本發明公開一種用于光電催化的g?C3N4復合薄膜材料的制備方法,該方法首先采用水熱法和熱蒸氣液聚法制備g?C3N4薄膜;然后采用連續的離子層吸附法(SILAR)將Bi2S3納米顆粒負載到g?C3N4薄膜上;最后利用光電化學沉積法將Co?Pi納米顆粒沉積到g?C3N4/Bi2S3上最終得到g?C3N4/Bi2S3/Co?Pi薄膜復合材料。所制備的復合薄膜材料提升了g?C3N4的可見光吸收,促進了光電催化性能的提高;制備方法簡單易操作,整體成本低廉。
聲明:
“用于光電催化的g-C3N4復合薄膜材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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