本發明屬于碳化硅材料領域,具體涉及一種新型碳化硅陶瓷及其制備方法。該新型碳化硅陶瓷采用主料和輔料制成,主料的質量百分比組成為:碳化硅粉體80-90%、硅粉6-10%和碳粉4-10%,輔料為粘結劑和分散劑,粘結劑的用量為主料總質量的1-5%,分散劑的用量為主料總質量的0.5-1%。本發明制得碳化硅陶瓷性能優越,其體積密度為3.05-3.10g/cm3,游離硅含量<5%,硬度為90-93HRA,抗彎強度為400-450MPa。
本發明涉及一種高致密碳化硅陶瓷球及其制備方法。該陶瓷球是由以下原料經混料、噴霧造粒、制種、成球、燒結步驟而制成:主料碳化硅細粉85%~95%、高殘碳酚醛樹脂4%~10%、燒結助劑1%~5%,以及主料重量1%~10%的粘結劑、主料重量0.5%~3%的分散劑,所述粘結劑為聚乙烯醇、糊精和羧甲基纖維素中的至少一種;所述分散劑為聚乙二醇、四甲基氫氧化銨、磷鋁酸鹽、聚丙烯酸中的至少一種。本發明具有積極有益的效果:⑴本發明碳化硅陶瓷球密度大,化學性質穩定;⑵本發明制備工藝能夠滿足多規格粒徑的碳化硅陶瓷球的制備,范圍廣,從1mm~50mm均能生產;⑶本發明工藝簡單,一次性投資少,擴產容易。
本發明公開了一種制備高性能純結晶碳化硅納米平板陶瓷膜的方法,首先選用高純6H?SiC粉料作為基料,對支撐層、過渡層和上膜層材料進行介質氣流整形,采用活塞式擠出機擠出支撐層坯體并用履帶式真空微波干燥機進行固化;將過渡層的泥料擠到固化的支撐層上并放入履帶式真空微波干燥機中固化,然后高溫燒結;最后將上膜層泥料通過等離子方法噴涂到過渡層上即可。本發明制備方法可連續生產,節能環保效果明顯,工作環境好,能很好的控制陶瓷膜的孔徑尺寸、通量滲透量和粒子去除率,燒結后沒有添加劑殘留;成品陶瓷膜可在高溫、高鹽、強腐蝕工況條件下充分發揮碳化硅自身的理化性能優勢,分離精度高,再生能力強,使用壽命強,能實現重復使用。
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