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整套體系可在真空/氣氛保護環境下工作。 收放卷機構轉速從1~400mm/min可調,機構采用反饋調節，可自動糾正轉速偏差，保證樣品的速度穩定不走樣。
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該PECVD管式爐度范圍寬；濺射區域長；整管可調；精致小巧，性價比高，可實現快速升降溫，是實驗室生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等的理想選擇，也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。
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主要用于TaC、HfC等物料及其復合碳化物等超高熔點涂層化學氣相沉積制備工藝研究。
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滑道式PECVD系統由PT-1200T管式爐加熱系統、真空系統、質量流量計供氣系統、等離子射頻電源系統組成。廣泛應用于沉積高質量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）等。
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廣泛應用于沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管（CNT）、石墨烯材料等。
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KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S石墨烯生長爐是一種特殊的CVD系統，是專門為在金屬箔（像銅箔、鋁箔等）上生長薄膜而設計，廣泛應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究上，特別適用于碳納米管、碳納米線、石墨烯的生長。
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KJ-T1200-S6012LK1-3FH5S型高溫真空CVD設備由KJ-T1200滑動式快速退火管式爐+真空系統+供氣系統組成 ，最高溫度可以達到1200度,可以是單溫區、雙溫區、三溫區等，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統是流量調節可以是質子流量計或浮子流量計，混氣路數可以是2路、3路、4路、5路相混合，可以對多種氣體進行準確的混氣，然后導入到管式爐內部。爐管兩端安裝真空法蘭，可以通過選配真空泵組來實現更高的真空度。爐底安裝一對滑軌，可用手動滑動。為取得最快加熱，可以預先加熱爐子到設定的溫度，然后移動爐子到樣品位置。
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該系統廣泛用于各種反應溫度在1100℃左右的CVD實驗，如半導體工業中沉積薄膜材料，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數金屬材料和金屬合金材料、二維材料等，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結等實驗。是高校、科研院所、工礦企業做高溫氣氛燒結、氣氛還原、CVD實驗、真空退火用的理想產品。
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該設備可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應用于刀具、高精模具、硬質涂層、高端裝飾等領域。
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箱式化學氣相沉積系統采用爐體和智能控制一體化設計，整個爐體美觀、大方。PID可編程序智能控溫，移相觸發，爐膛采用氧化鋁多晶體纖維材料，雙層爐殼間配有風冷循環系統，爐門底部升降，節能安全?；瘜W氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積薄膜材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數金屬材料和金屬合金材料、二維材料等，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。
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定制流化床CVD系統，由真空立式管式爐、供氣系統、真空系統、真空測量系統組成。該系統以硅碳棒為加熱元件，采用雙層殼體結構和30段程序控溫儀表，移相觸發、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料，爐管兩端用不銹鋼法蘭密封，不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表，真空泵接口，具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節能等優點。該立式CVD管式爐廣泛應用于半導體工業中沉積薄膜材料，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數金屬材料和金屬合金材料、二維材料等
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該系統是一個特殊的雙管CVD系統,是專門為在金屬箔上生長薄膜而設計,特別是應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究。爐底部裝有滑軌，可通過滑動爐子可以實現物料的快速加熱和冷卻。該cvd高溫爐廣泛應用于半導體工業中沉積薄膜材料，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數金屬材料和金屬合金材料、二維材料等，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。
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KJ-T1200-S60K-4C型四路高溫真空CVD設備由KJ-T1200滑動式快速退火管式爐+真空系統+供氣系統組成 ，最高溫度可以達到1200度，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統是流量調節可以是質子流量計，可以對多種氣體進行準確的混氣，然后導入到管式爐內部?？焖偻嘶馉t爐管兩端安裝真空法蘭，真空度用分子泵可以到10-5Torr，機械泵可到10-3Torr。爐底安裝一對滑軌，可用手動滑動。加為取得最快加熱，可以預先加熱爐子到設定的溫度，然后移動爐子到樣品位置。為獲得最快冷卻，可在樣品加熱后移動爐子到另一端，是低成本快速熱處理的理想爐子。
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該設備由蒸發器、混合器和反應器組成。采用氧化鋁纖維耐火材料。設備技術成熟、質量可靠，溫場均勻，結構合理，30段可編程溫控系統，氣路選用液晶屏觸摸界面，使得操作異常簡單、方便設置各項技術參數。該CVD高溫爐廣泛應用于半導體工業中，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數金屬材料和金屬合金材料等的鍍膜，該CVD鍍膜設備可在目標材料表面形成密集的HfCl4涂層.適用于各大高校材料實驗室、科研院所、環?？茖W等領域。
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KJ-T1200 CVD是一種管式爐，配備100mm直徑石英管、真空泵和五通道質量流量計氣體流動系統。 它可以混合1-5種氣體用于CVD或擴散。該CVD高溫管式爐主要用于大學，科研機構和生產企業進行氣相沉積相關的實驗與生產。
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KJ-CVD 是一種分體式管式爐，配備 60mm 直徑的石英管、真空泵和四通道質量流量計氣體流動系統。 可混合1-6種氣體進行CVD?？頒VD生長系統適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。
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該高溫化學氣相沉積系統的工作溫度為300℃至1600℃，配備真空泵，氣體混合裝置。采用溫度控制系統，高溫精度，出色的氣體流量精度，易于操作，出色的隔熱效果和溫度均勻性。 主要用于大學，科研機構和生產企業進行氣相沉積相關的實驗與生產。
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該設備是一款帶有預熱系統的滑動PECVD系統。該系統包含等離子射頻電源，預熱爐，滑動式管式爐，4通道質量流量供氣系統和旋片泵組成。 PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜，可用于生長納米或CVD方法來制作各種薄膜。
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科佳高真空PECVD設備由管式爐、真空系統、氣體供應系統、射頻電源系統等組成。通過射頻電源將石英真空室中的氣體改變為離子狀態，等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。該系統主要用于金屬薄膜、陶瓷薄膜、復合薄膜、石墨烯等的生長。
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該立式雙溫區CVD系統主要由：1200度雙溫區管式爐、3通道質量流量計供氣系統、2L/S抽速真空泵及相關連接件組成;設備下方加裝定向輪和萬向輪，設備整體占地尺寸小并可靈活移動。該設備適用于CVD工藝，主要用于大學，研究中心和生產企業進行氣相沉積相關的實驗與生產。
2025年09月12日 ~ 14日 
2025年08月21日 ~ 23日 
2025年08月19日 ~ 21日 
2025年08月18日 ~ 20日 
2025年08月15日 ~ 17日 
