本發明公開了一種貴金屬基材的3維納米蝕刻方法,是用于增加金屬材料比表面積的方便的電化學方法,所述方法通過反復電沉積和去合金處理以一步法擴大了金屬材料的比表面積。該方法可產生具有受控拓撲納米結構的多種貴金屬(例如,Ag、Au或Cu)的納米多孔粉末和納米線。例如,如此獲得的3維納米蝕刻金線作為SERS基材能夠以均勻信號檢測10?12M的羅丹明b,甚至在羅丹明b濃度降至10?14M時也可以獲得有效信號。
聲明:
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