一種管狀缺陷的檢測方式,首先提供一樣本,該樣本包含有一硅襯底、多個電路元件設于該襯底上、一介電層覆蓋于該多個電路元件及該襯底上,以及一多晶硅層覆蓋于該介電層上,并經由多個設于該介電層內的接觸孔電連接到各該電路元件,接著對該樣本進行一化學機械拋光工藝,以去除該介電層上的該多晶硅層以及部份該介電層,再進行一濕蝕刻工藝,以部分去除該介電層,最后利用一紫外光來觀測該樣本,以判別該樣本的該介電層中是否具有該管狀缺陷。
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