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等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)是一種利用輝光放電(等離子體)反應生成含有氣態物質的薄膜的薄膜生長技術。該系統由高功率射頻電源、真空系統、管式爐組成，配備噴淋塔、活性炭箱，滿足尾氣處理的需要。該設備是為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，反應氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化，從而大大提高了反應物的活性
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這款CVD管式爐廣泛用于樣品在真空和氣氛條件下的燒結、涂層、納米管研究、釬焊、退火等實驗，適用于高校、研究機構實驗室和工礦企業進行CVD工藝的科研和實驗。
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主要用于稀土制備、電子照明、晶體退火、生物陶瓷、電子陶瓷、特種合金、磁性材料、精密鑄造、金屬熱處理等工業真空燒結、保護氣氛燒結、CVD實驗、真空沉積、材料成分測定場合。
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這款CVD爐可用于碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。
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適用于粉體材料的表面薄膜沉積，在超大規模集成電路、光電器件、MEMS等領域具有廣泛的應用。
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PECVD等離子氣相沉積設備是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜, 該系統主要用于金屬粉末鍍膜。
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CVD 管式爐系統由：管式爐加熱區系統，質子流量計供氣系統，真空系統和氣體定量系統組成。適用于 CVD 工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基 片導電率測試、ZnO 納米結構的可控生長、陶瓷電容 (MLCC) 氣氛燒結等實驗。
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該pecvd設備是由管式爐真空泵和六通道質量流量計氣體流動系統組成的。它可以混合1-6種氣體用于PECVD或擴散。
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整套體系可在真空/氣氛保護環境下工作。 收放卷機構轉速從1~400mm/min可調,機構采用反饋調節，可自動糾正轉速偏差，保證樣品的速度穩定不走樣。
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該PECVD管式爐度范圍寬；濺射區域長；整管可調；精致小巧，性價比高，可實現快速升降溫，是實驗室生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等的理想選擇，也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。
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主要用于TaC、HfC等物料及其復合碳化物等超高熔點涂層化學氣相沉積制備工藝研究。
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滑道式PECVD系統由PT-1200T管式爐加熱系統、真空系統、質量流量計供氣系統、等離子射頻電源系統組成。廣泛應用于沉積高質量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）等。
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廣泛應用于沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）、石墨烯材料等。
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KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S石墨烯生長爐是一種特殊的CVD系統，是專門為在金屬箔（像銅箔、鋁箔等）上生長薄膜而設計，廣泛應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究上，特別適用于碳納米管、碳納米線、石墨烯的生長。
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KJ-T1200-S6012LK1-3FH5S型高溫真空CVD設備由KJ-T1200滑動式快速退火管式爐+真空系統+供氣系統組成 ，最高溫度可以達到1200度,可以是單溫區、雙溫區、三溫區等，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統是流量調節可以是質子流量計或浮子流量計，混氣路數可以是2路、3路、4路、5路相混合，可以對多種氣體進行準確的混氣，然后導入到管式爐內部。爐管兩端安裝真空法蘭，可以通過選配真空泵組來實現更高的真空度。爐底安裝一對滑軌，可用手動滑動。為取得最快加熱，可以預先加熱爐子到設定的溫度，然后移動爐子到樣品位置。
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該系統廣泛用于各種反應溫度在1100℃左右的CVD實驗，如半導體工業中沉積薄膜材料，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數金屬材料和金屬合金材料、二維材料等，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。是高校、科研院所、工礦企業做高溫氣氛燒結、氣氛還原、CVD實驗、真空退火用的理想產品。
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該設備可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應用于刀具、高精模具、硬質涂層、高端裝飾等領域。
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