設備介紹
該設備由蒸發器、混合器和反應器組成。采用
氧化鋁纖維耐火材料。設備技術成熟、質量可靠,溫場均勻,結構合理,30段可編程溫控系統,氣路選用液晶屏觸摸界面,使得操作異常簡單、方便設置各項技術參數。該CVD高溫爐廣泛應用于半導體工業中,包括大范圍的絕緣材料,以及大多數金屬材料和金屬合金材料等的鍍膜,該CVD鍍膜設備可在目標材料表面形成密集的HfCl4涂層.適用于各大高校材料實驗室、科研院所、環??茖W等領域。
產品優勢
PID控溫系統
控溫系統采用PID方式調節,可以設置30段升降溫程序,控溫精度可以達到±1℃
觸屏操作方式
氣路選用液晶屏觸摸界面,使得操作異常簡單、方便設置各項技術參數
專利技術法蘭
專利技術快接法蘭,帶閥門和相關接口,拆裝方便,可抽真空充保護氣體至微正壓
技術參數
產品名稱 CVD系統
產品型號 KJ-T1600-CVD
第一部分: 定制坩堝爐(蒸發系統)
使用溫度 超過500℃
工作區尺寸 Φ150 x H320mm(不銹鋼內膽的有效尺寸)
(其他尺寸可根據客戶需求定制)
坩堝 不銹鋼材質,形式及具體要求可定制
加熱元件 電阻絲
升溫速率 0-10°C/min
漏率 20Pa/min
第二部分:定制小管式爐(混氣系統)
使用溫度 超過500℃
工作區尺寸 Φ150 x H200mm(不銹鋼內膽尺寸)
(其他尺寸可根據客戶需求定制)
混氣罐 不銹鋼
加熱元件 電阻絲
漏率 20Pa/min
第三部分 1600度管式爐(反應器)
最高溫度 1600℃
長期工作溫度 1500℃
爐管尺寸 OD100/ID90,加熱區300mm
(其他尺寸可根據客戶需求定制)
爐管材質 高純氧化鋁管
加熱元件 硅鉬棒
漏率 20Pa/min
真空度 抽真空度到-7*10-3Pa
壓力范圍不超過0.02MPa
更多參數可根據需求定制