設備介紹
該pecvd設備是由管式爐
真空泵和六通道質量流量計氣體流動系統組成的。它可以混合1-6種氣體用于PECVD或擴散。該PECVD管式爐通過射頻電源將石英真空室中的氣體改變為離子狀態,等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。該系統主要用于金屬薄膜、陶瓷薄膜、復合薄膜、
石墨烯等的生長。
產品優勢
更好的沉積效率
PECVD比普通CVD具有更高的化學氣相沉積速率、更好的均勻性、一致性和穩定性
所需溫度更低
PECVD對于化學氣相沉積需要比普通CVD更低的溫度
成品質量好
具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優點
技術參數
型號 KJ-PECVD-LM
管式爐部分
Display 觸摸屏
連續工作溫度.
≤1100℃第一溫區
≤1100℃第二溫區
≤1600℃第三溫區
升溫速率 建議: 0~10℃/min
溫區 220mm+220mm+220mm
(其他尺寸可根據客戶需求定制)
加熱元件 硅碳棒和硅鉬棒
熱電偶 N型和B型
溫度控制精度 ±1℃
爐管尺寸 直徑:80 *長度:1600mm
(其他尺寸可根據客戶需求定制)
溫度控制 通過SCR功率控制的PID自動控制
傾斜功能 0-15度
(不建議在1100C溫度下使用傾斜功能,因為硅鉬棒加熱元件可能容易損壞。高溫時會變軟,請注意。)
加熱曲線 30步可編程
真空法蘭
帶閥門的不銹鋼真空法蘭
右側法蘭為滑動式。
法蘭應為水冷式。
等離子射頻
功率范圍 0-300W(連續可調)
控制模式 手動
工作頻率 13.56MHz
報警保護 直流過載保護、直流/放大器過熱保護、反射功率保護、匹配超時保護
射頻輸出阻抗接口(50Ω) N型
功率穩定性 ≤ 1 W
最大反射功率 200 W
真空泵系統
分子泵系統 極限真空:6.7*10-3Pa。包括數字真空計
質量流量計(LCD觸摸屏) 六個精密質量流量計:MFC精度為:±1.5%F.S。
17MHZ超聲波霧化
配超聲波霧化器,液體可霧化成液體顆粒并引入管式爐。
?液體罐標配不銹鋼,并用氟橡膠密封件密封;
?霧化量大小可控制;
液體注入系統
?一套用于自動液體供給的標準液體注入泵
?注射泵配有注射器,用于容納液體;
?注射泵速度可調節
水冷卻器 用于冷卻水冷法蘭和真空泵。