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本發明涉及一種晶圓研磨方法及晶圓失效分析方法。所述晶圓研磨方法包括如下步驟：提供初始晶圓，位于所述初始晶圓的邊緣的裸芯片中具有測試地址；形成重組晶圓，使得具有所述測試地址的裸芯片位于所述重組晶圓的中部；進行至少一次如下循環步驟，所述循環步驟包括：于所述重組晶圓暴露的當前層上形成保護層，所述保護層至少位于所述測試地址上方；研磨所述重組晶圓中未被所述保護層覆蓋的所述當前層；去除所述保護層和所述保護層下方殘留的所述當前層；判斷所述測試地址是否暴露，若否，則以暴露的所述下一層作為下一次循環步驟的當前層。本發明能夠使得測試地址能夠完整、平坦的暴露，減少甚至是避免了柵極本體的漏電問題。
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本發明涉及產品或過程的失效分析技術領域，具體涉及一種實現功能和失效關聯的FMEA分析方法，包括如下步驟：輸入上級要求并界定分析的范圍和目的；創建產品“結構樹”，并生成產品“結構樹”的功能；利用功能失效矩陣識別功能間的上下級傳遞關系并關聯，生成功能網；在已識別的功能關聯基礎上識別失效內容并關聯，生成失效網；根據功能和失效關聯后完成風險分析和優化；輸出基于功能和失效關聯的DFMEA結果。本發明使得邏輯清晰且操作簡單。
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本實用新型公開了TSV圓片級封裝MEMS芯片的失效分析裝置，該裝置由顯微鏡、反光盒和探針系統組成；反光盒由外殼、反光鏡和透明玻璃組成，反光鏡包括兩個互成90°角的左反光鏡和右反光鏡，左反光鏡和右反光鏡都是鏡面朝上地置于外殼中，左反光鏡和右反光鏡與外殼底面夾角都為45°，透明玻璃覆蓋在外殼頂部開口處；探針系統包括探針、探針臂和探針座，探針通過探針臂與探針座連接，探針上連接導線，導線與測試裝置或電源連接；反光盒置于顯微鏡的載物臺上，顯微鏡的物鏡位于反光盒上方。該裝置只需特制一個反光盒，利用反光盒內反光鏡改變光線的方向，不需要背面顯微鏡鏡頭，就可以觀察到MEMS結構的運動情況，分析MEMS芯片的失效機理，結構簡單，效果好。
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本發明公開了一種芯片可持續失效分析方法，包括：1)將對準卡(3)套設于芯片(2)的外部并將所述芯片(2)固定于所述基座(1)；2)將針托架(4)上測試針的一端設置于所述芯片(2)的頂部，接著將緩沖框(5)覆蓋所述對準卡(3)的頂部以使得所述測試針、對準卡(3)相接觸，然后將所述測試針的另一端通過連接孔(6)固定于所述基座(1)上；3)將緩沖墊(7)分布于所述緩沖框(5)的兩側，接著將固定卡(8)設置于緩沖墊(7)的頂部以使得所述緩沖墊(7)固定于所述基座(1)的頂部。該芯片可持續失效分析方法能夠重復地對芯片進行失效分析，同時成本低。
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本發明提供一種邏輯芯片漏電失效分析方法，屬于半導體制造技術領域，邏輯芯片漏電失效分析方法包括：提供一設置有至少兩個柵極結構的晶體管結構的測量樣品，所述測量樣品中的晶體管結構存在亮電壓對比缺陷；通過給一部分的所述柵極結構施加工作電壓，并給剩余部分的所述柵極結構提供0電壓，以對所述測量樣品進行納米探針電性測試，從而定位出所述晶體管結構具體的漏電失效位置，實現了邏輯芯片漏電失效分析時的精確定位，其有利于找到引起漏電失效問題的真因，從而有利于在制程優化時得到有效的優化方法。
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本發明的一種軟包鋰離子電池失效分析方法，可解決現有的對鋰離子電池失效分析方法較為單一，不能充分、全面的說明鋰離子電池的失效機理的技術問題。通過記錄電池失效前容量Q0和失效后容量Q1；把電池剪開，重新注入電解液后，抽真空再次封裝，測試重注液電池容量Q2以及重注液后電池深度放電容量Q3；在充滿惰性氣體下拆解電池，通過原子吸收測試負極失效前、后鋰含量分別為Wn0%和Wn1%；在充滿惰性氣體中組裝成正極扣電，測試失效前、后正極穩定克容量分別為C0和C1；根據上述步驟計算影響因素容量。本發明能夠清楚、直觀地得到各個因素對鋰離子電池失效的影響，分析其影響失效的主要因素，有針對性對電池進行改善，有利于提高電池的循環以及安全性能。
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本發明公開了一種芯片的失效分析方法及系統，其中所述芯片的失效分析方法至少包括：提供一失效芯片，在失效芯片上標記出失效點的位置；根據失效點到失效芯片的側邊的距離，在失效芯片上設置取樣圖形，使失效點的投影位于取樣圖形的中央；沿著取樣圖形的邊線，分裂失效芯片，獲得失效圖形芯片和多個輔助圖形芯片；拼接失效圖形芯片和輔助圖形芯片，獲得組合圖形芯片；以及研磨組合圖形芯片，至失效點露出，并通過探針測試失效芯片的失效區域。本發明提供了一種芯片的失效分析方法及系統，能夠提升芯片失效分析的準確性和分析效率。
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本發明公開了一種失效芯片的分析方法，屬于芯片檢測領域。所述解封方法包括：裁剪部分失效芯片，以減少所述失效芯片上封裝膜的表面積；將所述失效芯片放置于第一酸性溶液內，所述第一酸性溶液的溫度為20℃~60℃；所述封裝膜去除后，將所述失效芯片放置于第一有機溶劑中清洗；將所述失效芯片放置于第二酸性溶液內；對所述第二酸性溶液進行加熱，且加熱溫度為50℃~150℃；將所述失效芯片放置于第二有機溶劑中清洗；以及將所述失效芯片置于顯微鏡下進行檢測。通過本發明提供的一種失效芯片的分析方法，可提高失效芯片的分析可靠性。
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本發明涉及基于大數據分析的設備失效模式診斷特征參量分析方法。本發明先通過檢驗樣本獲得設備的失效或故障模式，進一步通過極大似然估計后的函數f對特征參數求偏導數，通過偏導數絕對值的大小來判定特定失效或故障模式中不同特征參數的重要度。即通過對偏導數絕對值進行排序，就可以識別出設備失效或故障模式的關鍵特征參量，這為開展設備的失效或故障模式診斷指明了方向。
本發明公開了TSV圓片級封裝MEMS芯片的失效分析裝置及其分析方法，該裝置由顯微鏡、反光盒和探針系統組成；反光盒由外殼、外殼中兩個互成90°的反光鏡和外殼頂部開口處的透明玻璃組成，反光鏡與外殼底面夾角為45°；探針系統包括探針、探針臂和探針座，探針通過探針臂與探針座連接，探針上連接導線，導線與測試裝置或電源連接。該裝置利用反光鏡改變光線方向，不需背面鏡頭，就可以用于分析MEMS芯片的失效機理，結構簡單，效果好。本發明的分析方法為：將待分析MEMS芯片放置在透明玻璃上，在壓焊塊上扎上探針；通過導線向MEMS結構輸入激勵電壓；通過顯微鏡觀察MEMS結構的響應判斷MEMS器件的失效機理。該方法操作簡單，能夠快速、準確地對待分析MEMS芯片進行失效分析。
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本公開提供了一種產品失效知識庫建立方法與產品失效分析方法、裝置、設備、介質，屬于計算機技術領域。該產品失效知識庫建立方法包括：獲取多組失效產品數據，包括設計數據、工藝數據與缺陷數據；根據設計數據和/或工藝數據對失效產品數據進行聚類，得到多個失效類別；分別對各失效類別的缺陷數據進行隨機性檢驗，以確定失效類別為隨機失效模式或非隨機失效模式；對各非隨機失效模式的失效產品數據進行關聯規則挖掘，得到各非隨機失效模式的失效根因數據；根據各失效類別的隨機失效模式/非隨機失效模式分類結果與各非隨機失效模式的失效根因數據，建立產品失效知識庫。本公開可以實現對未知失效模式的分析，并提高分析效率。
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本發明涉及一種失效分析結構的制備方法及失效分析方法。失效分析結構的制備方法包括：提供待分析樣品，待分析樣品包括待分析芯片及承載基底，承載基底位于待分析芯片的正面；提供底板；將待分析樣品貼置于底板上，待分析芯片的背面朝向底板；形成防護層，防護層至少覆蓋待分析芯片的側壁；使用腐蝕液去除承載基底。本發明的失效分析結構的制備方法，在去除承載基底的過程中無需使用到離子刻蝕機等復雜設備，操作方便，且沒有氯氣等腐蝕性氣體的使用，不會對待分析芯片造成腐蝕破壞；并且通過形成防護層至少覆蓋待分析芯片的側壁，因此去除承載基底的過程中不會損傷芯片的側壁，進而不會破壞芯片的信息及定位圖案，以便后續對芯片進行信息確認。
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本實用新型提供一種芯片表面放電的失效分析用測試裝置，包括基座、夾持件和導電件，夾持件可移動的連接在基座上，導電件可旋轉的連接在基座上，基座、夾持件和導電件的材料均為導電金屬材料；當置于SEM機臺的操作臺上時，夾持件夾持芯片，芯片通過夾持件分別與基座和導電件電連接，基座和導電件均與操作臺上的接地端連接，以通過基座在SEM機臺的操作臺上的接地端連接，降低芯片在測試時出現的芯片表面放電的問題，導電件可以增加芯片接觸接地端(碳膠)的面積，從而解決了芯片在SEM機臺上測試時出現的芯片表面放電的問題，該裝置沒有在芯片的四周點碳膠，沒有去除碳膠以及點碳膠的過程，從而減少了在芯片周圍反復點碳膠所耗費的時間。
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本公開實施例提供了一種測試設備、失效分析方法和測試系統，該測試設備包括芯片載臺和用于支撐芯片載臺的支撐底座，且支撐底座內設置有比較模塊和可調電阻模塊；其中，芯片載臺，用于承載被測芯片；比較模塊，與可調電阻模塊連接，用于對被測芯片中待測試層的接地電壓與芯片載臺的接地電壓進行比較，根據比較結果和可調電阻模塊對待測試層的接地電阻進行調節，以降低待測試層的表面荷電效應。本公開實施例能夠降低待測試層的接地點和芯片載臺的接地點之間的信號干擾，改善EBAC的成像效果，使得在對被測芯片進行失效分析時，可以快速且準確地定位失效點。
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2025年07月23日 ~ 26日 
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