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本發明公開了一種半導體芯片的失效分析方法，包括：切割半導體芯片制備具有橫截面的樣品；對樣品的衡截面進行研磨拋光、水洗并干燥樣品；配置化學染色液；將拋光好的樣品放入所述化學染色液中進行染色處理；對染色處理后的樣品進行清洗并干燥樣品；將樣品放置在掃描電鏡中進行檢查并進行顯微攝影，進行失效分析。本發明在對樣品進行研磨拋光之后，還采用化學染色液對樣品表面進行化學處理，最后才使用掃描電子顯微鏡對摻雜物分布和結面輪廓進行二維描述，并且能夠以較高的空間分辨率精確描繪摻雜剖面，從而可以對樣品的失效節點進行詳細而準確的分析。
本發明提供了一種半導體晶圓制造晶體管柵極硅氧化層失效的綜合分析方法，所述綜合分析方法包括：（Ⅰ）采用電測量分析方法對存在柵極硅氧化層失效的樣品進行失效定位；（Ⅱ）采用化學分析方法對樣品進行失效機理模型判斷，判斷確定柵極硅氧化層的失效原因是雜質污染，還是等離子體誘導損傷；（Ⅲ）如果失效機理模型是雜質污染，則采用飛行時間二次離子質譜對有柵極硅氧化層失效的樣品進行污染元素定性探查；隨后通過動態二次離子質譜對探查到的的污染元素進行精準定量測量。本發明采用更多的分析技術、儀器和方法聯合應用于失效分析，能夠快速準確地確定晶體管柵極硅氧化層的失效機理和模型，以便失效分析工程師提供更精準的分析報告。
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本發明涉及集成電路的失效分析技術領域，且公開了一種三維存儲器失效分析樣品制備方法，包括以下步驟：步驟一、對封裝進行電測試，根據電測試結果確認失效位置，并記錄下失效的log，使用封裝開封技術去除待分析芯片上方的塑封料(EMC)及芯片。本發明利用實時圖像采集及拼接技術，將真實芯片與設計圖紙進行比對，并進行位置修正，確定失效精確位置后，縮小目標區域，通過階梯開口方式，精確掌握垂直層數，最終實現快速定位及分析，通過對實際芯片的位置修正和定位，能夠更準確及快速的實現失效位置確定，大大縮減了誤判的發生率，并且由于定位準確，失效目標區域可以盡可能縮小，提高了分析操作效率。
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本發明提供了一種電腦主板失效分析方法，該方法包括以下步驟：A、對樣品進行外觀檢查，查看不良品表面是否有磨損、開裂等明顯異?，F象；B、對不良品進行失效點定位；C、使用良品對定位的失效點進行模擬驗證；D、將不良品制成失效點位置的金相切片，并使用聚焦離子束系統對金相切片表面進行微切割；E、使用掃描電鏡和能譜分析儀對金相切片進行分析，找出失效原因；F、模擬失效環境，對失效機理再次進行驗證；G、綜合分析，給出結論。本發明有如下優點：本發明分析方法步驟簡單，操作方便，有效提高失效分析的速度和準確度，經過初步分析、初步驗證、再次分析以及再次驗證，從而保證了失效理由的可信度，提高了失效分析結果的信服度。
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本發明公開了一種壓力容器失效的分析方法，包括以下步驟：S1、制定檢驗方案：確定壓力容器的相關工作參數，結合相關工作參數確定失效的具體內容和形成原因，制定因素分析表，并對應不同因素增加檢測方案；S2、方案分析：分析造成失效的不同因素間的相關性，對關鍵因素進行標記，分析造成因素的原因，記錄相關聯的工作參數及產生時間、產生頻率，同步的制定風險防御方案；S3、失效分析前檢查：結合壓力容器的基本信息以及設備運行的實際情況，初步分析壓力容器是否符合特定工作狀態下各項指標要求。本發明對壓力容器存在的潛在風險進行及時防控，實現高效排除不同環境下存在的隱患，有效提升壓力容器檢驗效果與質量，適用于工業相關產業。
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本發明公開了一種車載直流降壓芯片失效分析方法，包括以下步驟：步驟1)外觀檢查；步驟2)良品與不良品I/V測試對比分析；步驟3)無損探傷對比分析；步驟4)開封內部檢查；步驟5)EMMI對比分析；步驟6)匯總記錄，定位車載直流降壓芯片失效位置。本發明一種便捷、高效的分析方法，能夠快速定位芯片失效位置，并準確分析出失效應力來源。
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本發明揭示了一種半導體器件的失效分析方法及其設備，該方法包括以下步驟：S1：對半導體器件進行失效位置分析確認失效信息；S2：確認目標位置的觀測對象包括單個對象還是多個對象；S3：如確定觀測對象包括單個對象，則檢測單個對象的X和Y方向邊界尺寸和方向；S4：如確定觀測對象包括多個對象確認觀測單個對象，檢測單個對象的X和Y方向邊界尺寸和方向；選擇對應單個對象的電路布局圖，根據檢測到的邊界尺寸和方向，對單個對象的觀測畫面與其電路布局圖進行匹配，使單個對象在觀測畫面上各個組件與其電路布局圖上的位置一一對應。該方法可將觀測畫面的位置與實際電路布局圖上的位置匹配，快速找到觀測對象目標，提高了失效分析效率。
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本發明公開的屬于PCBA失效分析方法技術領域，具體為一種PCBA失效分析方法，包括以下步驟：S1：對PCB板進行外觀光學檢查，判斷其是否有污染、開裂或燒焦現象；S2：對步驟S1中判斷有污染的PCB板通過紅外光譜分析判斷其是否有機物污染，若有，檢測出有機物種類；通過元素分析判斷其是否有無機物污染，若有，檢測出無機物種類；S3：對步驟S1中判斷有污染或開裂的PCB板進行電性能檢測，判斷其是否有電性異常；本發明的PCBA失效分析方法對PCB板的失效分析全面，本發明通過外觀光學檢查、污染物檢測、電性能檢測、X?RAY射線檢測、金相顯微鏡檢測和SEM+EDS分析，能夠有效的檢測處PCB板的失效原因。
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本發明公開了一種失效分析中分析晶格缺陷的TEM樣品制備新方法。該方法使用手動研磨代替聚焦離子束來制備TEM樣品，使樣品中的晶格缺陷在極小或極淺的情況下均能被發現，而且不受晶格缺陷的方向的影響。極大地促進了晶格缺陷的發現與觀測，準確率高，對TEM樣品的制備的研究具有重要意義。
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一種液晶面板測試模組及一種液晶面板失效模式分析方法,其中液晶面板測試模組包含:驅動電路、測試電路以及若干個開關。其中驅動電路包含:若干個信號輸入線及若干個信號輸出線,信號輸出線包含第一信號輸出線群組、第二信號輸出線群組和第三信號輸出線群組;測試電路包含第一測試信號線、第二測試信號線和第三測試信號線,分別與第一信號輸出線群組、第二信號輸出線群組和第三信號輸出線群組電連接;以及若干個開關分別位于第一測試信號線、第二測試信號線和第三測試信號線與每一信號輸出線之間。
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本發明公開了一種電子產品的可靠性失效分析檢測方法，包括以下步驟：S1、在電子產品元件上安裝溫度、電流和電壓監測裝置；S2、將電子產品元件額定范圍輸入分析檢測單元并作為第一數據；S3、溫度、電流和電壓監測裝置對電子產品元件實時數據檢測并上傳；S4、上述數據在分析檢測單元中與額定范圍值的最大值進行比較計算，超出額定值關閉電子產品元件；S5、將失效數據通過失效數據顯示單元進行顯示。本發明分析檢測方法簡單明了，通過數次檢測即可得出影響電子產品元件可靠性的主要原因，并針對性的進行改進，提高電子產品元件使用的可靠性，延長電子產品元件使用壽命，適合進行推廣。
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本發明涉及一種電容失效分析檢測方法，包括如下步驟：外觀檢查；內視檢測，通過探傷檢測設備對失效電容進行失效點定位，并確定失效點位置；初步確認失效原因，根據失效點位置列出可能的失效原因；模擬試驗，根據失效原因對良品電容進行針對性的通電模擬，驗證可能的失效原因，并將良品電容在失效損毀后的失效點情況與失效電容的失效點位置進行比對，確定失效原因；金相檢測，將失效電容制成失效點位置的金相切片并在金相顯微鏡下觀察確認，再使用掃描電鏡和能譜分析儀對金相切片進行掃面分析，驗證確定電容失效損毀原因并給出分析結論。本發明能夠快速、高效地確認電容失效的根本原因，通過電容失效分析實現對于電子系統的工作可靠性的提高。
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本申請實施例涉及一種新型集成電路失效分析檢測方法。根據本申請的一實施例，新型集成電路失效分析檢測方法包括：對集成電路組件進行封膠以得到包含新型集成電路的膠柱體，其中集成電路組件包括晶片和襯底，襯底具有第一表面和與第一表面相對的第二表面，晶片位于襯底的第一表面上；以及從靠近襯底的第二表面的膠柱體的底面進行研磨至暴露襯底。本申請實施例提供的新型集成電路失效分析檢測方法可有效解決傳統技術中遇到的問題。
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