設備介紹
箱式化學氣相沉積系統采用爐體和智能控制一體化設計,整個爐體美觀、大方。PID可編程序智能控溫,移相觸發,爐膛采用
氧化鋁多晶體纖維材料,雙層爐殼間配有風冷循環系統,爐門底部升降,節能安全?;瘜W氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成涂層或
納米材料的方法,是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積薄膜材料的技術,包括大范圍的絕緣材料,以及大多數金屬材料和金屬合金材料、二維材料等,如
碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。 該系列產品可廣泛用于高等院校、科研單位、工礦企業進行:高溫實驗、材料燒結、成分分析,質量檢測等熱處理工作。
產品優勢
工作溫度可選
不同的加熱元件達到最高1200℃、1400℃、1700℃,溫場均衡,可根據需求選擇溫度
適用范圍廣
是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積薄膜材料的技術,包括大范圍的絕緣材料,以及大多數金屬材料和金屬合金材料、二維材料等
可設置30段升降溫程序
控溫系統采用PID方式調節,可以設置30段升降溫程序,移相觸發,控溫精度可以達到±1℃
技術參數
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