本發明公開了一種基于二硒化鎢和IEICO?4F的異質結結構及光電探測器、及其制備,通過化學氣相沉積法在硅襯底上合成單層二硒化鎢薄膜,再通過旋涂工藝在二硒化鎢薄膜上制備出IEICO?4F層。該異質結能帶呈II型(交錯)排列,有利于快速分離因入射光所生成的光生載流子而形成光電流,且隨著有機半導體層厚度增加,二硒化鎢的光致發光峰顯著淬滅,器件表現出更加優異的光響應特性。該異質結及其光電探測器的制備方法簡單、成本低、兼容硅工藝。由該異質結結構組成的光電探測器具有高響應率、高探測率、高穩定性、寬光譜響應等優異特性,這為新一代基于二硒化鎢的光電探測器提供新的指導意義。
聲明:
“基于二硒化鎢和IEICO-4F的異質結結構及光電探測器、及其制備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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