本發明提供了一種透射電鏡截面樣品的制作方法。由于本發明提供的制作方法在對平面樣品進行刻蝕之前,先在其待刻蝕的表面上形成了一定厚度的過渡保護層,從而利用該過渡保護層作為后續刻蝕工藝的有效支撐,進而實現了在刻蝕過程中由于形成的透射電鏡截面樣品的形狀特殊,而造成的透射電鏡截面樣品容易發生彎曲的問題。并且,由于本發明提供的透射電鏡截面樣品的制作方法是對平面樣品的底部表面進行刻蝕,以形成截面樣品,從而可以利用平面樣品的底部表面只具有材料單一的半導體襯底的形成,避免了現有技術中由于離子束因切割不同材質造成的窗簾效應,而降低了TEM影像質量的問題,即,最終提高了半導體芯片失效分析的準確性和高效性。
聲明:
“透射電鏡截面樣品的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)