設備介紹
該系統是一個特殊的雙管CVD系統,是專門為在金屬箔上生長薄膜而設計,特別是應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究。爐底部裝有滑軌,可通過滑動爐子可以實現物料的快速加熱和冷卻。該cvd高溫爐廣泛應用于半導體工業中沉積薄膜材料,包括大范圍的絕緣材料,以及大多數金屬材料和金屬合金材料、二維材料等,如
碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。
產品優勢
可快速加熱和冷卻
爐底部裝有滑軌,可通過滑動爐子可以實現物料的快速加熱和冷卻
30段高精度可編程溫控
控溫系統采用PID方式調節,30段高精度數字可編程溫度控制器
雙溫區獨立控溫
雙溫區獨立控溫,可以在加熱區內形成溫度梯度或較長的恒溫區域
技術參數
產品名稱 1200℃雙管滑道式CVD系統
第一部分: 1200度滑道雙管雙溫區管式爐
產品型號 1200度滑道管式爐
爐管尺寸:
雙石英管
外管:OD 100 x ID 96 x 1400 mm
內管:OD 80 x ID 75 x 1800 mm
(其他尺寸可根據客戶需求定制)
加熱區 220+220mm(其他尺寸可根據客戶需求定制)
加熱元件 電阻絲
升溫速率 0-10°C/min
熱電偶 N型
第二部分: 水冷系統
法蘭:
1.可選配水冷機
2.水冷,密封雙管的真空法蘭:允許反應氣體通過兩管之間(10mm間隙)發生反應,冷卻氣體直接通入內管.
第三部分 真空系統
真空系統
1. 防腐數顯真空計
2.旋片泵,含擋板閥 KF25接口,波紋管和箱體
第四部分 混氣系統
質量流量計
量程:
MFC 1: 0~10 sccm
MFC 2: 0~200 sccm
MFC 3: 0~10 slm
MFC 3: 0~10 slm