本發明涉及電子器件輻射效應領域,特別是涉及一種大氣中子誘發的電子器件失效率預計方法和系統,通過獲取在試驗環境下大氣中子誘發的電子器件的原始失效率;分別獲取所述試驗環境與目標環境的大氣中子通量;根據所述試驗環境和目標環境的大氣中子通量獲取所述試驗環境與目標環境的大氣中子通量比例因子;根據所述原始失效率和大氣中子通量比例因子可以獲取到在目標環境下大氣中子誘發的電子器件的目標失效率。獲取過程簡單高效,簡化了大氣中子條件下電子器件的輻射敏感特性分析過程,從而實現對大氣中子條件下電子器件單粒子效應敏感性的定量評價,解決我國目前大氣中子條件下電子器件單粒子效應評價方法缺失的難題。
聲明:
“大氣中子誘發的電子器件失效率預計方法和系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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