廣東有色金屬失效分析技術理論與應用

城鎮燃氣聚乙烯管道失效事故分析實現方法及系統 983     

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本發明公開了一種城鎮燃氣聚乙烯管道失效事故分析實現方法及系統，方法包括：獲取城鎮燃氣聚乙烯管道的管道失效后果分類信息，及管道事故后果嚴重度影響因素信息；其中，所述管道事故后果嚴重度影響因素信息中所包括的輸送介質危害性信息具體包括介質危險系數、泄露量因子及泄露擴散因子；根據管道失效后果分類信息、及管道事故后果嚴重度影響因素信息，獲取風險可接受值，并判斷風險可接受值在預先設置的最低合理可行區域，當風險可接受值在最低合理可行區域內則提示事故的風險可接受。本發明中建立了城鎮燃氣聚乙烯管道失效后果評價因素體系，實現城鎮燃氣聚乙烯管道風險評價因素體系、及管道失效風險等級的建立和進行事故分析。

并行管道噴射火場景下目標管道動態熱失效分析方法 1099     

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本發明公開一種并行管道噴射火場景下目標管道動態熱失效分析方法，包括以下步驟：1、輸入源管道運行參數，獲得瞬時噴射火近場內目標管道接收的瞬時熱輻射值；2、建立瞬時熱輻射值與時間變化的擬合函數關系式；4、計算目標管道內壁對流換熱系數；3、計算目標管道的管壁瞬時溫度分布結果；5、計算目標管道的管壁周向、徑向和軸向承受的瞬時熱應力和瞬時總應力；6、試驗獲得不同溫度對應的屈服強度和極限抗拉強度；7、分析判定目標管道動態熱失效結果。本發明通過解決當前靜態熱失效分析技術不符合實際情況的問題，并基于分析結果合理優化并行管道的安全間距，實現防止目標管道發生熱失效。

芯片失效分析定位方法、裝置、設備及存儲介質 1113     

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本申請提供一種芯片失效分析定位方法、裝置、設備及存儲介質，其中，芯片失效分析定位方法包括以下步驟：獲取待分析產品的芯片層的結構圖像，所述待分析產品包括至少兩層芯；根據所述芯片層的結構圖像構建所述待分析產品的三維圖像；基于所述待分析產品的三維圖像對所述待分析產品進行失效定位分析。本申請能夠形成三維圖像，從而能夠基于三維圖像高效地對整個芯片進行失效分析。

半導體激光芯片失效分析方法 995     

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本申請公開了一種半導體激光芯片失效分析方法。其中，所述方法包括：去除半導體激光芯片的襯底，直至露出所述半導體激光芯片的外延層；通過顯微鏡的暗場模式觀察所述外延層，分析得出失效部位。由于無需專門設備，僅使用顯微鏡即可解決激光芯片失效模式分析問題，從而降低了高功率半導體激光芯片失效分析成本；并且，顯微鏡是常用工具，不像專門設備，操作簡單，無需專業技術人員即可操作，降低了高功率半導體激光芯片失效的門檻。并且，通過顯微鏡的暗場模式來直接觀察所述外延層，保持了對失效區域高質量的成像，對推動高功率半導體激光芯片各項性能指標的研究有重要作用。

線路板通孔受熱膨脹的失效分析試驗方法 752     

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本發明公開了一種線路板通孔受熱膨脹的失效分析試驗方法，包括如下步驟：提供具有通孔的線路板，對線路板的通孔進行灌錫操作；對線路板側壁進行打磨處理；將視頻顯微鏡與線路板具有通孔軸向截面的側表面進行對焦操作；對所述線路板進行升溫處理，并通過所述視頻顯微鏡錄制所述線路板的通孔受熱膨脹的變化過程。如此本發明能夠模擬產品在受熱過程(焊件組裝、使用)中會出現如孔銅拉裂、分層等等的失效情況，并能夠便于根據錄制視頻進行分析。本發明的失效分析試驗方法無需采樣分析不同環境溫度下多個線路板的受熱膨脹的結果圖，而是通過控制改變線路板的在錄制過程中的溫度即可，可見本發明失效分析試驗效率更高，分析數據將更加準確。

洪水和颶風耦合作用下立式儲罐屈曲失效易損性分析方法 804     

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本發明公開了洪水和颶風耦合作用下立式儲罐屈曲失效易損性分析方法。所述方法包括以下步驟：確定立式儲罐的基本信息；確定立式儲罐受到的作用力；計算出立式儲罐的抵抗荷載；計算立式儲罐的外部作用力；根據儲罐屈曲失效判斷依據，建立洪水和颶風耦合作用下儲罐屈曲失效的極限狀態方程；采用蒙特卡洛模擬方法統計目標儲罐發生屈曲失效的次數，計算失效概率；繪制儲罐在洪水和颶風耦合作用下的易損性曲線，分析儲罐受不同風速、水速、水深和充裝率的影響。本發明能精確計算洪水和颶風耦合作用下立式儲罐的屈曲失效概率，為化工過程裝備多災種耦合作用下易損性評估提供有力依據。

LNG儲罐泄露的失效模式分析實現方法 1031     

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本發明公開了一種LNG儲罐泄露的失效模式分析實現方法，方法包括：獲取LNG儲罐泄露的嚴重度值、頻度值及可探測度值；根據LNG儲罐泄露的嚴重度值、頻度值及可探測度值的乘積獲取風險系數；判斷風險系數是否大于預先設置的風險系數閾值，當風險系數大于所述風險系數閾值時，則進行泄露風險高的提示。本發明中準確的根據LNG儲罐泄露的嚴重度值、頻度值及可探測度值的乘積獲取風險系數，并判斷該風險系數是否超出風險系數閾值，也就可根據事故的風險系數準確指導采取相應的控制措施。

戰略備件的失效概率分析方法、系統 955     

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本發明涉及了一種戰略備件的失效概率分析方法、系統，該失效概率分析方法包括：根據戰略備件在各工廠的工單領用數據及驗收入庫數據，確定每個已更換的戰略備件的更換類型；統計特定時段內戰略備件的每個更換類型所對應的更換數量；獲取各工廠的戰略備件的安裝數據及各工廠的機組分布數據；根據戰略備件的安裝數據及各工廠的機組分布數據，計算特定時段內戰略備件的運行堆年數；根據特定時段內戰略備件的運行堆年數及每個更換類型所對應的更換數量，分別計算戰略備件的每個更換類型的年失效概率。實施本發明的技術方案，實現了戰略備件的失效概率分析方法的標準化、自動化，不但提升了工作效率，而且，提高了準確性。

失效分析報告生成系統及方法 846     

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一種失效分析報告生成系統,包括一報告處理模塊及一用于將失效分析文件匯總的學習分享模塊,所述報告處理模塊包括一匯出單元,用于匯出失效分析文件;一轉換單元,用于將失效分析文件轉換成標準格式;一判斷單元,用于判斷失效分析文件是否轉換成標準格式,如果否,則重新匯出失效分析文件,如果是,則發送一控制信號給報告生成單元;及一報告生成單元,用于在接收到控制信號后將標準格式下的失效分析文件轉換成方便閱讀的查閱格式并寫入學習分享模塊。所述失效分析報告生成系統可有效對失效分析文件進行管理。

基于失效機理的元器件FMEA分析方法與系統 831     

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本發明提供一種基于失效機理的元器件FMEA分析方法與系統，對元器件進行FMEA結構劃分，將元器件分解為功能單元，功能單元具有獨立的失效機理，分析功能單元的失效機理和分析導致失效機理的失效模式，分析失效機理和失效模式對元器件的影響，根據功能單元的失效機理，構建失效物理模型，根據失效物理模型，分析引起失效機理的失效原因，整合元器件失效影響分析結果和引起失效機理的失效原因，獲得FMEA分析結果，以提高元器件可靠性。整個元器件FMEA分析的起點是失效機理，在識別失效機理的基礎上，對其失效物理模型進行分析，分析失效機理的加速因子，從深層次上對元器件進行準確的可靠性分析，準確反映元器件可靠性狀況。

元器件失效歸零分析方法與系統 1133     

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本發明提供一種元器件失效歸零分析方法與系統，系統建立元器件失效物理故障樹，將失效物理故障樹轉換為失效定位故障樹，建立機理原因與失效特征相對應的元器件故障字典，根據故障樹和故障字典進行元器件失效歸零分析。本發明元器件失效歸零分析方法與系統，能夠通過失效定位故障樹將元器件故障定位到內部物理結構，給出清晰的失效路徑，通過故障字典的失效特征向量分析快速確定元器件失效模式對應的失效機理，通過失效物理故障樹確定相關失效機理的機理因子和影響因素，提出針對性的失效控制措施，實現對電子元器件故障的快速、準確定位和診斷。

用于分析繼電保護系統失效的數據處理方法及系統 1196     

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本申請提供了一種用于分析繼電保護系統失效的數據處理方法及系統，通過所述變電站配置描述文件、薄弱環節分析目的信息、所述專家經驗信息和所述風險庫數據信息分析得出影響系統失效的故障樹事件，分析影響本次薄弱環節分析的故障樹事件間邏輯關系和前后級關系，并以此為基礎搭建系統失效樹模型，計算得出薄弱環節，本方案能夠針對薄弱環節進行分析，解決了不基于薄弱環節分析基礎而盲目進行繼電保護可靠性提升策略研究的問題。同時，本方案通過分析薄弱環節分析目的信息，能夠針對不同的目的進行不同的薄弱環節分析，解決了沒有針對不同分析目的進行薄弱環節分析的問題。

適用于多芯片失效分析的LPDDR晶圓RDL設計方法 859     

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本發明公開了一種適用于多芯片失效分析的LPDDR晶圓RDL設計方法，屬于半導體封裝領域，包括以下步驟：S1：基于常規LPDDR RDL設計，增加鍵合焊位；S2：設計封裝基板，增加若干用于DIE連接的基板正面金手指；S3：進行封裝，并將鍵合焊位與基板正面金手指連接S4:測量電阻，通過電阻測試判斷DIE狀態，完成設計。只需要在設計原始RDL布線時候，同步新增如下1條RDL走線即可；圍繞DIE四周新增1條不封閉的口字型走線和2個鍵合焊墊(焊墊開窗位置需尋找合適位置，不影響原始產品RDL布線即可)，通過走線電阻的測量數據來判定DIE是否有開裂，無需專門測試機器，只需要使用萬用表或者簡易測試設備來測試電阻即可判定多芯片堆疊中存在某一顆DIE開裂。

SSD失效分析方法、裝置、計算機設備及存儲介質 808     

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本發明涉及SSD失效分析方法、裝置、計算機設備及存儲介質，該方法包括當SSD出現失效時，獲取SSD全盤信息；根據SSD全盤信息構建失效場景，并對失效場景進行分析，以得到分析結果；發送所述失效結果至終端，以在終端顯示所述失效結果。本發明通過在SSD出現失效時，導出SSD全盤信息，并根據SSD全盤信息重建失效場景并在本地進行分析，以此形成分析結果，且導出SSD全盤信息可以無限次重建失效場景，能永久保存失效場景，也極大便利了失效分析及問題解決后的驗證，實現多種場景的失效分析，提升分析的成功率和準確率。

芯片失效分析儀器 1094     

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本發明公開了一種芯片失效分析儀器，其測試夾具包括底板、載板及夾板，底板中央設有均勻布置的金屬凸起，貫穿載板上表面、下表面設有與金屬凸起對應的均勻布置的通孔，通孔內設有用于與被測芯片的引腳連接的連接件，連接件包括設于載板上表面的金屬薄片及連接于金屬薄片下的金屬探針，金屬探針套設有彈性部件，且彈性部件固定于通孔內壁，被測芯片置于載板上表面時，夾板輕壓于被測芯片上，被測芯片的引腳壓于金屬薄片上，彈性部件一起被壓縮，且金屬探針與金屬凸起電性連接；其測試機臺用于對被測芯片輸出測試信號，且可選擇地與金屬凸起電性連接。本發明是一種能夠廣泛適用于各種封裝結構的芯片進行失效分析的測試設備。

集成電路的關鍵失效路徑分析方法、裝置、計算機設備 1068     

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本申請涉及一種集成電路的分析方法、裝置、計算機設備和存儲介質。所述方法包括：獲取待測器件包含的數字集成電路對應的門級網表，所述門級網表用于描述所述數字集成電路包括的多條路徑及每條路徑上的門電路包括的至少一邏輯門；根據所述門級網表獲取每條路徑的路徑信息；根據所述路徑信息和預設器件退化模型計算每條所述路徑的延時增量；根據所述延時增量和失效邊界條件計算每條所述路徑的失效時間，并將最小失效時間對應的路徑作為所述數字集成電路的關鍵失效路徑。通過本方法可基于電路負載及時序要求分析出集成電路中導致可靠性退化的關鍵失效路徑，從而在設計早期對該路徑進行加固，提高集成電路的可靠性。

電涌保護器防雷器件失效分析的裝置 1111     

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本發明的一種電涌保護器防雷器件失效分析的裝置,包括:一整流濾波電路;一DC/DC變換器;一DC/AC變換器,用于將來自所述DC/DC變換器的直流電壓進行變換,變成預定頻率的交流電壓;一限流電路,串聯在DC/DC變換器與DC/AC變換器的回路中;一電流采樣,串聯在DC/DC變換器與DC/AC變換器的回路中,用于將流過電涌保護器的電流轉換成電壓信號;一電流放大電路,用于將來自所述電路采樣的電流信號進行放大,送給所述DC/DC變換器,以保證流過電涌保護器的電流不變。本發明裝置由于采用了先進閉環控制技術,達到了實時調節流過SPD的電流的效果,使設備的成本大大降低,同時提高了測試的準確度。

用于制備芯片失效分析樣品的制樣裝置 775     

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本實用新型提出一種用于制備可供掃描電容顯微鏡研究的芯片失效分析樣品的制樣裝置，包括聚焦離子束、金屬墊片、離子風扇、加熱臺和UV燈，待測試的芯片經由所述聚焦離子束切割得到芯片樣品，將所述芯片樣品粘貼在所述金屬墊片上，所述離子風扇對所述金屬墊片上的芯片樣品進行吹拭以除去所述芯片樣品表面沉積的離子，隨后將所述金屬墊片移送至所述加熱臺，所述加熱臺對所述芯片樣品進行加熱，所述UV燈對所述芯片樣品進行照射，所述加熱臺與所述UV燈共同作用以在所述芯片樣品的表面形成致密的氧化層。本實用新型提供的制樣裝置操作簡單，制樣完整精確，能有效地保證芯片失效分析結果的準確性，提高測試分析結果的精確度。

失效分析系統 1038     

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本實用新型公開了一種失效分析系統，其測試夾具包括底板、載板及夾板，載板為分層結構，貫穿載板設有均勻布置的垂直通孔，貫穿每層載板的兩相對側面設置有一層水平通孔，垂直通孔內設有用于與被測芯片的引腳連接的連接件，連接件包括金屬薄片及第一金屬探針，第一金屬探針套設有彈性部件，還包括第二金屬探針，且彈性部件固定于垂直通孔之內壁處，被測芯片置于載板上表面時，夾板輕壓于被測芯片上，被測芯片的引腳壓于金屬薄片上，彈性部件一起被壓縮，且第一金屬探針與第二金屬探針電性連接；測試機臺，測試機可選擇地與第二金屬探針電性連接，并輸出測試信號。本實用新型是一種能夠廣泛適用于各種封裝結構的芯片進行失效分析的測試設備。

芯片失效分析儀 806     

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本實用新型公開了一種芯片失效分析儀，其測試夾具包括底板、載板及夾板，底板中央設有均勻布置的金屬凸起，貫穿載板上表面、下表面設有與金屬凸起對應的均勻布置的通孔，通孔內設有用于與被測芯片的引腳連接的連接件，連接件包括設于載板上表面的金屬薄片及連接于金屬薄片下的金屬探針，金屬探針套設有彈性部件，且彈性部件固定于通孔內壁，被測芯片置于載板上表面時，夾板輕壓于被測芯片上，被測芯片的引腳壓于金屬薄片上，彈性部件一起被壓縮，且金屬探針與金屬凸起電性連接；其測試機臺用于對被測芯片輸出測試信號，且可選擇地與金屬凸起電性連接。本實用新型是一種能夠廣泛適用于各種封裝結構的芯片進行失效分析的測試設備。

LED失效分析方法及其過程中封裝樹脂的減薄方法 1084     

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本發明涉及一種LED失效分析方法及其過程中封裝樹脂的減薄方法。所述減薄方法，包括如下步驟：(1)取片狀板，在其上開孔或槽，形成樣品容納區域，所述樣品容納區域與待測LED樣品的尺寸相匹配，且深度小于所述待測LED樣品的厚度；(2)將待測LED樣品置于所述樣品容納區域；(3)打磨所述待測LED樣品，至其厚度與所述樣品容納區域的深度一致，即可。該減薄方法能夠有效保證打磨后的待測LED樣品表面平整光滑，能夠清晰的觀察到封裝的內部結構，提高失效分析的準確性；同時，可通過控制樣品容納區域的深度對樣品的減薄厚度進行有效控制，防止減薄過度，破壞封裝的內部構造。

并網逆變器的失效檢測方法和繼電器失效檢測裝置 737     

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本申請公開了一種并網逆變器的失效檢測方法和繼電器失效檢測裝置，方法應用于單相和三相的并網逆變器的繼電器失效檢測電路，電路包括逆變模塊、繼電器組、電網，繼電器組并聯依次串聯的第一電容、阻抗元件、第二電容，繼電器組的主繼電器和從繼電器分別由第一驅動信號和第二驅動信號控制導通或斷開。方法包括：同時控制主繼電器和從繼電器斷開，以通過比對繼電器組的電網側電壓和逆變側電壓判斷是否是第一故障原因，若不是則交替控制主繼電器或從繼電器中的一個導通，從而在阻抗元件電壓大于所述預設電壓閾值時，比較阻抗元件電壓和第二電網側電壓的相位方向，進而判斷出具體短路故障的繼電器。本申請有利于提高繼電器故障檢測的準確性。

電子產品失效分析方法 1130     

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本發明提供一種電子產品失效分析方法,該方法包括如下步驟:從存儲裝置中獲取失效電子產品的失效信息;根據所獲取的失效信息進行失效復制驗證,以驗證所獲取的失效信息對應的失效現象能否復制;當所獲取的失效信息對應的失效現象不能復制時,對失效電子產品進行測試以判斷所述失效電子產品的失效原因是否屬于不能復制問題;當所述失效電子產品不屬于不能復制問題時,判斷所述失效電子產品是否未出故障。

電性能失效分析定位方法和裝置 756     

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本申請公開了一種電性能失效分析定位方法和裝置。其中，該電性能失效分析定位方法具體包括以下步驟：步驟S11，將監測導線與待測元器件或待測PCB進行電性連接，并將待測元器件或所述待測PCB灌封成待測樣本；步驟S12，將監測導線與阻值監測設備進行電性連接；步驟S13，對待測樣本進行研磨，并通過阻值監測設備監測待測樣本的當前阻值；步驟S14，根據當前阻值確定待測樣本的阻值異常位置。因此，本申請通過對待測樣本進行研磨，并通過阻值監測設備實時監測待測樣本的當前阻值，能夠準確地定位失效的待測樣本的阻值異常位置。

器件失效定位分析方法 934     

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本申請涉及失效分析技術領域，具體公開一種器件失效分析定位方法，包括：對掃描探頭進行校準，獲取校準數據；控制掃描探頭對待測器件進行掃描，并獲得第一參數信息，第一參數信息用于表征待測器件掃描高度平面的電磁場信息；根據第一參數信息和校準數據，確定待測器件目標高度平面的電磁場信息；根據待測器件目標高度平面的電磁場信息，確定待測器件表面的電學分布；根據待測器件表面的電學分布，確定待測器件的失效位置?；陔姶抛⑷牒吞綔y的原理，結合待測器件表面的電磁場信息實現對待測器件的失效位置的分析，相對于傳統的失效分析方法而言，成本較低，且無需對待測器件進行破壞，整體失效定位方法可靠性較高。

開路失效分析方法和系統 1014     

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本申請涉及印刷電路板測試技術領域，具體公開一種開路失效分析方法和系統。方法包括：注入射頻探測信號至待測電路板線路；接收反射信號，并對所述反射信號進行時域換算，得到時域曲線；對所述時域曲線進行分析，確定所述待測電路板線路的開路位置點。無需對待測電路板進行破壞，避免對失效位置造成破壞而找不到開路位置點，通過對時域曲線的分析可對任意一種開路狀態的線路的開路位置進行分析，且準確度較高，另外，相對于外場電磁場掃描定位方法，本申請的失效分析方法成本較低。

紅外補光模塊失效檢測方法及終端設備 1161     

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本發明提供了一種紅外補光模塊失效檢測方法及終端設備。所述方法包括：在檢測到用戶輸入的終端解鎖操作時，通入第一電流開啟所述補光燈，并獲取所述紅外攝像頭采集的第一圖像，其中，所述紅外攝像頭用于執行所述終端解鎖操作；依據所述第一圖像的亮度信息判斷所述燈罩是否失效；在所述燈罩未失效的情況下，將所述補光燈的開啟電流由所述第一電流增加至第二電流，并獲取所述紅外攝像頭采集的第二圖像；當所述第二圖像的亮度值低于第一亮度閾值時，確定所述補光燈失效。本發明能夠實現對燈罩或補光燈是否失效進行檢測，并且，通過電流的控制，可以在檢測過程盡量減少紅外光線對人眼造成的傷害，提高了用戶的使用體驗。

失效分析方法、裝置、設備和存儲介質 1070     

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本申請涉及一種失效分析方法、裝置、計算機設備和存儲介質，計算機設備獲取待測失效器件的至少一個測試數據；然后將測試數據輸入到深度學習模型中進行失效分析處理，獲取與每個測試數據關聯的失效節點信息；失效節點信息包括測試數據關聯的上級失效事件節點和下級失效事件節點，下級失效事件節點為上級失效事件節點的備選失效機理；最后根據每個測試數據關聯的失效節點信息，構建各個失效事件節點之間的父子關系，并根據父子關系確定最底層的失效事件節點為待測失效器件的目標失效機理。采用上述方法可以提升失效分析的效率和準確率。

流程失效狀態的分析方法及其系統、計算機設備 764     

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本發明提供了一種流程失效狀態的分析方法，所述流程失效狀態的分析方法包括：設置末尾埋點于流程的結束節點，其中，所述流程包括若干流程步驟；運行所述流程；當所述流程運行至所述結束節點時，判斷所述流程的狀態是否為失效狀態；當所述流程為失效狀態時，采集所述末尾埋點；解析所述末尾埋點得到運行所述流程時經歷的流程步驟為運行步驟；根據所述結束節點的前一個運行步驟回溯推測步驟；以及根據所述運行步驟與所述推測步驟分析導致所述流程的狀態為失效狀態的缺失場景。此外，本發明還提供了一種流程失效狀態的分析系統以及計算機設備。本發明技術方案有效解決了程序無法根據流程失效狀態得知原因，彌補空缺場景的問題。

陶瓷電容失效的分析方法 894     

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本發明實施例提供了一種陶瓷電容失效的分析方法，屬于電子設備中陶瓷電容領域，以能夠準確分析出陶瓷電容的內部缺陷，提高分析成功率。所述陶瓷電容失效的分析方法，包括：對待分析的陶瓷電容進行阻值測試，將測得的阻值記為初始阻值，并根據所述初始阻值判斷所述待分析的陶瓷電容的失效狀態；將所述待分析的陶瓷電容制成金相切片樣品，研磨，在研磨過程中對阻值進行實時測試，并將測得的阻值記為測試值；當所述測試值的變化量超過所述初始阻值的10%時，停止研磨，定位觀察所述待分析的陶瓷電容的缺陷部位；對所述缺陷部位進行綜合分析，確定所述待分析的陶瓷電容的失效原因。本發明可用于陶瓷電容失效的分析中。