本發明公開一種具有雙層鈍化膜的AlGaN基紫外探測器及制備方法,所述的雙層鈍化膜為利用光刻技術保留在器件表面和臺面側面的上、下兩層的雙層Si3N4薄膜,其制備工藝為:在AlGaN基紫外探測器表面和臺面側面采用感應耦合等離子體化學氣相沉積方法沉積雙層Si3N4薄膜,首先沉積一層應力與AlGaN層應力相近的下層Si3N4薄膜,然后沉積一層致密的上層Si3N4薄膜,待上述雙層膜沉積以后通過光刻和刻蝕工藝保留器件表面和臺面側面的Si3N4雙層膜。本發明實現了AlGaN基紫外探測器中鈍化膜的低應力、高致密度、耐腐蝕的優勢。
聲明:
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