本發明涉及一種芯片交替布置無鍵合雙面散熱碳化硅MOSFET模塊,模塊由上、下碳化硅MOSFET芯片,上、下DBC基板,導電墊塊,納米銀焊膏,高溫焊料,功率端子,信號端子,硅凝膠和環氧樹脂組成。本發明通過納米銀焊膏將碳化硅MOSFET芯片分別焊接在上下DBC基板的覆銅層,同時對芯片表面電極做了鍍金處理,通過導電墊塊實現芯片表面電極與外部的電氣連接,利用高溫焊料將功率端子和信號端子從DBC基板的覆銅層引出。本發明用墊塊完全取代了模塊中的鍵合線,減小了寄生電感,提高了模塊的可靠性。同時通過將芯片分別焊接在上、下DBC基板,實現雙面散熱的同時減小了芯片之間的熱耦合效應,降低了模塊的整體熱阻。
中冶有色為您提供最新的湖南懷化有色金屬真空冶金技術理論與應用信息,涵蓋發明專利、權利要求、說明書、技術領域、背景技術、實用新型內容及具體實施方式等有色技術內容。打造最具專業性的有色金屬技術理論與應用平臺!