本發明提供一種檢測硅片機臺滑片的方法,利用原本就具有的終點偵測裝置,無需再多耗費設備成本,即可有效偵測滑片情形并防止破片情況的發生。本發明系利用設于CMP機臺內部的光學偵測系統連續偵測芯片表面的反射率,光源系從內部入射至研磨墊的下表面,因此可避免因散射導致偵測效果不佳情況的發生,適用于各類型的研磨墊。本發明通過分析反射率資料曲線可立即反應硅片滑出的事實,配合硅片載具立即上抬,可有效防止硅片破片,節省成本。
聲明:
“化學機械研磨機臺滑片檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)