JZ系列加工中心是具有自動換刀裝置及CNC 三軸聯動控制系統的現代化加工機床??梢淮窝b夾,自動連續地完成對零件的銑削、鉆孔、鏜孔、擴孔、鉸孔及攻絲等多種工序加工。適用于中等批量生產的各種平面、孔、復雜形狀表面的加工,尤其是多孔大中型箱體類零件更為方便,節省工裝,縮短生產周期,提高金屬線材的加工精度。它是國防工業、汽車制造、拖拉機、輕工行業、紡織機械、模具行業以及機床行業,進行機械加工和技術改造的理想設備。
高剛性定梁龍門雕銑機機體為高牌號樹脂砂鑄件,并經人工時效處理消除內應力,有效防止機床的變形,整機重量高達5噸!主要部件均采用進口零部件,除了有很高的金屬材料加工精度外,還有較強的開粗能力!
小型龍門加工中心:本系列機臺提供不同于傳統立式加工中心的*性能,符合人體工學可輕松裝卸加工件,優良的人機親近界面更方便加工者進行設定。3,切削清除容易:雙螺旋除屑系統加鏈鈑式輸送結構,可*有效徘除這些金屬線材的切屑,大大減少人工滴理時間。4,占地面積?。罕鞠盗兴鶕碛须p立柱,有效節約占地空間。5,結構剛性*;本系列小型龍門加工中心機**軸中心非??拷鼨M梁位置,懸臂效應小,有看*的結構剛性。
射頻發生器 射頻電源是一種高性能射頻發生器,其采用最新LDMOS技術,功率范圍從100W到10kW,頻率覆蓋2MHz到100MHz,具備頻率調諧、脈沖等功能,且配備靈活用戶界面和高級功能。它適用于半導體、工業鍍膜等領域,能在極端動態負載下可靠工作。產品還提供廣泛的功率和頻率配置,集成先進組件,支持高穩定射頻輸出、電弧管理等特性,易于集成和控制。其應用廣泛,包括PECVD、PVD、刻蝕設備等,且在多個知名科研機構和項目中得到應用,如布魯克海文國家實驗室、勞倫斯伯克利國家實驗室等。
熱舟蒸發源是一種用于實現輕薄薄膜金屬沉積的設備,特別適用于薄層沉積、光學涂覆、混合層沉積和金屬電極接觸等應用。該設備由高質量、高真空兼容材料制成,能夠在超高真空環境下加熱至250℃,確保沉積過程的穩定性和純度。熱舟蒸發源支持手動或馬達驅動擋板,最大工作電流可達100A,可根據客戶需求定制,滿足多樣化的薄膜制備需求。
在MEMS制造中,構建三維結構或封裝通常需要兩個單芯片的精確對準和鍵合。使用芯片到芯片鍵合器(CCB),可以手動對齊兩個芯片。然后可以使芯片接觸,以進行陽極鍵合或各種膠合過程。單芯片對準級包括三個線性軸和三個旋轉軸,為大多數對準應用提供了足夠的自由度。下芯片夾在基板上,上芯片由針固定。兩個真空保持器都可以單獨調節和切換。為了執行陽極鍵合過程,提供了加熱板和高壓源。在控制器單元上調節鍵合電壓,該控制器單元監測電壓和鍵合電流。加熱板的溫度也在控制器單元上進行調節。
等離子體增強化學氣相沉積系統(PECVD)是一種用于薄膜半導體材料制備的高性能設備,能夠在較低溫度下借助等離子體的高活性促進化學反應,沉積出高質量的薄膜。該系統可沉積SiO?、Si?N?、類金剛石薄膜、硬質薄膜和光學薄膜等,最大沉積尺寸達12英寸。系統配備射頻淋浴源、空心陰極高密度等離子體源、感應耦合等離子體源或微波等離子體源,支持最高800°C的加熱溫度,均勻性優于±3%,并具備預抽真空室和自動晶片裝卸功能,實現全自動控制。
等離子體增強原子層沉積(Plasma Enhance Atomic Layer Deposition,PEALD),也稱為原子層外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE),或原子層化學氣相沉積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition,ALCVD)。原子層沉積是在一個加熱反應的襯底上連續引入至少兩種氣相前驅體源,化學吸附至表面飽和時自動終止,適當的過程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環包括四個步驟:脈沖A,清洗A,脈沖B和清洗B。沉積循環不斷重復直至獲得所需的薄膜厚度,是制作納米結構從而形成納米器件極佳的工具。
這款美國制造的多功能鍍膜系統專為研究所和研發部門設計,具備小容量、快速重復工作流程的特點,活性沉積區域最大直徑可達200mm(8英寸),適應多種襯底。系統可配備最多4個濺射源,支持連續沉積和聯合沉積模式,具備不同工作氣體控制功能。其磁控濺射源直徑有50mm、75mm和100mm可選,內置陰極角傾斜和擋板設計,配備直流、脈沖、高頻(HF或MF)電源,襯底可加熱、冷卻或加載RF/DC偏壓,還可添加預抽室,具有超高性價比,占用空間小,能夠滿足客戶對真空薄膜沉積的高性能要求。
反應離子刻蝕系統(RIE)及深反應離子刻蝕系統(DRIE)是專為薄膜半導體材料制備和微納加工設計的高性能設備。RIE通過高頻電壓產生離子層,利用離子撞擊完成化學反應蝕刻,適用于高精度、高垂直度的刻蝕需求。DRIE系列則配備低溫晶片冷卻、偏置壓盤和2kW ICP源,能夠在10?3 Torr壓力下高效運行,支持深硅刻蝕等復雜工藝。系統具備鋁制或不銹鋼腔體、射頻源、高真空度、雙刻蝕容量、氣動升降蓋、手動/全自動裝卸樣品等功能,還可選配高密度等離子源、ICP源、低溫冷卻、終點探測等模塊。
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