本發明公開了一種40Gb/s波導型PIN光探測器 管芯臺面的化學腐蝕方法。它涉及一種光通信用40Gb/s光探 測器關鍵部分——雙聯體管芯臺面的制作。該光探測器的管芯 臺面,是由InP/InGaAs/InGaAsP(或InGaAs/InAlAs/InP)多層異 質材料構成的、寬×長為(6-8)×(24-26)微米、高為(2.7-3.1) 微米的斜臺面結構。該臺面結構,由采用特定配比的HBr- K2Cr2O7- H2O混合腐蝕液,通過兩次(或 多次)化學腐蝕而成,并經臺階儀精確測試,達到規定要求。該 特定配比的混合腐蝕液,具有配置簡單、對大多數III-V半導 體化合物材料均能適用、腐蝕速率快、使用方便等諸多特點。
聲明:
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