等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)是一種利用輝光放電(等離子體)反應生成含有氣態物質的薄膜的薄膜生長技術。該系統由高功率射頻電源、真空系統、管式爐組成,配備噴淋塔、活性炭箱,滿足尾氣處理的需要。該設備是為了使化學反應能在較低的溫度下進行,利用了等離子體的活性來促進反應,反應氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化,從而大大提高了反應物的活性
該CVD管式爐適用于CVD工藝,如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、材料的氣氛燒結等實驗。主要用于大學,研究中心和生產企業進行氣相沉積相關的實驗與生產。
這款CVD管式爐廣泛用于樣品在真空和氣氛條件下的燒結、涂層、納米管研究、釬焊、退火等實驗,適用于高校、研究機構實驗室和工礦企業進行CVD工藝的科研和實驗。
主要用于稀土制備、電子照明、晶體退火、生物陶瓷、電子陶瓷、特種合金、磁性材料、精密鑄造、金屬熱處理等工業真空燒結、保護氣氛燒結、CVD實驗、真空沉積、材料成分測定場合。
該設備適用于CVD工藝,如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。主要用于大學,研究中心和生產企業進行氣相沉積相關的實驗與生產。
這款CVD爐可用于碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控生長、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結等實驗。
適用于粉體材料的表面薄膜沉積,在超大規模集成電路、光電器件、MEMS等領域具有廣泛的應用。
PECVD等離子氣相沉積設備是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜, 該系統主要用于金屬粉末鍍膜。
本CVD系統帶水冷法蘭雙路流量計并配有雙極旋片泵、水冷機、數字真空計且該CVD系統可抽真空、通氣氛,該設備適用于各種CVD實驗。
CVD 管式爐系統由:管式爐加熱區系統,質子流量計供氣系統,真空系統和氣體定量系統組成。適用于 CVD 工藝,如碳化硅鍍膜、陶瓷基 片導電率測試、ZnO 納米結構的可控生長、陶瓷電容 (MLCC) 氣氛燒結等實驗。
該pecvd設備是由管式爐真空泵和六通道質量流量計氣體流動系統組成的。它可以混合1-6種氣體用于PECVD或擴散。
主要用于真空或氣氛燒結、基片鍍膜等要求加熱溫度較高的實驗環境。適用于大學,研究中心和生產企業進行氣相沉積相關的實驗與生產。
此款多溫區CVD系統是由多通道高精度的質量流量計、低真空機組以及1200度高溫管式爐組成。該CVD化學沉積系統廣泛應用在半導體、納米材料、碳纖維、石墨烯等新材料、新工藝領域。