本發明關于改善低能量離子植入下的片電阻量測值穩定性的方法,可應用于半導體制程的純硅晶層中,在純硅晶層上方具有自然氧化層,并藉由低能量離子植入方式將砷離子打入此純硅晶層中;再經由稀氫氟酸清洗以除去純硅晶層上方的自然氧化層,再由稀氫氯酸清洗以除去純硅晶層表面的污染物,以及由臭氧水浸洗以形成化學氧化層于純硅晶層上方;并經快速加熱程序以修復遭受破壞的純硅晶層晶格結構;完成半導體制程中的低能量離子植入制程。
聲明:
“改善低能量離子植入下的片電阻量測值穩定性的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)