一種tzo陶瓷靶材制備方法及加工裝置技術領域1.本發明涉及一種tzo陶瓷靶材，具體涉及一種tzo陶瓷靶材制備方法及加工裝置。背景技術：2.靶材是高速荷能粒子轟擊的目標材料。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等)，即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。3.tzo薄膜是一種被廣泛研究的功能材料。tzo透明導電膜性能穩定、制備簡單、成本低廉，是新一代透明導電膜，有可能替代昂貴的ito，在薄膜，在平板顯示、太陽能電池、節能玻璃、智能玻璃等領域有廣泛的應用前景。4.通過能量束轟擊tzo靶材將其氣化，再沉積到基體表面即形成tzo薄膜。5.而靶材的純度對濺射薄膜的性能影響很大，陶瓷靶材的純度越高，濺射薄膜的均勻性和批量產品質量的一致性越好。6.靶材的密度不僅影響濺射時的沉積速率、濺射膜粒子的密度和放電現象等，還影響著濺射薄膜的電學和光學性能。靶材越密實，濺射膜粒子的密度越低，放電現象越弱，而薄膜的性能也越好。此外，提高靶材的致密度和強度能使靶材更好地承受濺射過程中的熱應力。濺射靶材的微觀結構均勻性對濺射時的成膜速率、沉積薄膜的質量及厚度分布等均有很大的影響。因此，必須做到靶材成分與結構均勻性好，這也是考察陶瓷靶材質量的重要指標之一。7.因此，有必要深度研究如何有效地提高陶瓷靶材的質量。技術實現要素：8.為解決現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種tzo陶瓷靶材制備方法及加工裝置。9.為了實現上述目標，本發明采用如下的技術方案：10.一種tzo陶瓷靶材制備方法，包括以下步驟：11.s1、將ti、zn、sn顆?；旌霞尤肭蚰C中，抽真空后球磨，制得混合納米顆粒；12.球磨速率包括三個階段，分別為：第一階段的800～1200r/min，第二階段的500～800r/min，第三階段的1200～1500r/min；13.并于三階段將氧氣逐量的引入到球磨的密閉體系中，每次引入氧氣都給予充分的球磨時間；14.s2、將混合納米顆粒導入模具中，熱壓成靶材的粗胚；15.s3、以恒定的溫降速率冷卻上述粗胚至常溫后，燒結，制得陶瓷靶材。16.上述步驟s1中ti、zn、sn的質量份比為(1-2)：(2-4)：(2-4)。17.上述步驟s1中的球磨時間為：第一階段為1～2天,第二階段為2～3天,第三階段為3～4天。18.上述步驟s1中的混合納米顆粒的粒徑范圍為20～50nm。19.上述
聲明：
“電解鋁渣中提煉冰晶石的生產工藝的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
872
編輯：中冶有色網
來源：茌平信源鋁業有限公司
分享 0
舉報 0
收藏 0
反對 0
點贊 0
2025年07月24日 ~ 26日 
