目前國內外所采用的半導體器件及集成電路扁 平封裝外引線耐應力腐蝕檢測方法及裝置雖然各有 特點,但均存在試驗周期長、效率低、與外引線實際使 用狀態相去較遠及難以定量之不足。本發明采用使 外引線在腐蝕介質中發生彎曲變形的加載縮短了試 驗周期;在相同試驗條件下同時對n×h個外引線進 行檢測(n為底座數≤20,h為每個底座的外引線數≤ 10)提高了檢測效率;通過記錄外引線斷裂失效時間 和累計失效率并以此進行威布爾統計處理可達到定 量檢測之目的。
聲明:
“半導體器件外引線耐應力腐蝕檢測法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)