本發明提供了一種晶圓減薄工藝,涉及晶圓減薄的技術領域,包括以下程序:測量程序、數據處理程序和減薄程序,通過測量裝置測量出晶圓的質量和厚度,數據處理裝置根據晶圓的質量和厚度以及其他參數計算出晶圓減薄后的目標質量,同時計算出晶圓需要減薄掉的質量和需要腐蝕的時間,晶圓在化學腐蝕腔內按照計算出的腐蝕時間進行腐蝕,以實現對晶圓厚度的減薄,晶圓減薄的工藝分別包括多次腐蝕時間計算及其對應的多次腐蝕過程,直至減薄后的晶圓的質量與目標質量相符合,緩解了現有晶圓減薄精度控制方法淺顯,難以保證較高減薄精度的技術問題,優化了晶圓的化學減薄工藝,使得晶圓減薄精度的控制工藝更加嚴謹、科學。
聲明:
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