本發明公開一種金屬納米顆粒修飾直立型少層石墨烯作為納米電極的物質結構和制備方法。直立型少層石墨烯簡稱直立石墨烯,明顯區別于其他碳材料,具有可用表面極大的特點。金屬納米顆粒以物理氣相沉積法均勻分布于直立石墨烯表面,顆粒的平均直徑可以控制在0.5到100納米范圍內,覆蓋率可控在為0?100%,顆粒與石墨烯表面通過化學健連接,附著力強,導電性好。顆粒還可以在石墨烯刃邊聚集。此納米電極具提高貴金屬利用率增加催化效率的優點,因此大大減少貴金屬用量和工業成本。此制備方法節能高效快速廉價適合大批量生產,可廣泛應用于電化學,分析化學,生化,醫療,環境以及能源相關行業。
聲明:
“直立少層石墨烯-金屬納米粒子復合催化電極” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)