本發明涉及新毛細熱管制備技術領域,且公開了一種新毛細熱管制備方法,包括以下步驟:S1、切管:將成品熱管在切管機上切制成所需要的管段;S2、縮頭:對加工好的管段進行端面縮頭處理;S3、種植毛細:在縮頭完畢后的管段上進行種植毛細,使熱管表面形成具有多個孔徑為1?10μm的毛細芯結構。該新毛細熱管制備方法,通過切管、縮頭、種植毛細、縮尾、焊尾、真空燒結、注液、真空除氣、焊頭、折彎成型和檢驗出貨進行制備,整體制備方法簡單,且熱管上的毛細結構采用使用堿溶液對熱管表面進行腐蝕處理,腐蝕處理后進行高溫擴散處理的方式進行成型,無需進行二次加工,不僅成型成品率高,卻加工步驟簡單,生產成本低,適用于工業生產。
本發明涉及一種銅基復合材料的制備方法,包括步驟一,先制備二氧化硅?銅混合粉體:將銅粉加入二氧化硅水溶液中并滴加水合肼溶液,攪拌均勻后,進行低溫冷凍成冰,之后再進行干燥,即得到二氧化硅?銅混合粉體;步驟二,將步驟一中的二氧化硅?銅混合粉體冷壓成型得到冷坯,將冷坯置于真空燒結爐中進行熱壓燒結,脫模后即得到銅基復合材料。本發明提供的銅基復合材料的制備方法,工藝簡單,操作容易,能有效解決現有的外加二氧化硅技術干混后復壓復燒法存在著界面容易污染和顆粒分布不均問題。另外,采用上述方法所制得的銅基復合材料導電性能、硬度和抗拉性能優異、組織容易控制且穩定性好、且可根據實際需要調配二氧化硅含量。
本發明涉及半導體技術領域。步驟一,真空燒結:將金屬片覆蓋于活性金屬焊料或者活性金屬焊片上,在真空環境下加熱使金屬片釬焊于陶瓷基板表面;步驟二,依次進行貼膜、曝光、顯影、蝕刻以及退膜,進而在金屬片上形成溝槽;步驟三,金屬片蝕刻?第一金屬層蝕刻成型;步驟四,金屬片蝕刻?第二金屬層蝕刻成型;步驟五,金屬片蝕刻?第三金屬層蝕刻成型;步驟六,焊料蝕刻。本專利通過優化陶瓷基板的結構,芯片嵌埋在基板中,能夠提高芯片的封裝密度。
本發明提供了一種基于磁控濺射工藝的電子煙陶瓷發熱片及其制備方法,本發明中利用磁控濺射工藝結合掩膜板在陶瓷發熱片表面直接濺射出金屬發熱薄膜,再通過真空燒結工藝將保護釉層燒結于發熱區域一端表面,并采用化學鍍工藝,在發熱薄膜的另一端表面鍍覆金屬電極,最后激光切割得到陶瓷發熱片;其中,保護釉層主要由玻璃粉、摻鋁氧化鋅、二硼化鈦顆粒、氧化釔組成,提高了保護釉的硬度性能,經以上材料和工藝制備出的HNB電子煙陶瓷發熱片,整體工藝簡便易行,制備的金屬薄膜厚度均勻且圖形尺寸可精細控制,使得最終的合金電阻均勻且重復性好,節省了材料和時間成本。
本發明涉及半導體加工技術領域。一種無需刻蝕的AMB直接成型方法,包括如下步驟:步驟一,使用精雕機在銅片的圖案周邊雕刻出凹槽;步驟二,使用絲網印刷、涂覆或覆膜設備在銅片上需要鍵合的區域涂裝釬焊材料;步驟三,將銅片與瓷片對位固定;步驟四,真空燒結;步驟五,使用雕刻機刻穿所述銅片上開設有凹槽處,實現開設有凹槽處的銅片上下貫穿;剝離表面銅片上未釬焊處的銅材。本發明用精雕工藝替代刻蝕工藝,無需刻蝕就可得到產品圖形。簡化生產流程,縮短生產時間;同時去除刻蝕工序后,減少了對環境的污染。
本發明公開了一種采煤掘進機用截齒的制造工藝,包括S1:備料;S2:混料球墨;S3:將上述混料放入研磨機中進行混合研磨、壓制、快冷、負壓脫脂、真空燒結、分壓燒結、強冷及表面處理后得到采煤掘進機用截齒;備料時,選取碳化鎢粉末88?90份,碳化鉭2?3份,鈷粉5?6份,碳化鎢—碳化鈦—碳化鉭固溶體1?2份,碳化鎢—鉻固溶體0.5份,氮化鈦4?7份,碳化硼2?4份及石蠟1份;所述碳化鎢粉末中,包括粒度為5?8μm的第一碳化鎢粉末及粒度為3?7μm的第二碳化鎢粉末;本發明所設計的采煤掘進機用截齒的制造工藝,不僅使硬質合金截齒具有良好的韌性和硬度,而且能保證硬質合金截齒在經過后期的焊接加工后,仍能保持產品標準所要求的硬度和耐磨性。
本發明公開了一種耐高溫自潤滑軸承材料及其制備方法,主要是以06Cr19Ni10不銹鋼粉為基體材料,選用高純度(≥95%)的Cu、Mo、Co金屬粉體為增強相,選用MoS2、CaF2為潤滑減磨相,同時添加適量的硬脂酸鈉作為粘結劑,采用冷壓成型、無壓真空燒結工藝制備而成。用本發明方法制備得到的高溫自潤滑軸承材料在600℃的高溫環境下仍然具有較低的摩擦系數以及良好的耐磨損性能,可應用于鋼鐵、冶金等重型機械裝備中,特別適合要求無油潤滑的場合。?
一種用于汽車尾氣處理的MgCr2O4/AlN多孔復合材料,由CrCl3·6H2O、MgSO4、碳纖維、造孔劑、偶聯劑和分散劑經過真空燒結法制得。本發明在MgCr2O4基體中生成AlN增強相,分布于多孔材料表面,有利于改善表面的孔洞結構,提高比表面積;本發明的短切碳纖維有利于獲得等軸狀微孔和纖維孔組合的多孔材料,既提高過濾效率,又提高孔隙率和氣體液體的透過性,同時也提高過濾體的強度、耐磨性等;本發明所制備的MgCr2O4/AlN多,孔復合材料的熱導率為253W/(m·K),孔徑為7?12μm,孔隙率為65%—75%,孔徑為8—12μm,性能良好,且制備方法簡單實用,價格低廉,有利于產業化。
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