上海有色金屬材料制備及加工設備

雙牛頭火花機 340     

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CNC2210雙牛頭火花機主軸下部裝有一個帶T型槽的電極連接板，電極連接板與主軸是絕緣的，可直接裝夾大型電極，也可以裝上各種工具以滿足小電極裝夾的需要。

單牛頭火花機 334     

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CNC450單牛頭火花機特征：1. 采用固定工作臺設計，并采用*箱型設計，密集的多層肋骨補強，確保重負荷時機臺不變形；2. X.Y.Z三軸采用中國臺灣進口C5級雙螺母滾珠絲桿；3. X.Y.Z三軸均采用日本*“SANYO”三洋818伺服馬達；4. 標準配置“Easson”三軸電子尺。

數控車銑復合車床 340     

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CY3+3D數控車銑復合車床性加工車床,特別適合于汽車,摩托車,家電,燈飾,儀器,儀表,通訊,鐘表等行業的批量性機械零件加工.一次裝夾可完成端面，側面，內外圓柱面,內孔,內外螺紋,錐螺紋,攻牙,順逆圓弧,球面等復雜高難度,高精度零件的加工。

精密平面磨床設備 339     

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M7140精密平面磨床其材質可以是鋼、鑄鐵或有色金屬。機床工作臺的縱向運動和磨頭的橫向運動都是用液壓驅動，無級調速。磨頭的橫向運動亦可手動操作。磨頭的垂直方向除手動進給外，還配有機動快速升降機構，能減輕勞動強度，提高工作效率。

高速數控雕銑機器 332     

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KS750高速數控雕銑機座采用多層肋骨補強剛性式設計，確保在重負載的機體產生變形及高速加工時的振動造成變形時，都減至可能的z低，確保定位精度，運動直線度等等，永遠都在精度規格范圍內。

高速立式加工中心 328     

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CNC650L高速立式加工中心設計以整體平衡為全面考慮，整機主結構采用箱體及寬闊式底座、人字型立柱結構設計。底座、立柱、鞍座、主軸箱、工作臺等主要鑄件材質均使用優化，高質量、高張力之樹脂砂造型鑄件，組織穩定，變形量小，可承受高強度之張力及負荷。

小型平面磨床 331     

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JPM618小型平面磨床主軸采用超精密P4級滾珠軸承，經過嚴格的測量選擇預壓后，在溫室中裝配而成，并配合*防水的迷宮式設計，以確保軸承的使用壽命及研磨的表面粗糙度。

高精密數控火花機 328     

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ZNC750高精密數控火花機特點 熒幕式Z軸簡易NC：1.具有智慧型自動編輯功能，只須輸入加工電流，加工深磨度即可完成加工編輯，讓使用者列容易操作使用。2.主機采用奔騰系列，32位元CPU及工業電腦箱，抗干擾性佳。3.具有多功能三軸光學尺顯示器，有坐標(ABS)增量坐標(INC)功能，中心點計算功能及英制(INCH)公制(MM)顯示切換。

動梁式雕銑機 334     

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機床特性說明：1.采用整體工作臺面并涂有防腐材料，可減少加工坩堝時對機床的腐蝕。2.主軸采用BT40并加裝特殊8噴頭強力環形噴水裝置，安裝有環形防護裝置盡可能減少金屬線材加工時所產生的粉塵對機床及環境的污染。

小型轉塔式加工中心 331     

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小型轉塔式加工中心本機床采用高速轉塔換刀機構，外形緊湊，具有換刀速度快，體積小、加工效率高等優點，適合汽配、摩配、電動工具、閥門等行業小零件的鉆、鏜、銑、攻的高效加工。

雕銑機床 338     

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安裝要求：a) 電源要求：采用三相五線制進電源線，零線、地線分開。必須保證接地可靠，接地連續性<0.3Ω。b) 機床進線電源三相AC380V±10%，頻率50Hz，總功率9.5kw。如電壓波動較大、過高、過低，則需配穩壓電源。c) 外部環境(溫度、濕度、粉塵)需要符合CNC正常運行標準。超出標準應采取相應措施改進。

龍門加工中心機 342     

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設備特點：1，本系列小型龍門加工中心能夠提供超越傳統C型結構之大型綜合加工中心更高的經濟效益與價值。2，本系列機臺提供不同于傳統立式加工中心的*性能，符合人體工學可輕松裝卸金屬加工件，優良的人機親近界面更方便加工者進行設定。3，切削清除容易：雙螺旋除屑系統加鏈鈑式輸送結構，可*有效徘除金屬材料切屑問題，大大減少人工滴理時間。

數控加工中心設備 345     

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JZ系列加工中心是具有自動換刀裝置及CNC 三軸聯動控制系統的現代化加工機床?？梢淮窝b夾，自動連續地完成對零件的銑削、鉆孔、鏜孔、擴孔、鉸孔及攻絲等多種工序加工。適用于中等批量生產的各種平面、孔、復雜形狀表面的加工，尤其是多孔大中型箱體類零件更為方便，節省工裝，縮短生產周期，提高金屬線材的加工精度。它是國防工業、汽車制造、拖拉機、輕工行業、紡織機械、模具行業以及機床行業，進行機械加工和技術改造的理想設備。

立式加工中心機 342     

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設備特點：1.高強度**鑄鐵結構，大跨距立柱，各軸導軌全支撐，工作臺無懸空現象，剛性佳，確保精度。2.立柱底部為高剛性結構設計。立柱內配重塊配備滑動導軌導引，避免配重塊上下移動時產生晃動，影響加工精度。3.三軸滑軌采用距型導軌，精度高壽命長，快速進給速度高，生產效率高。

線軌立式加工設備 339     

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三軸驅動采用高效率、高扭矩、高精度的AC伺服電機(3.0KW)通過彈性聯軸器與滾珠絲桿直接連接，消除了傳動間隙，且滾珠絲桿裝配時采用預拉伸措施，**限度地避免了滾珠絲桿運行過程中熱變形對精度的影響，定位精度及重復定位精度高。

高剛性定梁龍門雕銑機 356     

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高剛性定梁龍門雕銑機機體為高牌號樹脂砂鑄件，并經人工時效處理消除內應力，有效防止機床的變形，整機重量高達5噸!主要部件均采用進口零部件，除了有很高的金屬材料加工精度外，還有較強的開粗能力!

小型龍門加工中心 361     

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小型龍門加工中心：本系列機臺提供不同于傳統立式加工中心的*性能，符合人體工學可輕松裝卸加工件，優良的人機親近界面更方便加工者進行設定。3，切削清除容易：雙螺旋除屑系統加鏈鈑式輸送結構，可*有效徘除這些金屬線材的切屑，大大減少人工滴理時間。4，占地面積?。罕鞠盗兴鶕碛须p立柱，有效節約占地空間。5，結構剛性*;本系列小型龍門加工中心機**軸中心非?？拷鼨M梁位置，懸臂效應小，有看*的結構剛性。

硬軌加工中心 354     

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機床特點：機床結構采用“人"字型立柱、進標準，*支撐式優化設計，經嚴格時效處理的高強度樹脂砂鑄件，確保了機床高剛性，少的變形和精度之穩固。機床X、Y、Z導軌形式為矩形方軌，選配直線滾珠導軌，具有良好速度和精度。

高速鉆攻中心設備 377     

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JZ-T6鉆攻中心采用高剛性定梁龍門結構，機體為高牌號樹脂砂鑄件，并經人工時效處理消除內應力，防止機床的變形，主要功能部件均采用廠家或進口品牌，如：中國臺灣滾珠絲桿，瑞士直線導軌，日本伺服電機，保證機床精度高，運行穩定。

模具雕銑機 363     

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機械特點:1，中國臺灣新代控制系統，設備外觀設計精美，操作簡便，非常容易上手;2，機床全鑄件精密裝配，床體結構堅實，全部鑄件經熱處理，剛性高，穩定性好;3，日本安川伺服電機驅動，響應快，扭力大，控制精度高，中國臺灣精密直線導軌，滑塊預緊無間隙，能承受很大的動 靜載荷，運行平穩;中國臺灣研磨級精密滾珠絲桿，耐磨，摩擦系數小，具有較高的定位精度和靈活性，運行平穩。

線軌立式加工設備 383     

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機械特點：1.高強度**鑄鐵結構，大跨距立柱，各軸導軌全支撐，工作臺無懸空現象，剛性佳，確保精度。2.立柱底部為高剛性結構設計。立柱內配重塊配備滑動導軌導引，避免配重塊上下移動時產生晃動，影響加工精度。3.三軸滑軌采用距型導軌，精度高壽命長，快速進給速度高，生產效率高。

射頻發生器 415     

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射頻發生器 射頻電源是一種高性能射頻發生器，其采用最新LDMOS技術，功率范圍從100W到10kW，頻率覆蓋2MHz到100MHz，具備頻率調諧、脈沖等功能，且配備靈活用戶界面和高級功能。它適用于半導體、工業鍍膜等領域，能在極端動態負載下可靠工作。產品還提供廣泛的功率和頻率配置，集成先進組件，支持高穩定射頻輸出、電弧管理等特性，易于集成和控制。其應用廣泛，包括PECVD、PVD、刻蝕設備等，且在多個知名科研機構和項目中得到應用，如布魯克海文國家實驗室、勞倫斯伯克利國家實驗室等。

熱舟蒸發源 / K Ce 403     

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熱舟蒸發源是一種用于實現輕薄薄膜金屬沉積的設備，特別適用于薄層沉積、光學涂覆、混合層沉積和金屬電極接觸等應用。該設備由高質量、高真空兼容材料制成，能夠在超高真空環境下加熱至250℃，確保沉積過程的穩定性和純度。熱舟蒸發源支持手動或馬達驅動擋板，最大工作電流可達100A，可根據客戶需求定制，滿足多樣化的薄膜制備需求。

芯片到芯片鍵合機 284     

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在MEMS制造中，構建三維結構或封裝通常需要兩個單芯片的精確對準和鍵合。使用芯片到芯片鍵合器（CCB），可以手動對齊兩個芯片。然后可以使芯片接觸，以進行陽極鍵合或各種膠合過程。單芯片對準級包括三個線性軸和三個旋轉軸，為大多數對準應用提供了足夠的自由度。下芯片夾在基板上，上芯片由針固定。兩個真空保持器都可以單獨調節和切換。為了執行陽極鍵合過程，提供了加熱板和高壓源。在控制器單元上調節鍵合電壓，該控制器單元監測電壓和鍵合電流。加熱板的溫度也在控制器單元上進行調節。

狹縫擠出型涂布機 383     

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(Slot Die Coater)可以用于可復制重復性測試。歸功于桌面小型化的設計。它也可以大幅降低材料損耗?？蛻敉ㄟ^快速的多樣化測試來獲得更多客觀結果。

等離子體增強化學氣相沉積系統 427     

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等離子體增強化學氣相沉積系統（PECVD）是一種用于薄膜半導體材料制備的高性能設備，能夠在較低溫度下借助等離子體的高活性促進化學反應，沉積出高質量的薄膜。該系統可沉積SiO?、Si?N?、類金剛石薄膜、硬質薄膜和光學薄膜等，最大沉積尺寸達12英寸。系統配備射頻淋浴源、空心陰極高密度等離子體源、感應耦合等離子體源或微波等離子體源，支持最高800°C的加熱溫度，均勻性優于±3%，并具備預抽真空室和自動晶片裝卸功能，實現全自動控制。

等離子體增強原子層沉積系統 408     

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等離子體增強原子層沉積（Plasma Enhance Atomic Layer Deposition，PEALD），也稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子層化學氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子層沉積是在一個加熱反應的襯底上連續引入至少兩種氣相前驅體源，化學吸附至表面飽和時自動終止，適當的過程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環包括四個步驟：脈沖A，清洗A，脈沖B和清洗B。沉積循環不斷重復直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結構從而形成納米器件極佳的工具。

多功能鍍膜系統 398     

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這款美國制造的多功能鍍膜系統專為研究所和研發部門設計，具備小容量、快速重復工作流程的特點，活性沉積區域最大直徑可達200mm（8英寸），適應多種襯底。系統可配備最多4個濺射源，支持連續沉積和聯合沉積模式，具備不同工作氣體控制功能。其磁控濺射源直徑有50mm、75mm和100mm可選，內置陰極角傾斜和擋板設計，配備直流、脈沖、高頻（HF或MF）電源，襯底可加熱、冷卻或加載RF/DC偏壓，還可添加預抽室，具有超高性價比，占用空間小，能夠滿足客戶對真空薄膜沉積的高性能要求。

快速退火爐 416     

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REAL RTP100型快速退火爐是韓國ULTECH公司的一款4寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術，可實現真正的基底溫度測量，不需要采用傳統快速退火爐的溫度補償，溫度控制精確，溫度重復性高，客戶包括國際上許多半導體公司及知名科研團隊，是半導體制程退火工藝的理想選擇。

反應離子刻蝕系統 414     

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反應離子刻蝕系統（RIE）及深反應離子刻蝕系統（DRIE）是專為薄膜半導體材料制備和微納加工設計的高性能設備。RIE通過高頻電壓產生離子層，利用離子撞擊完成化學反應蝕刻，適用于高精度、高垂直度的刻蝕需求。DRIE系列則配備低溫晶片冷卻、偏置壓盤和2kW ICP源，能夠在10?3 Torr壓力下高效運行，支持深硅刻蝕等復雜工藝。系統具備鋁制或不銹鋼腔體、射頻源、高真空度、雙刻蝕容量、氣動升降蓋、手動/全自動裝卸樣品等功能，還可選配高密度等離子源、ICP源、低溫冷卻、終點探測等模塊。