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Accutom-10和Accutom-100切割設備是Struers公司生產的高精度切割機，專為提高切割精度和生產效率而設計。Accutom-100具備多刀切割功能，進一步提升生產效率，并包含研磨模式，支持在各步驟間進行多次雙向整理，以確保平整度。設備控制面板上的操作按鍵可以5或100微米為增量在X方向上移動試樣支架，在Y方向上移動切割/杯輪電機，實現高精度定位。直觀的用戶界面和智能轉動/推動旋鈕支持快速選擇設置，大圖標提供易于理解的功能概況。
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Minitom切割設備是一款適用于小型實驗室的低速、高精度切割機，專為實驗室臺式切割設計。它具有操作簡單、功能強大、高精度、功能化設計和易清潔等特點。切割輪直徑為75-127毫米（3-5英寸），能夠切割直徑達30毫米的大試樣。設備緊湊，寬度為280毫米，深度為400毫米，適合切割各種礦物和陶瓷試樣。切割輪有不同粒度和濃度可供選擇，以適應不同材料的切割需求。Minitom易于使用，只需幾分鐘即可完成試樣固定和切割參數設置，電機在多種負荷下能保持恒定速度。設備配有通用試樣夾和兩種直徑的法蘭套件，切割輪需單獨訂購。
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LABOTOM-5和LABOTOM-15切割設備是專為實驗室和生產線設計的手動切割機，適用于高質量快速切割。它們具有簡單直觀的控制面板、大型切割臺、符合人體工程學的切割手柄、安全鎖、沖洗槍和功能強大的LED燈，提供良好的用戶體驗和安全性。Labotom-15的切割輪直徑為350毫米（14英寸），而Labotom-5的切割輪直徑為250毫米（10英寸）。這些設備的蓋板鉸接在背部，便于操作大型工件，且Labotom-15的切割臺具有10毫米T形槽，實現靈活夾緊。它們基座采用防腐蝕性鋁，確保高耐用性和長壽命，適合連續或斷續切割各種尺寸的工件。
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CitoPress系列鑲樣機是功能強大的熱鑲樣設備，具有快速加熱的輕質鑲樣單元、自動檢測鑲樣筒尺寸和自動加料系統，可減少樹脂溢出并縮短鑲樣時間。CitoPress-30為雙筒電動液壓可編程鑲樣機，支持同步或獨立運行；CitoPress-15為單筒電動液壓可編程鑲樣機；CitoPress-5為自動鑲樣機。這些設備配備直觀的多功能旋鈕和大顯示屏，便于操作，內置熱鑲樣應用指南，提供用戶友好的操作體驗。它們還具備更短的鑲樣時間、節省資金和資源的特點，如減少加熱功率和優化冷卻水平以節省水資源。
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Leica EM TXP自動修塊拋光機是一款多功能機械研磨拋光設備，適用于對目標進行精細定位、銑削、切割、沖鉆、研磨、修塊及拋光等操作。它特別適合于樣品微小目標的加工，可用于EM RES101樣品前制備，獲得3mm樣品圓片（兩面平行，厚度可達1μm量級），也可用于EM TIC 3X/EM UC7樣品前制備，對樣品進行機械修塊，以及光鏡觀察樣品的制備。設備提供100μm、10μm、1μm及0.5μm的工具前進步進選項，并顯示進程，具備快進和撤回功能。工具軸承轉速可在300-20000rpm范圍內調節。
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Leica EM RES102多功能離子束研磨儀是一款全自動多功能離子束研磨系統，適用于透射電子顯微鏡（TEM）和掃描電子顯微鏡（SEM）樣品的制備。它能夠進行離子減薄、離子束拋光、離子刻蝕、樣品離子清洗以及斜坡切割等多種操作。離子束能量范圍為1keV至10keV，配備兩把離子槍，可分別傾斜±45°，樣品臺傾斜角度為-120°至210°，離子束加工角度為0°至90°。樣品平面擺動角度小于360°，垂直擺動距離為±5mm。
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Leica EM SCD500高真空濺射鍍膜儀是一款無油高真空系統，專為FE-SEM觀察前的樣品鍍膜、TEM/EDX噴涂以及多層膜樣品制備設計。它具備多種功能，包括金屬濺射鍍膜、輝光放電、蝕刻（樣品清潔）、碳絲蒸發鍍膜、碳棒蒸發鍍膜、金屬熱阻蒸發鍍膜，還可選配液氮冷臺（適配EM VCT100）。設備配備金屬靶檔板，適用于特殊濺射靶材的預濺射，確保鍍膜純度?？蛇x配石英膜厚監控器，實現程序化控制膜厚并反饋鍍膜儀。樣品室尺寸有標配?106mm和選配?205mm（可容納wafer 152mm/6"圓形或127mm/5"方形）兩種規格。
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Norcada提供了廣泛的MEMS電偏壓和電化學芯片。Norcada還可以提供客戶定制的軟件包，包括用于基于 STXM的應用程序的支架和MEMS芯片。主要提供兩種基于MEMS技術的原位系統，使用同一個SEM樣品臺既可以實現不同的原位解決方案電學、加熱等不同應用。
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Explorer是多功能的高真空研發和中試生產平臺，其配置可為電子束(e-beam) 蒸發、電阻蒸發或磁控濺射。所有三種配置中均可選配離子輔助沉積功能。Explorer可在半手動模式下使用，也可升級到全自動模式，一鍵自動化操作，可以減少系統停機時間。
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通過將產品固定在拋光頭的較下面，拋光時，旋轉的拋光頭以一定的壓力壓在旋轉的拋光墊上，拋光液在拋光墊的傳輸和離心力的作用下，均勻分布其上，在硅片和拋光墊之間形成一層拋光液液體薄膜。拋光液中的化學成分與產品表面材料產生化學反應，將不溶的物質轉化為易溶物質，或者將硬度高的物質進行軟化，然后通過磨粒的微機械摩擦作用將這些化學反應物從產品表面去除，溶入流動的液體中帶走，即在化學去膜和機械去膜的交替過程中實現平坦化的目的，通過先進的工藝可實現納米級別的粗糙度效果。
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PVT碳化硅晶體生長工藝主要通過設置合適的長晶溫度以及長晶氣壓，在此溫度以及氣壓下SiC發生明顯的分解與升華，產生Si和SiC蒸氣壓，在高溫爐內形成的溫度梯度作用下向低溫方向輸送并凝聚在頂部和底部較低溫度處，形成SiC晶體.
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原子層沉積（atomiclayerdeposition,ALD）是通過氣相前驅體及反應物脈沖交替的通入反應腔并在基底上發生表面化學反應形成薄膜的一種方法，通過自限制性的前驅體交替飽和反應獲得厚度、組分、形貌及結構在納米尺度上高度可控的薄膜。該方法對基材不設限，尤其適用于具有高深寬比或復雜三維結構的基材。采用ALD制備的薄膜具有高致密性（無針孔）、高保形性及大面積均勻性等優異性能，這對薄膜的使用具有重要的實際意義。
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DD703的特點：1.能加工直徑Ф0.3mm~3mm的深小孔(深徑比zui高可達300：1)；2.加工速度可達每分鐘30~60mm(視材料而定)；3.能加工線切割起始孔、過濾孔、噴嘴孔、氣孔、群孔、超深孔等；4.能加工不同的導電材料，甚至是半導電材料，特別適用與加工不銹鋼、淬火鋼、銅、鋁、硬質合金等；5.可直接在工件的斜面、曲面上進行加工。
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