湖南懷化有色金屬真空冶金技術理論與應用

芯片交替布置無鍵合雙面散熱碳化硅MOSFET模塊及制作方法 1123     

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本發明涉及一種芯片交替布置無鍵合雙面散熱碳化硅MOSFET模塊，模塊由上、下碳化硅MOSFET芯片，上、下DBC基板，導電墊塊，納米銀焊膏，高溫焊料，功率端子，信號端子，硅凝膠和環氧樹脂組成。本發明通過納米銀焊膏將碳化硅MOSFET芯片分別焊接在上下DBC基板的覆銅層，同時對芯片表面電極做了鍍金處理，通過導電墊塊實現芯片表面電極與外部的電氣連接，利用高溫焊料將功率端子和信號端子從DBC基板的覆銅層引出。本發明用墊塊完全取代了模塊中的鍵合線，減小了寄生電感，提高了模塊的可靠性。同時通過將芯片分別焊接在上、下DBC基板，實現雙面散熱的同時減小了芯片之間的熱耦合效應，降低了模塊的整體熱阻。