本發明涉及一種基于Pt納米顆粒修飾GaN納米線的紫外光電探測器及其制造方法,屬于光電探測器領域。本發明是通過化學氣相沉積技術在藍寶石襯底上生長GaN納米線陣列,然后在GaN納米線陣列上沉積一層Pt納米顆粒,最后利用光刻技術在單根沉積有Pt納米顆粒的GaN納米線兩端沉積一層金屬電極。紫外探測器的光電性能測試結果顯示,相比于沒有Pt納米顆粒修飾的GaN納米線紫外光電探測器,有Pt納米顆粒修飾的GaN納米線紫外光電探測器顯示出更大的光電流、更高的光響應度、外量子效率、開/關比,以及更快的開光速度和更好的光電流穩定性,具有很好的潛在應用。另外,該器件制造工藝簡單、重復性強、工藝可控性強、成本低。
聲明:
“基于Pt納米顆粒修飾GaN納米線的紫外光電探測器及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)