江蘇鹽城有色金屬真空冶金技術理論與應用

環保型單級旋片式真空泵 644     

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本實用新型公開了一種環保型單級旋片式真空泵，包括泵體、油箱和氣液分離箱，所述泵體一側連接有油箱，所述油箱頂部安裝有氣液分離箱，所述泵體內設有泵腔，所述泵體頂部設有進氣管道和出氣管道，所述氣液分離箱上設有進氣口，所述出氣管道與進氣口連接，所述氣液分離箱內設有進氣擋板，所述進氣擋板靠近進氣口設置，所述進氣擋板上設有驅動電機和風扇，所述氣液分離器內上部設有冷卻板，所述油箱的底部設有換油管道，所述換油管道上設有電磁閥和連接筒，本實用新型的有益效果為：出氣管道上接有氣液分離箱，充分的將油氣混合體進行分離，同時在油箱的底部設有換油管道和連接筒，能夠有效的將油箱中的雜質與機油分離，安全環保。

熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統 852     

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本實用新型公開了一種熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統，該熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統，包括進氣系統和排氣系統，所述進氣系統包括進氣管道，所述進氣管道上設置有控制裝置；所述排氣系統包括排氣管道，所述排氣管道上設置有抽取真空裝置；所述熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統還包括一密閉空間，所述進氣系統和所述排氣系統通過所述密閉空間相連接。本實用新型熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統能夠保證熱處理用真空爐處理的工件在加熱時揮發出來的油氣、污物等不斷被置換出加熱的密閉空間，保證了對表面光潔度要求高的工件質量合格；同時，在整個加熱過程中，能夠始終保持爐內惰性氣體的壓力維持在一個穩定的數值。

熱處理用真空爐大空間爐膛 1158     

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本實用新型公開了一種熱處理用真空爐大空間爐膛，所述熱處理用真空爐大空間爐膛包括爐膛本體，所述爐膛本體被區分為若干獨立的加熱區，每一個所述獨立的加熱區都設置有可調節溫度的裝置。本實用新型采用將大空間爐膛有效加熱區布置成若干個大加熱區，每個大加熱區分成復數個獨立的小加熱區，每個小加熱區的加熱單獨控制，并在每個小加熱區配置一個控溫熱電偶的方式實現有效加熱區長度超過1200mm的熱處理用真空爐的大空間爐膛的溫度均勻性。

高低溫爐內轉化裝置 1025     

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本實用新型提供了一種高低溫爐內轉化裝置，涉及工件處理設備技術領域。高低溫爐內轉化裝置，包括：門體組，門體組包括第一門體、第二門體、第三門體和第四門體；深冷室，深冷室用于對工件執行深冷工藝，深冷室的一側設置有用于供工件進出的第一門體；回火室，回火室用于對工件執行回火工藝，回火室和深冷室之間通過第二門體、第三門體和第四門體共同的開閉實現連通或者隔斷；和驅動機構，驅動機構用于驅動工件在深冷室、回火室之間流轉。通過使用高低溫爐內轉化裝置實現在爐內對工件進行高低溫轉化，可以使得工件獲得所需的特性，保障工藝處理質量。

氣體冷卻裝置以及熱處理用真空油淬爐 1213     

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本實用新型提供了一種氣體冷卻裝置以及熱處理用真空油淬爐，涉及熱處理技術領域，該氣體冷卻裝置，包括裝置本體、風扇組件和冷卻組件，裝置本體設置有分隔板，分隔板將裝置本體分隔成隔離腔室和過渡腔室，分隔板上開設有流通孔，風扇組件容置在過渡腔室內并設置在流通孔的上方，冷卻組件容置在隔離腔室內并設置在流通孔的下方，隔離腔室內還設置有多個冷卻管道，每個冷卻管道的一端穿過分隔板并與過渡腔室連通，每個冷卻管道的另一端與隔離腔室連通。相較于現有技術，本實用新型提供的一種氣體冷卻裝置，能夠通過氣體進行冷卻，能夠保證工件冷卻后品質優良，同時冷卻效果好，冷卻效率高。

電機真空啟動系統 1038     

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本實用新型提供了一種電機真空啟動系統，屬于金屬熱處理設備技術領域。電機真空啟動系統包括電機和供氣裝置，所述電機具有內腔。所述供氣裝置與所述內腔連通，所述供氣裝置用于為所述內腔供氣。這種真空啟動系統可保證快速的啟動電機，使真空爐中的強制冷卻氣體進行熱交換。同時，電機不會受到因真空爐爐內是真空的影響而不能啟動，這樣有效的保證了真空爐內的工件的淬火質量。

氣體冷卻裝置和真空氣淬爐 1212     

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本發明提供的氣體冷卻裝置和真空氣淬爐，涉及熱處理設備技術領域。該氣體冷卻裝置包括驅動器、送風機、冷卻室和加熱室，驅動器與送風機連接，送風機與冷卻室連接，加熱室設于冷卻室遠離送風機的一側。冷卻室開設有第一導流口和第二導流口，分別設于冷卻室相對的兩側。加熱室開設有第一風口和第二風口，分別設于加熱室相對的兩側。第一導流口或第二導流口開啟，用于將加熱室內的氣體引入冷卻室中冷卻，送風機將冷卻室中冷卻后的氣體再次輸送至加熱室中，起到冷卻加熱室中的工件的效果。該氣體冷卻裝置熱交換效率高，使工件在短的時間內氣淬，保證產品品質。

高鉻鎳基鑄造高溫合金的真空冶煉設備 935     

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本發明公開了高鉻鎳基鑄造高溫合金的真空冶煉設備，包括支撐架，所述支撐架的內部設置有冶煉爐，所述冶煉爐的頂部設置有密封蓋，所述支撐架的頂部均勻設置有四個支撐柱，每個所述支撐柱的外側均設置有與密封蓋連接的套筒，四個所述支撐柱的上端共同設置有頂板，所述頂板的下表面設置有與密封蓋連接的電動伸縮桿，所述冶煉爐的外側設置有連接管，所述連接管的外側設置有電磁閥，且所述連接管的一端設置有濾塵管。本發明通過在濾塵管的外側設置有第二固定塊和弧形蓋，同時在弧形蓋的外側設置有第一固定塊，第二固定塊和第一固定塊之間通過螺釘進行固定，便于進行拆卸，方便進行清理。

送料機構和真空爐 977     

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本發明提供的送料機構和真空爐，涉及熱處理設備技術領域。該送料機構包括驅動器、傳動組件和定位組件。驅動器與傳動組件連接，驅動傳動組件運動，傳動組件用于承載并運送工件。定位組件與傳動組件連接，用于判斷傳動組件的運動距離，對工件進行定位。該送料機構結構簡單，安全可靠，能夠精確定位傳動組件的位置，將工件準確運送至預設區域，有利于提高工件的運輸效率及生產品質。本發明提供的真空爐，包括上述的送料機構，定位性能好，能精確地將工件運送至真空爐內的指定區域，運送效率高，安全可靠。

提高氮化鋁覆鋁封裝襯板耐熱循環可靠性的辦法 1179     

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本發明提供了一種提高氮化鋁覆鋁封裝襯板耐熱循環可靠性的辦法，本發明中，在氮化鋁覆鋁陶瓷基板表面濺射鍍銅并進行真空擴散燒結，在鋁表面層引入微量銅元素，形成均勻的銅鋁固溶體硬化層，再對其進行表面進行化學鍍鎳處理在表面形成均勻鍍鎳層，處理后的氮化鋁覆鋁封裝襯板在熱循環前后的粗糙度對比相差不大，通過本方法，降低了鍍層表面應力集中和鍍層開裂情況，提高了氮化鋁覆鋁封裝襯板在極端條件下的耐熱循環可靠性。

熱處理用真空爐的上下料過渡裝置及真空爐 1104     

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本發明提供了一種熱處理用真空爐的上下料過渡裝置及真空爐，涉及金屬熱處理設備的技術領域。熱處理用真空爐的上下料過渡裝置包括支架座、底座、抬升組件、前伸軌道組件和升降軌道組件；底座通過抬升組件設置在支架座上，以使底座能夠相對支架座升降移動；前伸軌道組件和升降軌道組件設置在底座上，升降軌道組件位于前伸軌道組件的一側，且在前伸軌道組件處于未伸出狀態時，前伸軌道組件的第一軌道位于升降軌道組件的第二軌道的上方。真空爐包括爐體、傳送件和熱處理用真空爐的上下料過渡裝置；熱處理用真空爐的上下料過渡裝置位于爐體與傳送件之間。達到了上下料效率高的技術效果。

自潤滑磨齒砂輪及其制備方法 1053     

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本發明公開了一種自潤滑磨齒砂輪，所述磨齒砂輪由包括以下重量份的原料制成：陶瓷結合劑12~20份、鋯剛玉70~100份、碳化硅5~8份、黃糊精3~5份以及水2~3份。上述自潤滑磨齒砂輪的原料中含有一定量的碳化硅，在磨齒砂輪的制備過程中，碳化硅最終會形成石墨顆粒以微米級顆粒的形式獨立存在于砂輪組織結構中，不會吸附于剛玉磨料表面，不會影響陶瓷結合劑對剛玉磨料的粘接強度，在保證潤滑性能的同時不會降低砂輪的使用壽命以及回轉強度。

熱處理用真空爐大空間爐膛及控溫方法 1126     

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本發明公開了一種熱處理用真空爐大空間爐膛及控溫方法，所述熱處理用真空爐大空間爐膛包括爐膛本體，所述爐膛本體被區分為若干獨立的加熱區，每一個所述獨立的加熱區都設置有可調節溫度的裝置。本發明采用將大空間爐膛有效加熱區布置成若干個大加熱區，每個大加熱區分成復數個獨立的小加熱區，每個小加熱區的加熱單獨控制，并在每個小加熱區配置一個控溫熱電偶的方式實現有效加熱區長度超過1200mm的熱處理用真空爐的大空間爐膛的溫度均勻性。

覆銅陶瓷基板及其制備方法 1243     

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本發明涉及一種覆銅陶瓷基板，燒結前包括位于中間的陶瓷層、位于陶瓷層上下兩面的焊料層、貼附在焊料層上的應力緩沖層以及貼附在應力緩沖層上的金屬銅層。應力緩沖層為金屬片，毛面朝向焊料層、光面朝向金屬銅層。制備方法如下：1)將作為應力緩沖層的銅箔和作為金屬銅層的銅片去除油污后，進行防氧化清洗；2)陶瓷層雙面絲網印刷焊料層或雙面貼敷活性金屬焊片；3)在焊料層或活性金屬焊片上貼敷銅箔，在銅箔上覆蓋金屬銅層；4)在待燒結件上下放置壓頭；5)依照AMB工藝進行真空活性釬焊燒結并提供分子擴散焊所需條件，溫度控制在700℃?940℃，真空度小于0.01，燒結時間60min?540min，銅箔和金屬銅層分子擴散焊后形成微孔區。

低介電常數α?Si3N4多孔陶瓷的制備方法 1006     

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本發明公開了一種低介電常數α?Si3N4多孔陶瓷的制備方法，按照如下步驟進行：a、以稻殼為原料，制備得到碳硅質前驅體，再添加α?Si3N4粉體、燒結助劑，組成陶瓷原料；b、將凝膠物質和分散劑分散在去離子水中，與上述陶瓷原料混合，球磨4?8h后取出，真空除泡10?30min，形成漿料；然后水浴加熱至40?80℃，使漿料中的凝膠物質完全溶解，其中漿料的固相含量為35?60％；c、將上述料漿注入預熱的模具中，進行注凝成型，脫模干燥，得到坯體；最后燒結自然冷卻至室溫，即獲得低介電常數α?Si3N4多孔陶瓷。

高低溫爐內轉化裝置及工件高低溫爐內轉化方法 869     

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本發明提供了一種高低溫爐內轉化裝置及工件高低溫爐內轉化方法，涉及工件處理設備技術領域。高低溫爐內轉化裝置，包括：門體組，門體組包括第一門體、第二門體、第三門體和第四門體；深冷室，深冷室用于對工件執行深冷工藝，深冷室的一側設置有用于供工件進出的第一門體；回火室，回火室用于對工件執行回火工藝，回火室和深冷室之間通過第二門體、第三門體和第四門體共同的開閉實現連通或者隔斷；和驅動機構，驅動機構用于驅動工件在深冷室、回火室之間流轉。該方法通過使用高低溫爐內轉化裝置實現在爐內對工件進行高低溫轉化，可以使得工件獲得所需的特性，保障工藝處理質量。

電機真空啟動系統及電機真空啟動方法 1043     

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本發明提供了一種電機真空啟動系統及電機真空啟動方法，屬于金屬熱處理設備技術領域。電機真空啟動系統包括電機和供氣裝置，所述電機具有內腔。所述供氣裝置與所述內腔連通，所述供氣裝置用于為所述內腔供氣。這種真空啟動系統可保證快速的啟動電機，使真空爐中的強制冷卻氣體進行熱交換。同時，電機不會受到因真空爐爐內是真空的影響而不能啟動，這樣有效的保證了真空爐內的工件的淬火質量。

用于電熱合金的高放射率涂層的加工工藝 1170     

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本發明公開了一種用于電熱合金的高放射率涂層的加工工藝，首先將原料中的石墨進行研磨并篩分，產生尺寸為10um的粉末，并將其分為兩等份，將放射性廢物和部分玻璃投入球磨機中進行研磨，并與其中一份石墨粉末混合均勻，造粒并壓實成壓塊；將剩余的石墨粉末與剩余的玻璃進行研磨并混合均勻，并在高溫下壓制成具有空腔的胚塊；將壓塊放置于胚塊的空腔中，控制溫度為1000℃，壓制成型，得到放射性基材。本發明中配比合理，不僅有效提高了高放射率涂層的使用壽命和生產前景，同時涂層具有較優良的抗氧化性和較高的放射率，涂層顆粒分布均勻，實用性較大，同時可對生產中得到的放射性廢物進行有效處理，廢物利用，降低成本。

覆銅陶瓷基板的活性金屬層的蝕刻液及其刻蝕方法 895     

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本發明公開了一種覆銅陶瓷基板的活性金屬層的蝕刻液及其刻蝕方法。一種陶瓷覆銅基板的活性金屬反應層的蝕刻液，由以下質量百分比的組分組成；5％?15％H₂O₂、3％?5％NaOH、1％?3％M、3％?5％N，余量為純水；M為羥基乙叉二膦酸、氨基三甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸鈉、2?膦酸丁烷?1,2,4三羧酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2?羥基膦?；宜?、硫酸鎂或硫酸鎂的水合鹽中的至少一種。上述蝕刻液針對于無銀工藝焊料的含鈦、鉿、鋯等活性金屬與陶瓷形成的活性金屬反應層，具備高針對性，溶液穩定性高、對溫度不敏感、蝕刻效率高。

碳化硅陶瓷球的成型工藝 1188     

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本發明提供了一種碳化硅陶瓷球，由重量份如下的原料經混料、造粒、制種、成型、燒結和研磨而制成：主料：碳化硅細粉87％～96％、高殘碳酚醛樹脂5％～11％、燒結助劑1.2％～5％，所述燒結助劑為B、C、B₄C、Al₂O₃和Y₂O₃中的至少一種；輔料：粘結劑、分散劑，其用量依次為主料重量的0.9％～11％、0.5％～3.5％，粘結劑為聚乙烯醇、糊精和羧甲基纖維素中的至少一種；分散劑為聚乙二醇、四甲基氫氧化銨、磷鋁酸鹽、聚丙烯酸中的至少一種。本發明碳化硅陶瓷球密度大，化學性質穩定；能夠滿足多規格粒徑的碳化硅陶瓷球的制備，范圍廣，從1mm?50mm均能生產；一次性投資少，擴產容易。

基于汽車模具生產的復合型材料刀具及其制備方法 1012     

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本發明公開一種基于汽車模具生產的復合型材料刀具，該刀具中各材料的質量百分比為：氧化鋁4.2％?4.6％、氮化硅5.7％?6.5％、碳化鈦8.4％?9.2％、氧化鈦6.7％?7.7％、碳化鉬1.3％?1.6％、碳化鎢2.2％?2.8％、氧化鉬3.2％?3.5％、鎳0.6％?1％、氧化鉻0.8％?1.2％、碳化釩1.6％?2.1％、碳3.5％?4.5％、五氧化二鈮0.2％?0.4％、氧化釔0.1％?0.2％、三氧化二鑭0.1％?0.2％、余量為鐵；本發明開公開了一種基于汽車模具生產的復合型材料刀具的制備方法，本發明制造工藝簡單，使用原材料價格低，相比傳統的金剛石涂層刀具，生產成本大大降低，通過采用復合型材料制成刀坯，有著硬度高、抗壓強度高和抗彎強度高的特性，在刀坯上通過化學氣相沉積法鍍不同材料的兩層鍍層，耐磨、耐腐蝕以及耐沖擊等性能得到提高，大大提高了其工作性能和使用壽命，具有很好使用和經濟價值。

熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統及平衡置換方法 1133     

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本發明公開了一種熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統及平衡置換方法，該熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統，包括進氣系統和排氣系統，所述進氣系統包括進氣管道，所述進氣管道上設置有控制裝置；所述排氣系統包括排氣管道，所述排氣管道上設置有抽取真空裝置；所述熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統還包括一密閉空間，所述進氣系統和所述排氣系統通過所述密閉空間相連接。本發明熱處理用真空爐爐氣平衡置換系統能夠保證熱處理用真空爐處理的工件在加熱時揮發出來的油氣、污物等不斷被置換出加熱的密閉空間，保證了對表面光潔度要求高的工件質量合格；同時，在整個加熱過程中，能夠始終保持爐內惰性氣體的壓力維持在一個穩定的數值。

高效率的電子煙雙面加熱片及其制備方法 1177     

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本發明公開了一種高效率的電子煙雙面加熱片及其制備方法；本發明以絕緣陶瓷為基板，使用磁控濺射設備，在真空腔體中，將所需的金屬層的金屬或合金作為陰極靶材，通入氬氣使其電離形成氬離子后轟擊靶材，使靶材的固體原子或分子從靶材表面射出，濺射到陶瓷基板表面，形成目標的金屬層。由鎢、鉬、改性氮化硼和纖維素納米纖維制備保護釉層，化學鍍金屬電極，得到的一種高效率的電子煙雙面加熱片，具有低熱阻、高熱導率、高熱穩定性和力學性能。

提高覆銅陶瓷基板絕緣可靠性的制備方法 1224     

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本發明公開了一種提高覆銅陶瓷基板絕緣可靠性的制備方法，包括以下步驟：步驟一：在陶瓷基板表面形成鋁金屬化層；步驟二：對鋁金屬化層進行圖形刻蝕和陽極氧化；步驟三：活性金屬釬焊燒結，貼附銅箔，圖形刻蝕，即為覆銅陶瓷基板。本發明為了避免覆銅陶瓷基板表面出現局部高壓以及局部放電量不穩定情況，通過在銅瓷結合面引入高強度鍵合的絕緣鋁陽極氧化層，提高了產品的絕緣可靠性，絕緣陽極氧化層的圖形特征可以依據產品特性進行定制，進一步提高產品局部高壓條件下的絕緣可靠性。

互不相溶的Cu-Mo合金的制備方法及Cu-Mo合金 1044     

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本發明公開了一種互不相溶的Cu?Mo合金的制備方法及Cu?Mo合金，對Cu?Mo合金基體材料進行強流脈沖電子束輻照處理，在Cu?Mo合金基體材料表層誘發生成分布有納米鉬顆粒的合金層，能夠提高Cu?Mo合金的耐磨性，以滿足其在作為電觸頭材料等應用場景下的性能要求。

用于白光LED熒光轉換的含Sr的Ce：YAG基透明陶瓷及其制備方法 1115     

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本發明涉及一種透明熒光陶瓷材料，特別是一種用于白光激光二極管(以下簡稱為LED)熒光轉換的含Sr的Ce：YAG基透明陶瓷及其制備方法，該透明陶瓷由MgAl2O4-(CexSryY1-x-y)3Al5O12構成。該透明陶瓷可直接用作封裝材料來替代傳統的有機高分子或硅膠類封裝材料，其相對于現有的透明陶瓷，具有較低且穩定的色溫，優異的發光效率，顯著提高的顯色指數，非常高的穩定性和抗光衰性能，因而具有令人滿意的使用壽命。

用于白光LED熒光轉換的含Lu的Ce：YAG基透明陶瓷及其制備方法 877     

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本發明涉及一種透明熒光陶瓷材料，特別是一種用于白光激光二極管(以下簡稱為LED)熒光轉換的含Lu的Ce：YAG基透明陶瓷及其制備方法，該透明陶瓷由MgAl2O4-(CexLuyY1-x-y)3Al5O12構成。該透明陶瓷可直接用作封裝材料來替代傳統的有機高分子或硅膠類封裝材料，其相對于現有的透明陶瓷，具有較低且穩定的色溫，優異的發光效率，顯著提高的顯色指數，非常高的穩定性和抗光衰性能，因而具有令人滿意的使用壽命。

汞銻混合礦協同提取汞銻的方法 1134     

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一種汞銻混合礦協同提取汞銻的方法，涉及汞的吸附。該汞銻混合礦協同提取汞銻的方法，經一次浸出、一次固液分離后獲得汞銻富液，汞銻富液在經過兩次電沉積后獲得汞銻合金，汞銻合金經真空分離后獲得粗汞和粗銻，經過粗汞精制后獲得精汞，粗銻精煉后獲得1號銻。該方法具有操作簡單，全過程清潔環保，金屬汞和金屬銻的回收率高的特點，其中，金屬汞的綜合回收率大于99%，金屬銻的綜合回收率大于97%。

全玻璃真空集熱管 764     

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本實用新型涉及一種全玻璃真空集熱管,需要解決一般全玻璃真空集熱管吸收太陽光面積的問題,屬于全玻璃真空集熱管的實用新型。它將玻璃內管外表面環圓周制造成凹凸峰谷形狀(3)從一端到另一端的條形(5),將兩管夾層抽成真空燒結而成。該實用新型具有增加吸收太陽光面積、提高熱效率、制造簡單的特點。

氮化硅瓷片界面改性方法及覆銅陶瓷基板制備方法 1050     

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本發明涉及一種氮化硅瓷片界面改性方法及覆銅陶瓷基板制備方法，其中氮化硅瓷片界面改性方法包括如下步驟：1)改性溶液制備：將粒徑為20～20000nm的α?氮化硅粉末與分散劑加入至溶劑中攪拌均勻，得到α?氮化硅粉末含量為0.003～0.02g/mL的改性溶液；2)改性瓷片制備：將步驟1)中的改性溶液均勻涂覆在氮化硅瓷片上并在80～220℃條件下烘干。根據上述方法改性后的氮化硅瓷片可直接用于覆銅陶瓷基板的活性釬焊，提高了氮化硅瓷片釬焊時反應活性，進行真空燒結時，能夠在瓷片與金屬焊片界面層形成更致密的結構，能夠提高產品的剝離強度。此外，未反應的α?氮化硅粉末能夠嵌入近瓷界面層中，降低界面層的熱膨脹系數，可提高瓷片與界面層在冷熱沖擊條件下的結合可靠性。