浙江杭州有色金屬冶金技術理論與應用

釹鐵硼磁體晶界擴散重稀土工藝 1311     

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本發明涉及釹鐵硼磁體晶界擴散重稀土工藝。其特征在于包括如下步驟：1.重稀土金屬基板制作，2.釹鐵硼磁體前期處理，3.釹鐵硼磁體晶界擴散重稀土，4檢測。本發明的有益效果：1.與傳統方法相比，重稀土金屬鏑用量顯著降低（約2.5%），提高了稀土資源的利用率，降低了成本；2.通過滲鏑處理，增加0.2-0.3%的鏑，產品內稟矯頑力Hcj增加幅度大于6000Oe，磁能積保持不變；3.本發明可以得到雙高磁體，即高磁能積、高Hcj的稀土永磁體；4.滲鏑處理后的磁體表面形成了一層致密的金屬薄膜，相對于傳統工藝產品抗氧化性、耐腐蝕性也得到了顯著提高；打破了釹鐵硼產品必須電鍍的要求。

同步制備C₃N₄和TiO_xN_2-x可見光催化劑的方法 913     

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本發明涉及一種同步制備C₃N₄和TiO_xN_2?x可見光催化劑的方法。本發明首先將TiO₂和還原劑充分研磨混合，然后再把充分混合過的TiO₂和還原劑真空高溫焙燒處理，冷卻至室溫并進行酸化處理得到氧缺陷TiO₂。最后將含氮碳前驅體和氧缺陷TiO₂在氮氣氣氛下一定溫度煅燒即可同時獲得C₃N₄和TiO_xN_2?x可見光催化劑。本發明制備的C₃N₄和TiO_xN_2?x催化劑具有較高的可見光催化活性，同時該制備方法又可以減少催化劑制備過程中對環境產生的污染。

應用高豐度稀土生產的商用稀土永磁體及其制備方法 1142     

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本發明公開了一種應用高豐度稀土生產的商用稀土永磁體及其制備方法。包括主相和晶界改性相，所述的主相包括低HA的(RE100-aMMa)-Fe-B合金和高HA的Nd-Fe-B合金。本發明采用雙主合金，控制磁體成分，使高豐度稀土形成穩定的2：14：1相，在燒結過程中始終不會發生分解；晶界改性相添加電極電位較高的Cu元素，提高磁體的耐腐蝕性能，同時晶界改性相可優化磁體的顯微結構。此法將雙主合金法與晶界改性技術相結合，同時兼具兩者的優點，改善了由高豐度稀土的添加引起的磁體耐蝕性下降及剩磁和磁能積下降的問題，制備的稀土永磁體達到商用磁體的應用要求。

5G基站環形器專用磁鐵 1166     

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本發明提供一種5G基站環形器專用磁鐵，包括整體為矩形的磁鐵本體，所述磁鐵本體的轉角處設有第一圓弧角，所述磁鐵本體的內部設有矩形的通孔，所述的矩形通孔的轉角處設有第二圓弧角，所述磁鐵本體中配料包括Al 7.9?8.1％、Ni 14.0?14.2％、Co 23.8?24％、Cu 2.9?3.1％和Fe49.67?50.93，所述配料中還包含微量元素T 0.21?0.25％、S 0.15?0.18％、C 0.11?0.15％，所述磁鐵本體的所有配料通過真空熔煉技術熔煉后再進行以此制粉、成型、燒結和機械加工成型。能夠解決含稀土元素釤的釤鈷磁鐵在高溫下極易氧化的問題，且能夠使磁鐵中Br最終的剩磁量大于12.0KGs。

制氫用的碳化硅納米線催化劑的制備方法及其用途 825     

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本發明公開了一種制氫用的碳化硅納米線催化劑的制備方法及其用途。采用硅粉、二氧化硅粉和碳納米管為原料制備SiC納米線，采用氫氟酸和濃硝酸混合液腐蝕后的SiC納米線與水混合制備氫氣，混合液與SiC納米線的質量比為100～10。本發明的催化劑，SiC具有理想的帶隙；導帶底主要由Si的3s軌道構成，價帶頂主要由C的2p軌道構成，導帶電位比氫電極電位EH+/H2稍負，而價帶電位則應比氧電極電位EO2/H2O稍正，滿足光解水的熱力學要求SiC晶體生長過程中Si－C雙原子層的密排堆積容易導致堆垛層錯，這種堆垛層錯是具有理想接觸界面的新型量子阱結構。此外它還具有化學性質穩定，無毒，可再生循環利用等優點。

健康型低溫熱熔膠的制備方法 1144     

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本發明涉及一種健康型低溫熱熔膠的制備方法,原料包含如下重量份的組份：TPU熱熔膠樹脂45-60份，PETG?10-20份，負離子/竹質活性炭復合材料25-30份，相容劑3-5份（1）分別將上述各原料投入至儲料機構內經過高強磁進行除金屬；（2）將各原料輸送到料缸內進行充分攪拌30-45min至均勻；（3）攪拌好的原料再經二次強磁去金屬后輸送至流延擠出機的進料斗，經計量喂料機構按預設的定量進行勻速喂料至螺桿機，通過螺桿機130-150℃高溫熔融混練均勻流延成片材，再經冷壓定型即可；本發明的健康型低溫熱熔膠由于含有有機膨潤土，可以顯著改善低溫熱熔膠的質量均一性、透氣均一性，透氣性大大提高，品質高。

背鈍化晶體硅太陽能電池的制備方法及太陽能電池 912     

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本發明公開了一種背鈍化晶體硅太陽能電池的制備方法及太陽能電池。本發明提供的方法包括步驟：在硅片正面形成絨面；在所述硅片正面進行P擴散，然后去除所述硅片正面的PSG和周邊P擴散層；在所述硅片背面制備復合電介質膜，所述復合電介質膜中的各成分均勻分布；在所述硅片正面形成減反膜；在所述硅片背面形成背電極，在所述硅片正面形成正電極。相應的，本發明還提供一種采用本發明提供的方法制備的太陽能電池。采用本發明提供的方法可以有效提高太陽能電池的背鈍化效果，進而提高太陽能電池的光電轉換效率。

竹材陶瓷復合裝飾板材的制造方法 869     

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本發明涉及一種竹材陶瓷復合裝飾板材的制造方法。本發明的目的是提供一種結構致密、強度高、均勻性好、表面美觀的竹材陶瓷復合裝飾板材的制造方法。本發明的技術方案是：一種竹材陶瓷復合裝飾板材的制造方法，其特征在于包括步驟：（1）大片竹刨花的制備；（2）竹粉制備；（3）配料：所用原料為竹粉、高嶺土、粘土、石英和水；（4）球磨制漿；（5）噴霧造粉；（6）壓制成型；（7）陶坯干燥；（8）素燒；（9）上釉；（10）釉燒。本發明適用于裝飾板材制造領域。

碳化硅基多相復合陶瓷及其制備方法 820     

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本發明公開了一種碳化硅基多相復合陶瓷,其重量百分比組成為:純度達99.5%以上的碳化硅72～90%、氮化鋁或氮化硅0～18%和釔鋁石榴石或釔鋁石榴石/氧化鋁8～10%。本發明還公開了上種碳化硅基多相復合陶瓷的制備方法,該制備方法工藝簡潔、易于操作。采用本發明的方法制備的碳化硅基多相復合陶瓷,硬度、抗彎強度、斷裂韌性等綜合性能優秀。

圓筒形竹材陶瓷的制造方法 1017     

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本發明公開了一種圓筒形竹材陶瓷的制造方法，竹筒經過去除竹青和外節、干燥、浸注預處理后，再上陶瓷坯料，陶坯干燥、高溫燒結、降溫與打磨后制得竹材陶瓷。本發明提供了一種適合竹材自身結構特點、不易變形、強度高、均勻性好的圓筒形竹材陶瓷的制備方法。本發明制備的圓筒形竹材陶瓷物理性能優良，具有良好的致密性和均勻性，產品強度高，制備過程中對環境污染小，對生產設備無特別要求。

碳素竹材陶瓷的制造方法 1257     

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本發明公開了一種碳素竹材陶瓷的制造方法，包括以下步驟：竹材加工剩余物的篩選；精刨竹刨花活化處理；無膠竹刨花板壓制；真空加壓浸漬酚醛樹脂；竹材陶瓷板坯干燥固化；高溫煅燒即制得碳素竹材陶瓷。本發明碳素竹材陶瓷的制備工藝對環境影響小，工藝條件溫和，無需特殊設備，制備成本較為低廉，制備的碳素竹材陶瓷具有良好的物理性能。本發明以竹材加工剩余物為加工原料，原料價廉易得，提高了竹材利用率，可發揮竹材資源的最大效益。

透明陶瓷微流控芯片及其制備方法 711     

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本發明公開了一種透明陶瓷微流控芯片及其制備方法，所述微流控芯片的基體為透明陶瓷，所述透明陶瓷的中間平面還設置有可吸收激光的物質或相成分，所述微流控芯片的微通道采用激光聚焦刻蝕加工法構建。步驟S1：選定物質或相成分；步驟S2：稱量、球磨、烘干并過篩得到原料粉體一；步驟S3：稱量、球磨、烘干并過篩得到原料粉體二；步驟S4：獲得密實的陶瓷坯體；步驟S5：將所述陶瓷坯體放置于馬弗爐中進行保溫，得到陶瓷素坯；步驟S6：燒結，得到透明陶瓷；步驟S7：將所述透明陶瓷進行表面拋光處理后，進行激光聚焦刻蝕加工，激光聚焦于透明陶瓷的中間平面，所述中間平面的物質或相成分可吸收激光實現刻蝕加工，獲得微通道構型的透明陶瓷微流控芯片。

銅鉻-銅復合觸頭材料及其制造方法 942     

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一種銅鉻-銅復合觸頭材料及其制造方法,所述的銅鉻-銅復合觸頭材料,它主要包括有一銅鉻層,在該銅鉻層的至少一面上復合有一層銅層,且銅鉻層厚度為1.5～2.5MM,銅層的厚度為1.5～4.5MM;銅鉻層和銅層的總厚度可以根據需要在3.0～7.0MM之間任意控制;所述的制造方法,它包括:1.銅鉻層粉料的制備;2.銅層用粉料的制備;3.復合材料的壓制;4.燒結及復壓、復燒;它具有如下技術效果:一是較大地減小了銅鉻層的厚度,有效降低了觸頭材料的內電阻,使真空開關管的性能得到提高;二是銅層與導電桿的焊接工藝難度下降,焊接容易而且質量可靠;三是可減少鉻的用量,因而可降低制造觸頭材料的原料成本;四是可以直接用普通的銀銅焊料,并且實現一次封排,真空開關管的生產成本有較大的下降。

陶瓷微流控芯片及其制備方法、應用 1078     

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本發明公開了一種陶瓷微流控芯片及其制備方法、應用，該陶瓷微流控芯片是由摻雜稀土離子的透明陶瓷基體與微通道構成，且微通道分布在透明陶瓷基體內部。其中摻雜于透明陶瓷中的稀土離子為Mn2+、Mn4+、Cr3+、Pr3+、Ce3+、Nd3+、Yb3+、Er3+、Ho3+、Tm3+、Eu3+等中的一種或者多種。透明陶瓷基體為Al2O3、Y2O3、MgAl2O4或(GdxLuyY1?x?y)3(GaZAl1?z)5O12(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)中的一種。該陶瓷微流控芯片的透明陶瓷基體由高溫致密化燒結得到，具有高的致密度與透過率。該陶瓷微流控芯片的微通道內徑尺寸為數十到數百微米，且微通道通過犧牲模板法形成。該陶瓷微流控芯片具有物化性能穩定，成本低以及應用范圍廣等優點。

Y2Fe17N2.7型永磁材料及制備方法 1086     

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本發明公開了一種Y2Fe17N2.7型永磁材料及制備方法，Y2Fe17N2.7型永磁材料的原子比化學成分為Y2Fe17N2.7+X，其中X的范圍為?0.5到+0.2，在氮化工藝下，Y2Fe17N 2.2?2.9氮化合金具有易磁化軸晶體各向異性，飽和磁化強度為159emu/g到166emu/g，居里溫度為418℃到424℃。本發明同時公開了一種Y2Fe17N2.7型永磁材料的制備方法，包括步驟如下：Y2Fe17合金粉末粒度為125?250目，在壓力1bar和250℃下氮化，產生氮化后粉末Y2Fe17N2.2?2.9。本發明的有益效果為：Y2Fe17N 2.2?2.9氮化合金具有易磁化軸晶體各向異性，飽和磁化強度為159emu/g到166emu/g，居里溫度為418℃到424℃，遠高于Nd2Fe14B的居里溫度318℃。因此說y?Fe?N磁體不但比釹鐵硼磁體原材料成本低，而且有良好的磁化強度理論值和高的居里溫度。

低溫度系數釤鈷燒結永磁材料的制備方法 812     

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本發明公開了一種低溫度系數釤鈷燒結永磁材料的制備方法，屬于釤鈷燒結永磁材料技術領域。本發明克服了釤鈷磁體磁性能在高溫下損失嚴重、剩磁溫度系數高等不足，通過摻雜少量重稀土元素Gd和Dy制備的Sm2Co17燒結永磁體，對名義成分和工藝參數進行優化，使本發明的釤鈷燒結永磁體剩磁溫度系數α較理想。通過充入惰性氣體Ar減少熔煉過程中釤的燒損，減少成分偏析；在氣流磨制粉工藝過程中，通過調控分選輪轉速來獲得粉體粒徑SMD為3～5μm和合理的粒徑分布范圍D90/D10≤6.6，為粉體取向壓型獲得更高的取向度提供了可能。通過對熱處理過程溫度和時間的精確調控，使燒結后的毛坯更致密，密度更高，從而獲得最終磁體的剩磁更高。

晶界相中添加納米氮化硅提高釹鐵硼工作溫度和耐蝕性方法 1102     

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本發明公開了一種晶界相中添加納米氮化硅提高釹鐵硼工作溫度和耐蝕性方法。其步驟為:1)主相合金采用鑄造工藝制成釹鐵硼鑄錠合金或采用速凝薄片工藝制成釹鐵硼速凝薄片,晶界相合金采用鑄造工藝制成鑄錠合金或速凝薄片工藝制成速凝薄片或快淬工藝制成快淬帶;2)將主相合金和晶界相合金分別制粉;3)添加納米氮化硅到晶界相合金粉末中;4)混合后的主相合金和晶界相合金粉末在磁場中壓制成型;5)燒結爐內制成燒結磁體。該發明制得的燒結釹鐵硼工作溫度和耐蝕性比雙合金工藝但不添加納米氮化硅制得的磁體工作溫度和耐蝕性高,也比單合金法制得的磁體工作溫度和耐蝕性高。因此,通過本發明可以制備出高工作溫度和耐蝕性的燒結釹鐵硼。

超低退磁率高溫用釤鈷永磁材料及其制備方法 1189     

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本發明公開了一種超低退磁率高溫用釤鈷永磁材料及其制備方法，所述釤鈷永磁材料的化學原子計量式為Sm(Co_1?x?y?vFe_xCu_yZr_v)_z，其中x=0.09~0.13，y=0.12~0.18，v=0.033~0.04，z=7.69~8.3；z為過渡族元素Co、Fe、Cu和Zr的總原子量與稀土元素Sm的原子量之比。本申請制備得到的釤鈷永磁材料的耐高溫性能好，在使用溫度高達500℃下，具有極低的退磁率。

高導電銀基復合材料的原料配方及制備方法 926     

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本發明涉及金屬基復合材料技術，旨在提供一種高導電銀基復合材料的原料配方及制備方法。該原料配方是由重量百分含量計算的下述組分組成：銀粉80～88％、炭黑粉體1～18％、納米氧化銅粉體1～10％、納米碳化鈦0.5～10％、分散劑0.1～2％。采用本發明方法制備獲得的高導電銀基復合材料，由于含有導電性能優異的增強相材料和微觀導電通道，其電阻率最低可達1.9μΩ·cm，延伸率達22％以上。本發明不會對環境造成污染，工藝簡單、成本較低。與現有技術中研究和使用最多的環保型銀金屬氧化物相比，在達到同等性能的條件下，可顯著降低銀的使用量，以節約貴金屬資源。

氧化釓镥透明陶瓷閃爍體的制備方法 939     

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本發明公開了一種氧化釓镥透明陶瓷閃爍體的制備方法。用甘氨酸作為燃 燒劑的燃燒法制備Gd2(1-x-y)Lu2xEu2yO3陶瓷粉體，采用干粉壓制，然后在真空或 還原氣氛中無壓燒結，燒結溫度為1600-1900℃，便可獲得透明的 Gd2(1-x-y)Lu2xEu2yO3陶瓷閃爍體。該陶瓷閃爍材料在紫外光激發或X射線激發下 發出紅光，可用于醫學和工業X射線成像、探測的閃爍材料。

高延伸率銀基電接觸材料及其制備方法 764     

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本發明涉及金屬基復合材料技術，旨在提供一種高延伸率銀基電接觸材料及其制備方法。該原料配方是由重量百分含量計算的下述組分組成：銀粉84～88％、碳化硅晶須1～8％、銅纖維2～6％、納米二氧化硅溶膠1～12.9％、表面改性劑0.1～1％。本發明通過納米二氧化硅溶膠改性，在銀基體中形成連續網絡結構，充分發揮了碳化硅晶須和銅纖維的優良性質，提高了銀基電接觸材料的延伸率、電導率和抗拉強度，進而彌補了現有環保型銀基電接觸材料可加工性能差、電阻率高等不足。本發明的制備過程環保、操作簡單、成本較低。在達到同等性能的條件下，可以降低電接觸材料中銀的使用量，從而節約貴金屬資源。

超低功耗、高直流偏置磁芯及其制備方法、應用 1036     

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本發明屬于電子元器件技術領域，具體涉及一種超低功耗、高直流偏置磁芯，包括非磁性絕緣基體和分散于非磁性絕緣基體中的磁性納米顆粒。本發明的超低功耗、高直流偏置磁芯，由磁性納米顆粒分散在非磁性絕緣基體中形成；非磁性絕緣基體能有效阻止電子傳導，顯著降低渦流損耗；同時超順磁性納米粒顆具有線性磁化曲線，具有優異的抗直流偏置特性。

太陽光全波段光催化復合材料及其制備方法 803     

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本發明涉及一種太陽光全波段光催化復合材料及其制備方法，該材料為納米TiO₂/VS₄復合材料。本發明方法為一步水熱合成直接得到產物的制備方法，具有操作簡單、環境友好、耗能低等優點；本發明的復合材料是VS₄包覆TiO₂核殼結構的光催化劑，可以抑制光生電子?空穴的快速復合，提高光催化效率；同時綜合TiO₂具有優異的紫外光催化效果和VS₄具有優異的可見與近紅外光催化效果，使復合材料最大限度的利用從紫外光到近紅外光的太陽光全波段進行光催化，對于促進自然太陽光光催化技術應用，緩解能源危機以及加強環境治理具有重要的意義。

超高矯頑力燒結釹鐵硼磁體及其制備方法 1032     

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本發明公開了一種超高矯頑力燒結釹鐵硼磁體及其制備方法，它包括主相和晶界添加相，所述的主相包括低HA主合金和高HA主合金。本發明采用高磁晶各向異性場HA和低HA兩種主合金作為主相在燒結及熱處理過程中使重稀土元素從高HA相向低HA相擴散實現矯頑力的初步提高；同時可控制合金成分及制備工藝，提高磁體中Nd2Fe14B相的含量，保證磁體具有高的磁能積。而晶界添加相能夠進一步實現晶粒表面磁硬化提高矯頑力，并優化顯微結構，進一步提高矯頑力。本方法兼具傳統雙合金法及單合金晶界添加法的優點，提供一種操作簡單，適用于大批量生產超高矯頑力高剩磁燒結釹鐵硼磁體的方法。

復合材料制備方法、電池正極、電池及其制備方法 752     

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本發明涉及電池領域，特別涉及一種復合材料制備方法、電池正極、電池及其制備方法。所述復合材料制備方法、電池正極、電池及其制備方法，包括以下步驟：將富鋰材料與鎳鈷錳酸鋰材料混合得到混合物，其中，所述富鋰材料質量占比50％?80％，所述鎳鈷錳酸鋰材料質量占比20％?50％；向所述混合物中加入硝酸，加熱并保溫；加入檸檬酸，靜置；干燥；分段燒結，得到所述富鋰?鎳鈷錳酸鋰復合材料。本發明采用富鋰材料與鎳鈷錳酸鋰材料復合的技術，使用兩種材料復合后，結合了兩種材料的優點，制造的動力電池比能量高，循環壽命好；本發明所采用的復合材料制備方法制備環境無須十分苛刻，生產制造更簡單。

稀土配合物晶界改性燒結釹鐵硼磁體的制備方法 1076     

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本發明公開的稀土配合物晶界改性燒結釹鐵硼磁體的制備方法,包括以下步驟:制備釹鐵硼合金顆粒,將釹鐵硼合金顆粒破碎成粉,同時注入抗氧化劑;以噴霧的方式將稀土配合物和汽油的混合液體射入釹鐵硼粉料,混合均勻;混料于磁取向壓制成毛坯磁體,燒結。本發明以噴霧方式添加稀土配合物和汽油的混合物,能有效阻止顆粒與氧氣接觸,降低磁體制備過程中吸氧量,提高燒結磁體的磁性能。本發明采用稀土配合物添加,燒結后稀土配合物分解殘留的稀土產物主要位于晶界處,制備的燒結釹鐵硼磁體比常規的燒結釹鐵硼磁體具有更高的矯頑力值和更低的溫度系數,而且工藝簡單,易操作,適合于批量化生產。

太陽光全波段光催化復合薄膜及其制備方法 917     

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本發明涉及一種太陽光全波段光催化復合薄膜及其制備方法，該薄膜為多層納米TiO₂/VS₄復合薄膜。本發明方法制得的多層薄膜能夠牢固的結合為一個整體并具有大的比表面積，該復合薄膜是多層TiO₂/VS₄薄膜結構的光催化劑，可以抑制光生電子?空穴的快速復合，提高光催化效率，同時綜合TiO₂具有優異的紫外光催化效果和VS₄具有優異的可見與近紅外光催化效果，使復合材料最大限度的利用從紫外光到近紅外光的太陽光全波段進行光催化，對于促進自然太陽光光催化技術應用，緩解能源危機以及加強環境治理具有重要的意義。

太陽光全波段光催化納米陣列及其制備方法 1212     

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本發明涉及一種太陽光全波段光催化納米陣列及其制備方法，該光催化納米陣列為納米VS₄填充TiO₂納米管陣列。本發明方法制得的光催化納米陣列牢固附著在鈦基片上，可方便回收并循環使用，克服了傳統的粉體光催化劑回收困難的問題；該光催化納米陣列是納米VS₄填充TiO₂納米管陣列結構，可以抑制光生電子?空穴的快速復合，提高光催化效率；同時綜合TiO₂具有優異的紫外光催化效果和VS₄具有優異的可見與近紅外光催化效果，使納米陣列最大限度的利用從紫外光到近紅外光的太陽光全波段進行光催化，對于促進自然太陽光光催化技術應用，緩解能源危機以及加強環境治理具有重要的意義。

石油伴生氣處理工藝 1215     

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本發明公開了一種石油伴生氣處理工藝，屬于石油伴生氣處理技術領域，所述處理工藝包括以下步驟：伴生氣壓縮步驟、干燥步驟、氨預冷步驟、膨脹機制冷步驟、產品分餾步驟、干氣發電步驟，所述干燥步驟采用復合膜干燥脫水，所述復合膜是由不銹鋼纖維和玻璃纖維混合編織成網狀底層膜，再經過薄膜壓坯后燒制成型的雙層復合膜；本發明是將石油伴生氣處理后用于干氣發電，伴生氣處理工藝操作簡單，工藝步驟簡潔，并且采用膜干燥技術脫水，脫水速度快，氣體透過量高，不會產生粉塵造成二次污染。

不含重稀土元素的低矯頑力溫度系數高溫用釤鈷永磁材料及制備方法 751     

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本發明涉及釤鈷永磁材料領域，公開了一種不含重稀土元素的低矯頑力溫度系數高溫用釤鈷永磁材料及制備方法，釤鈷永磁材料的表達式為：Sm(Co_1?x?y?vFe_xCu_yZr_v)_z，其中x=0.08~0.13，y=0.1~0.18，v=0.03~0.04，z=6.30~6.89；z為過渡族元素Co、Fe、Cu、Zr與稀土元素Sm的原子比。本發明通過優化釤鈷永磁的合金配比及優化制備工藝（尤其是燒結及時效工藝），最終制備出具有低矯頑力溫度系數和高溫磁性能穩定性，且使用溫度高達500℃的釤鈷永磁材料，可滿足高溫高精度的使用要求，彌補了市場空白。