本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅領域。一種電子束淺熔池熔煉提純多晶硅的方法,先將需提純的大塊高磷、高金屬多晶硅錠置于水冷升降托盤之上,后通過電子束熔化硅錠的頂部,熔化的硅熔液在由硅錠頂部、水冷銅套以及石墨套環形成的空間內形成淺熔池,熔煉一定時間后,去除雜質磷,此后升高水冷升降托盤,低磷硅熔液液面升高后通過導流口流入石英坩堝中,在保溫作用下向下拉錠,進行定向凝固生長,金屬雜質向硅錠頂部富集,凝固后切除硅錠頂部,去除金屬雜質。本發明綜合電子束淺熔池熔煉和定向凝固去除硅中的雜質磷和金屬。多晶硅的純度達到太陽能級硅的使用要求,節約能源,工藝簡單,生產效率高,適合批量生產。
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