本發明提供一種測量注入層光刻對準偏差的方法,該方法通過獲得當第一離子注入區與第二離子注入區處于完全對準狀態時的最大擊穿電壓以及利用本發明提供的測試結構進行正電壓掃描獲得的測試電流為1mA時的測試擊穿電壓來計算注入層光刻對準偏差,其中注入層光刻對準偏差=100%*(最大擊穿電壓?測試擊穿電壓)/最大擊穿電壓,提高對準偏差測試準確度和敏感度,大大節省失效分析的成本和時間。
聲明:
“測量注入層光刻對準偏差的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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