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該設備是一款帶有預熱系統的滑動PECVD系統。該系統包含等離子射頻電源，預熱爐，滑動式管式爐，4通道質量流量供氣系統和旋片泵組成。 PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜，可用于生長納米或CVD方法來制作各種薄膜。
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科佳高真空PECVD設備由管式爐、真空系統、氣體供應系統、射頻電源系統等組成。通過射頻電源將石英真空室中的氣體改變為離子狀態，等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。該系統主要用于金屬薄膜、陶瓷薄膜、復合薄膜、石墨烯等的生長。
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該立式雙溫區CVD系統主要由：1200度雙溫區管式爐、3通道質量流量計供氣系統、2L/S抽速真空泵及相關連接件組成;設備下方加裝定向輪和萬向輪，設備整體占地尺寸小并可靈活移動。該設備適用于CVD工藝，主要用于大學，研究中心和生產企業進行氣相沉積相關的實驗與生產。
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科佳公司研制開發了碳納米管、納米線連續生長專用設備，該設備由氣流控制系統、注液系統、多級溫控多區生長系統、水冷系統、碳納米管等組成。碳納米管生長爐最高工作溫度為1400℃，可在0-1400℃之間連續調節，熱場垂直分布，兩點控溫。設備頂部設有注液口和導流件。這種碳納米管/薄膜CVD設備可以實現連續和不間斷生長。
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KJ-T1200-S60LC-H2石墨烯制備機是由KJ-T1200開啟式滑軌管式爐、真空系統、質量流量計氣路系統、等離子電源系統組成?？蛇m用于石墨烯生長等。
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KJ-T1200CVD是一種管式爐，配備60mm直徑的高純石英爐管、真空泵和四通道質量流量計+一個浮子流量計氣體流動系統。它可以混合1-4種氣體用于CVD或擴散。
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六通道高真空PECVD系統是一款由1200度管式爐，等離子射頻電源，分子泵高真空，六通道氣路等組成的等離子化學氣相沉積系統，加熱腔體采用氧化鋁纖維制品，其極低的熱導率和比熱容，保證了爐膛的快速升溫和低蓄熱，特別適合于科研單位的材料工藝研究。該等離子化學沉積系統廣泛應用于沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管(CNT)、石墨烯材料等。也可可應用于納米材料生長，石墨烯生成、金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復合薄膜等各種薄膜等，可制備出高質量的透明導電膜,用作手機觸摸屏
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該設備主要用于石墨稀、納米材料工藝涂層、多晶硅、碳化硅、擴散、氧化、退火等工藝。
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KJ-MZ1700-12LX帶攪拌功能升降式爐主要應用于院校實驗室、工礦企業實驗室，供化學分析、物理測定以及金屬、陶瓷等的燒結和溶解，小型鋼件等加熱、焙燒、熱處理用。
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這款底部裝料馬弗爐工作溫度≤1600℃。緊湊型爐腔設計，帶升降托盤，爐底可升降。該高溫箱式升降爐是研究實驗室中進行材料退火和燒結的理想設備。
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供企業實驗室、科研單位作樣品分析測定、氧化鋁制品、粉末冶金、納米材料的燒結。玻璃、晶體的精密退火、金屬零件淬火、退火、回火等需快速升溫工藝要求的熱處理。
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該款箱式馬弗爐各項指標均達到了標準水平，主要應用于院校實驗室、工礦企業實驗室，供化學分析、物理測定以及金屬、陶瓷等的燒結和溶解，應用于電子元件、粉末冶金、磁性材料等產品的排膠、預燒和燒成，也可用于其它材料的熱處理工藝等。
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科佳KJ-M1700-96LZ 1700℃大型智能一體馬弗爐溫控系統與爐體集成在一體，結構緊湊，外形美觀大方，操作方便，使用穩定可靠；爐膛采用新型陶瓷纖維材料，升溫快、保溫好、輕質節能；產品采用智能控制，以微處理器作為控制中心，PID控制算法和自適應控制技術，能夠智能控制預加熱溫度。液晶顯示屏，全中文顯示數據和進程。
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KJ-MZ1700-12LX系列升降式箱式爐主要應用于院校實驗室、工礦企業實驗室，供化學分析、物理測定以及金屬、陶瓷等的燒結和溶解，小型鋼件等加熱、焙燒、熱處理用。
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KJ-M1400-S1400℃升降式雙推車鐘罩爐適用于適用于金屬材料的熱處理工藝，電子元件、粉末冶金、磁性材料等產品的排膠、預燒和燒成、淬火、回火。院校實驗室、工礦企業實驗室，供化學分析、物理測定以及金屬、陶瓷等的燒結和熔解等。
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該設備可安裝于支架上，與其它設備共同組成自動化生產線，亦可單獨作為鐘罩爐使用，適用于工礦企業對金屬、陶瓷、高分子材料等進行加熱、燒結、熱處理等自動化工藝。
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