本申請涉及光電探測領域,具體而言,涉及一種基于SnS2/MoS2的PEC型光電探測器及SnS2/MoS2異質結的制備方法?;赟nS2/MoS2的PEC型光電探測器包括電解質槽、參比電極、工作電極、對電極,參比電極、工作電極、對電極的固定端均通過卡孔固定在電解質槽的蓋子上,自由端均懸于電解質槽內,且不與電解質槽的底部接觸,工作電極包括導電基底、MoS2層、SnS2層,MoS2層與導電基底接觸,SnS2層設置于MoS2層遠離導電基底的一側,即工作電極的工作物質為SnS2/MoS2異質結。SnS2/MoS2異質結的制備步驟如下:S1,使用化學氣相沉積法在導電基底上制備MoS2納米片;S2,以步驟S1得到的生長有MoS2納米片的導電基底為沉積基底生長的SnS2納米片。
聲明:
“基于SnS2/MoS2的PEC型光電探測器及SnS2/MoS2異質結的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)