設備介紹
PECVD系統是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜, 該系統廣泛應用于沉積SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管(CNT)、
石墨烯材料等。
工作原理
PECVD技術是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上(即樣品放置的托盤)產生輝光放電，利用輝光放電(或另加發熱體)使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的工藝氣體，這些氣體經一系列化學反應和等離子體反應，最終在樣品表面形成固態薄膜。在反應過程中，反應氣體從進氣口進入爐腔，逐漸擴散至樣品表面，在射頻源激發的電場作用下，反應氣體分解成電子、離子和活性基團等。這些分解物發生化學反應，生成形成膜的初始成分和副反應物，這些生成物以化學鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態膜的晶核，晶核逐漸生長成島狀物，島狀物繼續生長成連續的薄膜。在薄膜生長過程中，各種副產物從膜的表面逐漸脫離，在
真空泵的作用下從出口排出。其工藝原理示意圖如圖1所示。
PECVD設備工作原理示意圖
基本結構
PECVD設備主要由真空和壓力控制系統、淀積系統、氣體及流量控制、系統安全保護系統、計算機控制等部分組成。其設備結構框圖如下圖所示。
PECVD結構示意圖
產品優勢
1、加熱元件采用摻鉬合金加熱絲，爐膛保溫保溫材料采用
氧化鋁陶瓷纖維材料，保溫性能好，耐用，拉伸強度高，無雜球，純度高，節能效果明顯。
2、整個爐體采用雙層內膽式結構，中間有氣隙隔離，即使爐膛溫度高達1200℃，爐體表面仍然可以安全觸摸無滾燙感覺。
3、爐膛采用節能材料制作，整機能耗僅僅只有同等傳統電爐的1/3，節能環保。
4、爐體配有：輸出電壓和輸出電流監測表，爐子加熱狀態一目了。
5、超溫報警并斷電，漏電保護，操作安全可靠具有多重防護功能。
技術參數
產品名稱 管式PECVD系統
滑道管式爐部分
產品型號 KJ-T1200
加熱區長度 300mm(其他尺寸可根據客戶需求定制)
爐管尺寸 直徑120*1600mm(其他尺寸可根據客戶需求定制)
工作溫度 ≦1100℃
最高溫度 1200℃
測溫元件 N型熱電偶
溫控系統 30段PID微電腦可編程自動控制
保溫溫控精度 ±1℃
溫控保護 具有超溫和斷偶保護功能
升溫速率 0-10℃/min
加熱元件 電阻絲
爐膛材料 采用多晶纖維爐膛材料，材料保溫性能好、反射率高、溫場均衡
密封系統 該爐爐管與法蘭之間采用O型圈擠壓密封、撤卸方便、可重復撤卸，氣密性好
爐 管 高純石英管
法 蘭 304不銹鋼密封法蘭，已安裝機械壓力表和不銹鋼截止閥，方便拆卸，放取材料
爐體結構 厚鋼板雙向滑軌，可實現管式爐移動，達到快速升溫和降溫
真空系統部分
名稱 旋片泵
主要參數 極限真空度10Pa(包含KF25接口、真空擋板閥和可移動箱體)
真空顯示 電阻數顯真空計，顯示范圍標準大氣壓--10-1pa
氣路系統部分
名稱 四路質量流量計
氣路 四路
流量控制 數字顯示，每路氣體含有針閥單獨控制，氣體流量自動控制
進出氣口 四進一出，內置精密混氣罐
鏈接方式 雙卡套接頭
流量范圍 MFC1-MFC4：0-500sccm(量程可選)
控制精度 ±1.5%F.S左右，量程不同，略有差別
等離子射頻器部分
名稱 射頻自動匹配器
匹配功率范圍 0-500W
工作頻率 13.56MHZ+0.005%
正常工作反射功率 <3W
匹配時間 <3S
傳輸效率 >90%
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湖南 - 長沙
2025年08月07日 ~ 09日
