使用要求,其提純效果好,技術穩定,工藝簡單,節約能源,成本低,生產效率高。
本發明屬于裂紋修復技術領域,提供一種專用于不銹鋼工件表面裂紋激光修復的含有納米Al2O3的復合粉末,該復合粉末包括質量分數為1%?3%的Al2O3納米粉末,余量為不銹鋼粉末,二者通過機械球磨充分混合后,利用無水乙醇調和進一步混合均勻;不銹鋼粉末包含質量分數為0.08%的C,0.5%的Si,1.46%的Mn,0.03%的P,0.005%的S,19%的Cr,9.5%的Ni,0.5%的Mo,余量為Fe。采用本發明的復合粉末進行激光修復后,修復層與基體間能夠形成致密的冶金結合,修復層組織中的晶粒細小均勻,無裂紋和氣孔等缺陷,能夠達到延壽和提高構件可靠性和安全性的目的,應用前景極其廣闊,經濟效益和社會效益顯著。
一種生產鋁包銅管的工藝及設備,以銅管、鋁帶為原料,在包覆焊接設備上將鋁帶包覆焊接在銅管外側形成鋁包銅管坯,在包覆焊接前對銅管進行矯直和磨刷處理,對鋁帶進行扒皮處理;將鋁包銅管坯送入拉拔設備中,采用帶有游動芯頭的模具至少拉拔兩個道次,使外層的鋁管與內層的銅管緊密貼合,形成鋁包銅管坯并纏繞收盤;對鋁包銅管坯進行退火處理,將鋁包銅管坯內腔放入發氣物質,將兩端頭密封,放入加熱爐中進行擴散退火,使鋁與銅冶金結合;采用帶有游動芯頭的模具對實現冶金結合的鋁包銅管進行再次拉拔,使其達到設計尺寸規整的形狀。本方法以鋁帶和銅帶為原料,利用了現有的結構簡單、易操作的設備,具有工藝步驟簡單、容易控制、生產效率高、成本低的優點。
一種檢測連鑄結晶器銅板局部熱流的方法,屬于冶金連鑄檢測技術領域。本方法基于專門設計的結晶器熱電偶埋設方案,將連鑄結晶器銅板溫度測量與結晶器傳熱實時計算方法相結合,實時反映連鑄生產中結晶器內的傳熱狀況,其主要步驟為:結晶器銅板熱電偶測點布置方案設計、結晶器銅板溫度在線檢測、結晶器銅板測點位置局部熱流計算、結晶器傳熱狀態實時計算。其優點是,在結晶器銅板的每個測點僅布置一只熱電偶即可獲得相應位置的局部熱流,熱電偶安裝和維護簡便;能夠在線得到結晶器銅板測點與非測點任意位置的局部熱流,為考察和監控結晶器內劇烈的熱交換過程提供全面的準確信息;方法同樣適用于方坯、圓坯或異性坯連鑄的結晶器熱流測量。
本發明涉及一種不用作動平衡的帶有中間段超大扭矩彈性聯軸器。該聯軸器包括兩個半聯軸節、兩個對接盤和膜片組,其改進在于:聯軸器還包括中間段、高強彈力圈和松緊裝置,兩個對接盤和兩個半連軸節通過螺栓安裝在中間段的兩端,對接盤與半連軸節的采用子口定位,膜片組為疊層膜片組,安裝在對接盤與中間段之間,對接盤的外側面還設有凹槽,凹槽內安裝高強彈力圈,半連軸節和中間段上都設有一圈向外凸出的凸臺,松緊裝置包括兩個松緊螺栓和一個長螺母,松緊裝置分為內接和外接式。本發明聯軸器具有傳遞功率扭矩大、使用壽命更長、配置范圍廣、裝卸簡單,適用于石油、化工、冶金、機械、環保、礦山、船舶、航天、引水工程、核電、軍事等領域。
本發明涉及冶金輔料精煉造渣脫硫劑鋁酸鈣的生產方法。利用工業廢渣資源制備造渣脫硫劑的方法,以粉煤灰為主要原料,配以碳酸鈉、熟石灰,混勻制粒;將制備的物料投入回轉窯燒結,燒結溫度950℃-1250℃,燒結時間30-50min,燒制成熟料;采用50-80g/L的氫氧化鈉稀堿液溶熟料;溶出的鋁酸鈉溶液按溶質凈含量摩爾比2:1加入氫氧化鈣,充分攪拌反應,對反應后的溶液進行過濾,過濾沉淀為鋁酸鈣,濾液為氫氧化鈉溶液,可重復使用;本發明一種利用工業廢渣資源制備造渣脫硫劑的方法,以粉煤灰為主要原料,生產冶金輔料精煉造渣脫硫劑——鋁酸鈣,擴大粉煤灰綜合利用規模的同時,提供高品質的鋁酸鈣精煉渣。
本發明一種多晶硅熔煉的復合式加熱方法及裝置屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域,特別涉及一種利用感應線圈和石墨加熱器復合加熱的方式熔煉多晶硅的方法及裝置。本方法同時采用感應加熱和輻射加熱兩種方式對加熱區進行復合式加熱,使硅料熔化并進行熔煉,通過拉錠裝置的運動使熔體脫離加熱區,實現定向凝固。該裝置由真空蓋、真空圓桶構成裝置的外殼,真空圓桶的內腔即為真空室,真空室內裝有進行感應加熱的感應線圈和進行輻射加熱的石墨加熱器。本發明有效地利用了感應加熱的高效性和輻射加熱的穩定性,保證了熔煉過程的穩定,減小了能耗,提高了加熱效率,且該方法簡單易行,適合大規模工業生產。
本發明涉及一種低鉻稀土合金鋼磨球材料。它是 采用控制鉻/碳比, 多元少量合金化方法強化含金的基體及碳化 物, 并根據磨球直徑大小的結構物理性能, 采用不同的配方, 使材 料性能既能滿足鍛造、軋制工藝條件要求, 又能提高材料的綜合 機械性能與耐磨性。以本發明材料制造的合金鋼磨球, 在高強度 下具有良好的沖擊韌性, 磨球性能為HRC≥60, ak≥10J/cm2, σb≥100kg/cm2, 本發明的材料, 還可以做為礦山、冶金、電力等各類機械的耐磨材料。
本發明所述的采用復合式彎輥液壓缸的帶鋼軋機,屬于冶金行業中的熱軋帶鋼設備。軋機的上、下工作輥通過上、下工作輥軸承座安裝在牌坊的中部。彎輥用的液壓缸安裝在上、下工作輥軸承座之間。其結構在于復合式彎輥液壓缸共有四臺,分別安裝在上、下工作輥軸承座之間固定塊的中心圓孔內,并可以上下浮動伸縮,固定塊把合在牌坊窗口的中部。復合式彎輥液壓缸缸體的上、下端分別裝有上壓板和下壓板組成油缸,里面裝有活塞桿和連接桿。工作時,上壓板頂住上工作輥軸承座,下壓板頂住下工作輥軸承座。本發明具有結構新穎、結構簡單緊湊、維修量小、換輥方便等特點,故屬于一種集經濟性與實用性為一體新型的采用復合式彎輥液壓缸的帶鋼軋機。
本發明屬于冶金提純技術領域,特別涉及一種增強合金化分凝提純多晶硅的方法。該方法首先對工業硅和原鋁進行清洗預處理,然后在氬氣保護下使原鋁完全熔化,之后向熔融的鋁液中加入工業硅,升溫至1100-1200℃進行合金化熔煉,完全熔化后加入金屬或金屬氧化物,保溫之后緩慢冷卻,硼化物和初晶硅先后析出并沉積在坩堝底部,將坩堝上部鋁硅熔體傾倒并貯存,最后對初晶硅進行無機酸處理,去除殘余金屬及硼化物,之后進行烘干處理,即可得到硼含量低的多晶硅。本發明在Si-Al合金提純的基礎上加入Fe、Ti、TiO2等微量金屬或金屬氧化物,從而達到去除硅中硼雜質,使硼含量達到滿足太陽能級硅的要求,實用性強,工業生產周期短,節能降耗環保,技術穩定,生產效率高。
本發明公開一種專用于激光修復不銹鋼表面微小裂紋的微納米復合粉末,包括重量百分比為3%?7%的納米WC,0.5%?2%的納米Al2O3,余量為微米級的不銹鋼粉末,微納米粉末通過機械球磨充分混合,然后利用無水乙醇調和后進一步混合均勻;不銹鋼粉末包含重量百分比為0.08%的C,0.5%的Si,1.46%的Mn,0.03%的P,0.005%的S,19%的Cr,9.5%的Ni,0.5%的Mo,余量為Fe。本發明提供的復合粉末適用于有高強韌性要求的不銹鋼零件表面微小裂紋的激光修復;激光修復后,復合粉末可與基材充分融合,修復層和基體的界面發生冶金結合,無裂紋、無夾雜,修復層中含有細小晶粒,提高修復層的致密性、斷裂性能。
本發明一種工業硅除硼的方法屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術將工業硅中的雜質硼去除的方法。該方法將工業硅料放入純度為99.9%以上的石英環中,在電子束作用下熔煉,利用高真空度將氧化硼去除。先將工業硅料放入石英環中;再將石英環放入水冷銅坩堝中,關閉真空裝置蓋。其所采用裝置由真空裝置蓋、真空圓桶構成裝置的外殼,真空圓桶內腔即為真空室??梢詫⒎帜禂递^大的硼用電子束熔煉去除,有效提高了多晶硅的純度,具有效率高、裝置簡單、節約能源的優點。
本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束高效、連續熔煉提純多晶硅的方法,先通過電子束在坩堝中形成穩定的高純硅熔池,然后將需提純硅粉通過進料真空閘室連續落入熔池,快速熔化后熔煉,從而去除硅粉中的雜質磷,得到的低磷硅液周期性地從坩堝中溢出,在水冷傾斜銅槽中形成硅塊,并落入收集筒中冷卻,最后通過出料真空閘室連續出料,完成連續提純多晶硅的工藝過程。本發明采取連續加料和連續出料的熔煉方式,采用電子束熔煉多晶硅可去除飽和蒸汽壓高的揮發性雜質磷,達到高效、連續熔煉除雜的目的,純度達到了太陽能級硅的使用要求,技術穩定,能耗小,成本低,生產效率高,適合大規模工業化生產。
冷硬鑄鐵軋輥鑄滲工藝屬于鑄造工藝。針對已有工藝存在的缺點,本發明選用對白口 不敏感的軟質鐵水,在冷型內壁噴涂含Te涂料。澆注 后Te熔化并被攜帶、擴散進入輥面一定深度。調整含 Te量則可調整白口深度及麻口大小,同時硬面含有 100~600ppm的Te可促進輥面充分白口化,把輥面 硬度提高到HS72-78。本方法適用于橡膠機軋輥,可顯著提高軋輥的 承載能力、耐磨性。對其它非冶金類軋輥亦有明顯效 果。
本發明涉及一種雙金屬自潤滑軸承材料的制造方法,包括如下步驟:粉體混合:將一定比例的Cu、Sn、Pb混合純金屬粉末和占所述混合純金屬粉末總質量的5~10%的石墨粉在混料機上進行均勻混合;將其涂覆于鋼板、不銹鋼板或青銅板上進行二次燒結:即首先在高于錫粉熔點但低于銅合金燒結溫度的溫度進行瞬間液相燒結;其間,銅粉之間形成有限連接,錫銅之間形成固溶體,鉛粉以單獨鉛質點分布于銅錫固溶體晶界或枝晶網胞間,并使原來錫粉和鉛粉位置形成了空缺,石墨分布其中;繼而按銅合金的燒結溫度進行第二次燒結;精軋退火制成雙金屬自潤滑軸承材料。其產品性能穩定可靠,廣泛應用于水輪機導葉軸承、水工金屬結構、冶金設備等機械行業。
本發明涉及一種金屬復合材料,特別是一種鋼包鋼復合材料,由包覆不銹鋼和碳鋼芯體組成,線材直徑為0.08-10.0mm;是將不銹鋼包覆在碳鋼上制成復合坯料,然后用拉絲機在不同的速度和減徑率條件下,經多道次拉絲模拉拔,使不銹鋼、碳鋼界面通過冶金結合成為所需尺寸的復合材料。本發明彌補了不銹鋼和碳鋼所無法涉及到的領域,同時也填補了國內一項在探索解決不銹鋼資源緊張問題上的一項空白,也解決了以往產品價格高,環境污染嚴重等技術問題,滿足了人們對復合材料的需求。
一種原位顆粒增強鎂基復合材料的電磁/超聲制備方法,屬于冶金技術領域,公開一種用電磁連鑄技術制備鎂基復合材料的方法。其特征是熔煉添加微合金化元素CA、稀土Y、稀土CE的鎂基熔體;選擇AL-TI-C或AL-TI-B增強體系,采用自蔓延高溫合成法原位合成含增強顆粒的鎂基復合材料熔體,對鎂基復合材料熔體施加電磁/超聲復合攪拌;最后采用連鑄工藝將鎂基復合材料熔體連鑄成型,并且在結晶器范圍內施加電磁場和超聲場,獲得多相增強鎂基復合材料連鑄坯。本發明的效果和益處是將復合材料自蔓延反應法與電磁連續鑄造技術、超聲波技術有機地結合,得到表面光潔、顆粒增強相在基體中均勻分布、增強體與基體結合良好的鎂基復合材料連鑄坯,制備工藝簡單。
本發明局部蒸發去除多晶硅中硼的方法及裝置屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術將多晶硅中的雜質硼去除的方法和裝置。該方法用電子束對石墨坩堝中的多晶硅進行局部熔煉,將液態硅蒸發到石墨坩堝上方的沉積板上,收集沉積在沉積板上多晶硅的方法;該裝置由真空蓋、真空圓桶構成裝置的外殼,真空圓桶的內腔即為真空室,真空室內裝有熔煉系統,熔煉系統由電子槍、石墨坩堝、水冷銅托盤組成。該方法工藝簡單,能耗低,環境污染小,提純精度高;技術穩定,有利于大規模生產。
一種利用紅焦高溫熱能生產金屬化球團的裝置和方法,屬于冶金工程、節能環保領域。該裝置包括可燃氣體燃燒單元、煙氣凈化單元,含碳球團直接還原單元、焦炭以及含碳球團混合儲存室、水冷壁冷卻單元、排料運輸以及磁選分離單元;可燃氣體燃燒單元和煙氣凈化單元連接,可燃氣體燃燒單元依次連接有含碳球團直接還原單元、焦炭以及含碳球團混合儲存室、水冷壁冷卻單元;水冷壁冷卻單元下方設置有排料運輸以及磁選分離單元。該方法在含碳球團直接還原單元、焦炭以及含碳球團混合儲存室進行含碳球團的直接還原,再進行冷卻、排料、磁選,從而得到金屬化球團。該方法解決了鋼鐵冶金長流程能耗高,高溫物料余熱利用低,濕法熄焦能量浪費、環境污染的問題。
本發明公開了一種低溫煅燒制備冶金結合的錫包覆鎢粉末的方法。具體步驟是,首先配置熔化溫度低于300℃的混合堿;然后,按照質量份數將100份鎢粉、5‐20份錫粉和5‐50份混合堿置于球磨機中,加少量蒸餾水濕潤,混合均勻后,得到混合粉;再在保護性氣氛下,將干燥的混合粉于300‐750℃溫度條件下,煅燒至錫和混合堿均充分熔化;最后將產物冷卻,用蒸餾水清洗至中性,過濾干燥,獲得錫包覆鎢粉末。本發明用混合堿作為釬劑煅燒鎢錫粉末,可以使鎢錫之間達到冶金結合,脫除了金屬表面的氧化物,大大降低粉末中氧含量。所提供的制備錫包覆鎢顆粒方法,條件溫和、簡單易控。
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