本發明揭露了一種半導體裝置結構,其包含:單晶化合物半導體材料層;以及多晶化學氣相沉積鉆石材料層,其中該多晶化學氣相沉積鉆石材料層經由厚度小于25nm、厚度變化不大于15nm的接合層與該單晶化合物半導體材料層接合,其中通過該單晶化合物半導體材料層與該多晶化學氣相沉積鉆石材料層之間的接口處的瞬態熱反射所測量的有效熱邊界電阻(TBReff)小于25m2K/GW,在該半導體裝置結構上測量的變化幅度不超過12m2K/GW,并且其中該單晶化合物半導體材料層具有以下特征之一或兩者:電荷遷移率至少為1200cm2V?1s?1;以及片電阻不超過700□/平方。
聲明:
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