本申請公開了一種半導體激光芯片失效分析方法。其中,所述方法包括:去除半導體激光芯片的襯底,直至露出所述半導體激光芯片的外延層;通過顯微鏡的暗場模式觀察所述外延層,分析得出失效部位。由于無需專門設備,僅使用顯微鏡即可解決激光芯片失效模式分析問題,從而降低了高功率半導體激光芯片失效分析成本;并且,顯微鏡是常用工具,不像專門設備,操作簡單,無需專業技術人員即可操作,降低了高功率半導體激光芯片失效的門檻。并且,通過顯微鏡的暗場模式來直接觀察所述外延層,保持了對失效區域高質量的成像,對推動高功率半導體激光芯片各項性能指標的研究有重要作用。
聲明:
“半導體激光芯片失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)