本發明提供一種在其它彈性波濾波器中不易產生由高階模造成的紋波的彈性波裝置。彈性波裝置(1)具備:支承基板(2),是硅基板;氮化硅膜(3),層疊在支承基板(2)上;氧化硅膜(4),層疊在氮化硅膜(3)上;壓電體(5),層疊在氧化硅膜(4)上,且由鉭酸鋰構成;以及IDT電極(6),設置在壓電體(5)的一個主面,關于壓電體的波長歸一化膜厚TLT、壓電體的歐拉角θLT、所述氮化硅膜的波長歸一化膜厚TN、氧化硅膜(4)的波長歸一化膜厚TS、通過所述IDT電極的波長歸一化膜厚和所述IDT電極的密度相對于鋁的密度之比的積求出的、換算為鋁的厚度的IDT電極(6)的波長歸一化膜厚TE、支承基板(2)的傳播方向Ψsi、支承基板(2)的波長歸一化膜厚TSi的值,TLT、θLT、TN、Ts、TE、ψsi被設定為由下述的式(1)表示的與第一高階模的響應強度對應的Ih、與第二高階模的響應強度對應的Ih、以及與第三高階模的響應強度對應的Ih中的至少一個大于?2.4,且Tsi>20。[數學式1]
聲明:
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