本發明提供了一種用于材料微細加工的改進型激光器,包括直流源、半導體激光二極管陣列(下稱LDA)、YAG晶體和控制器,其中,所述直流源用于驅動所述LDA,所述控制器用于控制所述直流源的輸出電流,工作時,通過所述控制器控制所述直流源的輸出電流值以控制所述LDA的發光的強度,最終控制激光器的輸出能量大小。所述控制器采用大功率的MOSFET管,所述LDA作為負載串聯在MOSFET漏極上,通過控制柵源電壓來控制輸出電流。采用本發明所述激光器可以滿足半導體線路微加工、失效分析、LCD液晶屏維修等多方面的應用,并且效率高、性能可靠、壽命長等優點。
聲明:
“LD陣列多側面泵浦激光器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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