本發明公開了一種拋光方法和化學機械拋光設備,其中拋光方法包括:晶圓完成磨削后,測量晶圓CMP之前的厚度的前值形貌,根據損傷層厚度確定去除損傷層之后的厚度的上限形貌,其中,所述上限形貌為前值形貌減去損傷層厚度;如果預存的參考厚度落在前值形貌和上限形貌之間,則基于使平整度和拋光效率最優的約束條件重新計算厚度的目標形貌,其中,所述目標形貌限定在上限形貌和下限厚度之間,所述下限厚度為制程要求的晶圓最薄厚度;如果所述參考厚度落在上限形貌和下限厚度之間,則直接將參考厚度作為目標形貌;按照所述目標形貌調整拋光壓力執行拋光。
聲明:
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