本發明揭示了一種層間介電質化學機械研磨的時間反饋控制方法,包括:根據晶片實測厚度數據和設定的研磨速率對預定數量的一組晶片依次進行層間介電質的化學機械研磨;分別獲取研磨所述一組晶片中的每一個晶片的時間,作為反饋時間依次提供給先進過程控制系統;先進控制系統依次檢查每一個反饋時間是否在預定的控制限制范圍內,如果在預定的控制限制范圍內,保留該數據;如果超出了預定的控制限制范圍,該先進控制系統計算一修正值替換該反饋時間;所述先進過程控制系統根據經過修正的反饋時間確定同樣是該預定數量的下一組晶片中每一個晶片的研磨時間,其中,每一個晶片的研磨時間由與該晶片在該組中的順序位置對應的反饋時間確定。
聲明:
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