本發明涉及的是一種半導體含氟廢水處理系統及工藝，屬于水處理設備技術領域。
背景技術：
隨著半導體工藝技術的迅速發展和生產量的增加，半導體廠排出的含氟廢水量急劇地增加。為了防止半導體含氟廢水直接排放對環境生態的污染和破壞，必須設法降低廢水中的含氟濃度。
半導體含氟廢水主要污染指標為ph、f和ss?，F有技術的半導體含氟廢水處理系統有的采用石灰沉淀法，其處理成本較低，但是處理效果較差，產生的污泥量較多，還涉及石灰殘渣的處置問題，且無法滿足半導體企業對廠區環境的高要求。
技術實現要素：
本發明提出的是一種半導體含氟廢水處理系統及工藝，其目的旨在克服現有技術存在的上述缺陷，通過設置酸堿調整、除氟、去除ss等流程，實現有效改善處理效果，滿足半導體企業對廠區環境的高要求。
本發明的技術解決方案：半導體含氟廢水處理系統，其結構包括通過管道依次連接的含氟廢水集水池、含氟廢水調節池、一級反應池、一級混凝池、一級絮凝池、一級沉淀池、二級反應池、二級絮凝池、二級沉淀池和放流池；含氟廢水集水池和含氟廢水調節池之間管道、含氟廢水調節池和一級反應池之間管道都分別設有水泵。
優選的，所述的一級反應池連接第一naoh加藥箱、第一h2so4加藥箱和第一cacl2加藥箱，一級混凝池連接第二cacl2加藥箱，一級絮凝池連接第一pam加藥箱，二級反應池連接第二naoh加藥箱、第二h2so4加藥箱和第一pac加藥箱，二級絮凝池連接第二pam加藥箱。
優選的，所述的含氟廢水調節池內安裝攪拌裝置。
優選的，所述的放流池設有在線氟離子檢測儀。
半導體含氟廢水處理系統的處理工藝，包括以下工藝步驟：
1)半導體含氟廢水經管道收集后泵入含氟廢水調節池；
2)含氟廢水調節池中廢水經提升泵進入一級除氟反應系統處理，在一級除氟反應系統中，廢水首先進入一級反應池，在反應池內投加質量分數40％400mg/l的naoh、質量分數30％200mg/l的h2so調整ph值，并投質量分數20％8262.4mg/l的cacl2作為除氟藥劑，反應時間20min；
3)一級反應池出水進入一級混凝池，繼續投加質量分數20％8262.4mg/l的cacl2，反應時間20min；
4)一級混凝池出水進入一級絮凝池中，投加質量分數0.1％2.6g/l的pam作為絮凝劑，待其反應20min，使絮體長大、更容易沉淀；
5)一級
聲明：
“半導體含氟廢水處理系統及工藝的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：江蘇源邦環境科技有限公司
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2025年08月05日 ~ 07日 
