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            > 真空冶金技術

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            湖南懷化有色金屬真空冶金技術理論與應用

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            芯片交替布置無鍵合雙面散熱碳化硅MOSFET模塊及制作方法

            本發明涉及一種芯片交替布置無鍵合雙面散熱碳化硅MOSFET模塊,模塊由上、下碳化硅MOSFET芯片,上、下DBC基板,導電墊塊,納米銀焊膏,高溫焊料,功率端子,信號端子,硅凝膠和環氧樹脂組成。本發明通過納米銀焊膏將碳化硅MOSFET芯片分別焊接在上下DBC基板的覆銅層,同時對芯片表面電極做了鍍金處理,通過導電墊塊實現芯片表面電極與外部的電氣連接,利用高溫焊料將功率端子和信號端子從DBC基板的覆銅層引出。本發明用墊塊完全取代了模塊中的鍵合線,減小了寄生電感,提高了模塊的可靠性。同時通過將芯片分別焊接在上、下DBC基板,實現雙面散熱的同時減小了芯片之間的熱耦合效應,降低了模塊的整體熱阻。

            標簽:
            真空冶金
            湖南 - 懷化 來源:中冶有色網 2023-03-18
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            廣西大學
            處長/教授
            南京理工大學、中國科學院
            院士
            長沙有色冶金設計研究院有限公司
            正高級工程師/中國鋁業首席工程師/全國有色金屬行業設計大師/國家注冊采礦工程師
            鄭州大學
            副校長
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