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鄭州卓泰檢測設備有限公司是一家專注于光學檢測設備研發與生產的高新技術企業，其推出的臺式三目倒置金相顯微鏡4XC-TV，憑借卓越的性能和人性化設計，成為材料分析領域的重要工具。該設備集光學成像、數字處理與精密機械于一體，可廣泛應用于金屬、陶瓷、半導體等材料的微觀組織觀察與缺陷檢測，為科研與工業質量控制提供可靠支持。
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箱式化學氣相沉積系統采用爐體和智能控制一體化設計，整個爐體美觀、大方。PID可編程序智能控溫，移相觸發，爐膛采用氧化鋁多晶體纖維材料，雙層爐殼間配有風冷循環系統，爐門底部升降，節能安全?；瘜W氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成涂層或納米材料的方法，是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積薄膜材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數金屬材料和金屬合金材料、二維材料等，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。
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定制流化床CVD系統，由真空立式管式爐、供氣系統、真空系統、真空測量系統組成。該系統以硅碳棒為加熱元件，采用雙層殼體結構和30段程序控溫儀表，移相觸發、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶纖維材料，爐管兩端用不銹鋼法蘭密封，不銹鋼法蘭上安裝有氣嘴、閥門和壓力表，真空泵接口，具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節能等優點。該立式CVD管式爐廣泛應用于半導體工業中沉積薄膜材料，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數金屬材料和金屬合金材料、二維材料等
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該系統是一個特殊的雙管CVD系統,是專門為在金屬箔上生長薄膜而設計,特別是應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究。爐底部裝有滑軌，可通過滑動爐子可以實現物料的快速加熱和冷卻。該cvd高溫爐廣泛應用于半導體工業中沉積薄膜材料，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數金屬材料和金屬合金材料、二維材料等，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。
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KJ-T1200-S60K-4C型四路高溫真空CVD設備由KJ-T1200滑動式快速退火管式爐+真空系統+供氣系統組成 ，最高溫度可以達到1200度，極限真空可以達到10-3Pa，供氣系統是流量調節可以是質子流量計，可以對多種氣體進行準確的混氣，然后導入到管式爐內部?？焖偻嘶馉t爐管兩端安裝真空法蘭，真空度用分子泵可以到10-5Torr，機械泵可到10-3Torr。爐底安裝一對滑軌，可用手動滑動。加為取得最快加熱，可以預先加熱爐子到設定的溫度，然后移動爐子到樣品位置。為獲得最快冷卻，可在樣品加熱后移動爐子到另一端，是低成本快速熱處理的理想爐子。
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該設備由蒸發器、混合器和反應器組成。采用氧化鋁纖維耐火材料。設備技術成熟、質量可靠，溫場均勻，結構合理，30段可編程溫控系統，氣路選用液晶屏觸摸界面，使得操作異常簡單、方便設置各項技術參數。該CVD高溫爐廣泛應用于半導體工業中，包括大范圍的絕緣材料，以及大多數金屬材料和金屬合金材料等的鍍膜，該CVD鍍膜設備可在目標材料表面形成密集的HfCl4涂層.適用于各大高校材料實驗室、科研院所、環?？茖W等領域。
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KJ-T1200 CVD是一種管式爐，配備100mm直徑石英管、真空泵和五通道質量流量計氣體流動系統。 它可以混合1-5種氣體用于CVD或擴散。該CVD高溫管式爐主要用于大學，科研機構和生產企業進行氣相沉積相關的實驗與生產。
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KJ-CVD 是一種分體式管式爐，配備 60mm 直徑的石英管、真空泵和四通道質量流量計氣體流動系統。 可混合1-6種氣體進行CVD?？頒VD生長系統適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。
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該高溫化學氣相沉積系統的工作溫度為300℃至1600℃，配備真空泵，氣體混合裝置。采用溫度控制系統，高溫精度，出色的氣體流量精度，易于操作，出色的隔熱效果和溫度均勻性。 主要用于大學，科研機構和生產企業進行氣相沉積相關的實驗與生產。
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該設備是一款帶有預熱系統的滑動PECVD系統。該系統包含等離子射頻電源，預熱爐，滑動式管式爐，4通道質量流量供氣系統和旋片泵組成。 PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜，可用于生長納米或CVD方法來制作各種薄膜。
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科佳高真空PECVD設備由管式爐、真空系統、氣體供應系統、射頻電源系統等組成。通過射頻電源將石英真空室中的氣體改變為離子狀態，等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。該系統主要用于金屬薄膜、陶瓷薄膜、復合薄膜、石墨烯等的生長。
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該立式雙溫區CVD系統主要由：1200度雙溫區管式爐、3通道質量流量計供氣系統、2L/S抽速真空泵及相關連接件組成;設備下方加裝定向輪和萬向輪，設備整體占地尺寸小并可靈活移動。該設備適用于CVD工藝，主要用于大學，研究中心和生產企業進行氣相沉積相關的實驗與生產。
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科佳公司研制開發了碳納米管、納米線連續生長專用設備，該設備由氣流控制系統、注液系統、多級溫控多區生長系統、水冷系統、碳納米管等組成。碳納米管生長爐最高工作溫度為1400℃，可在0-1400℃之間連續調節，熱場垂直分布，兩點控溫。設備頂部設有注液口和導流件。這種碳納米管/薄膜CVD設備可以實現連續和不間斷生長。
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KJ-T1200-S60LC-H2石墨烯制備機是由KJ-T1200開啟式滑軌管式爐、真空系統、質量流量計氣路系統、等離子電源系統組成?？蛇m用于石墨烯生長等。
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KJ-T1200CVD是一種管式爐，配備60mm直徑的高純石英爐管、真空泵和四通道質量流量計+一個浮子流量計氣體流動系統。它可以混合1-4種氣體用于CVD或擴散。
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六通道高真空PECVD系統是一款由1200度管式爐，等離子射頻電源，分子泵高真空，六通道氣路等組成的等離子化學氣相沉積系統，加熱腔體采用氧化鋁纖維制品，其極低的熱導率和比熱容，保證了爐膛的快速升溫和低蓄熱，特別適合于科研單位的材料工藝研究。該等離子化學沉積系統廣泛應用于沉積高質量、SiO2薄膜、Si3N4薄膜、SiC薄膜、硬質薄膜、光學薄膜和炭納米管(CNT)、石墨烯材料等。也可可應用于納米材料生長，石墨烯生成、金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復合薄膜等各種薄膜等，可制備出高質量的透明導電膜,用作手機觸摸屏
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該設備主要用于石墨稀、納米材料工藝涂層、多晶硅、碳化硅、擴散、氧化、退火等工藝。
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KJ-MZ1700-12LX帶攪拌功能升降式爐主要應用于院校實驗室、工礦企業實驗室，供化學分析、物理測定以及金屬、陶瓷等的燒結和溶解，小型鋼件等加熱、焙燒、熱處理用。
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這款底部裝料馬弗爐工作溫度≤1600℃。緊湊型爐腔設計，帶升降托盤，爐底可升降。該高溫箱式升降爐是研究實驗室中進行材料退火和燒結的理想設備。
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