本發明涉及到一種增強型二維半導體光電探測器及其制備方法,本發明包括由下至上的絕緣襯底1、金屬電極2、二維半導體薄膜3和貴金屬納米顆粒4。在絕緣襯底上光刻制備電極,化學氣相沉積(CVD)方法制備二維半導體材料,物理蒸鍍的貴金屬薄膜經過高溫退火形成貴金屬納米顆粒。將制備的二維半導體薄膜和貴金屬納米顆粒依次轉移到制備的電極上,構建復合結構的光電探測器。本發明所涉及的光電探測器制備方法簡單,其具有低的暗電流和高的開關比。
聲明:
“增強型二維半導體光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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