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            > 鹽酸克倫特羅分子印跡聚鄰苯二胺修飾電極及其制備方法和應用

            鹽酸克倫特羅分子印跡聚鄰苯二胺修飾電極及其制備方法和應用

            915   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-19 08:23:03
            該發明以鄰苯二胺為功能單體、鹽酸克倫特羅(CLB)為模板、體積配比為1:2的乙腈與去離子水的混合液為洗脫劑,在以玻碳電極為工作電極、鉑絲電極為對電極,飽和Ag/AgCl電極為參比電極的三電極系統中,采用循環伏安(CV)法掃描20圈。該模板分子經過洗脫后,使玻碳電極表面形成了CLB分子印跡的聚合物修飾膜,即CLB分子印跡電化學傳感器。以該傳感器為工作電極對CLB實施了電化學測定。結果表明,在5mol·L?1 K3[Fe(CN)6]溶液中,該傳感器的DPV峰電流與CLB濃度在2.02×10?8~2.19×10?6 mol·L?1范圍內有良好的線性關系。通過對三種與CLB結構類似的干擾物選擇性實驗的結果表明該傳感器的選擇性能良好。
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