本發明公開了一種石墨烯/碳包覆硅基負極及其制備方法,所述的硅基負極包括硅基材料、硅基材料表面包覆的無定型碳及石墨烯,所述的制備方法包括聚多巴胺包覆硅基材料的制備、氧化石墨烯/聚多巴胺包覆硅基材料的制備及高溫處理。本發明有效地實現石墨烯對硅基材料的均勻包覆,有效地抑制硅基材料體積膨脹效應,提高材料的電子電導率及鋰離子電池的長期循環性能,同時本發明的制備方法簡單方便,易于實現規?;?、產業化。
聲明:
“石墨烯/碳包覆硅基負極及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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