本發明公開一種用于高靈敏度檢測紅霉素的3D鎳金合金納米簇印跡修飾電極,依次按照如下步驟的方法制成:首先在電極表面沉積3D鎳金合金納米簇,然后利用可見光引發ATRP聚合的方法,在存在紅霉素的情況下將聚丙烯酰胺修飾在電極表面,除去紅霉素后,制得3D鎳金合金納米簇印跡修飾電極。本發明應用于電化學傳感器檢測紅霉素,具有檢測速度快、靈敏度高等優點,對紅霉素標準溶液檢測的線性范圍是1.0×10-9~1.0×10-1?mg/L,檢測限為4.799×10-10?mg/L(LOD,S/N=3)。
聲明:
“用于高靈敏度檢測紅霉素的3D鎳金合金納米簇印跡修飾電極” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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